ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征

最新推荐文章于 2024-05-05 11:37:28 发布
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AO3401是一款高性能场效应管，具有30V漏源电压，4.2A连续漏极电流，低RDS(ON)为42mΩ，适用于负载开关和PWM应用。其采用沟槽技术，支持低至2.5V的栅极电压，并拥有快速开关特性。
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编辑-Z

场效应管AO3401参数：

型号：AO3401

漏源电压（VDS）：30V

栅源电压（VGS）：±12V

连续漏极电流（I）：4.2A

脉冲漏极电流（IDM）：30A

功耗（PD）：1.4W

结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃

漏源击穿电压（BVDSS）：-30V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1uA<

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qyx3868
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MOS管【AO3401】在电路中的运用，【AO3401】为何要选ASEMI
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AO3401的资料手册参数分析和应用示例分析
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AO3401是一种PNP型低压功率表面贴装场效应晶体管（Surface Mount Field Effect Transistor），由Alpha & Omega Semiconductor公司推出。总结：AO3401是一种N沟道功率MOSFET，具有较大的漏极电压和电流承受能力，适用于功率开关和驱动电路等应用。在设计电路时，应根据其资料手册参数合理选择电路参数，并注意控制栅极电压以实现所需的电流调节。AO3401可以广泛应用于功率开关和驱动电路等领域。
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AO3401采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。接头和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ。二极管反向恢复时间（trr）：20.2ns。二极管正向电压（VSD）：0.75V。漏极-源极电压（VDS）：30V。输入电容（Ciss）：954pF。脉冲漏极电流（IDM）：30A。栅源电压（VGS）：±12V。连续漏电流（I）：4.2A。功耗（PD）：1.4W。
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