ASEMI肖特基二极管MBR20300FCT的VI特性和优缺点

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肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性：

从VI特性可以看出，肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性与普通PN结二极管相似，但仍存在以下区别。

 

肖特基势垒二极管的正向压降低于普通PN结二极管。由硅制成的肖特基势垒二极管的正向压降呈现出0.3伏至0.5伏的正向压降。

正向电压降随着n型半导体掺杂浓度的增加而增加。由于载流子浓度高，肖特基势垒二极管的VI特性比普通PN结二极管陡峭。

 

肖基特二极管MBR20300FCT的优缺点

MBR20300FCT优点：

低正向压降

肖特基二极管的开启电压在硅二极管的0.2V-0.3V之间，而标准硅二极管的开启电压在0.6到0.7伏之间。这使其具有与锗二极管相同的开启电压。

快速恢复时间

由于存储电荷量少，恢复时间快，这意味着它可以用于高速开关应用。

低结电容

考虑到非常小的有源区域，由于在硅上使用线点接触，电容水平通常非常小。

高电流密度

肖特基二极管的耗尽区可以忽略不计。所以施加小电压就足以产生大电流。

噪音小

肖特基二极管产生的不需要的噪声比典型的PN结二极管少。

更好的性能

肖特基二极管将消耗更少的功率，可以轻松满足低压应用的要求。

MBR20300FCT缺点：

较高的反向电流

由于肖特基二极管是金属半导体结构，因此在电压反向时更容易出现漏电流。

较低最大反向电压

反向电压是当电压反向连接（从阴极到阳极）时二极管将击穿并开始传导大量电流的电压。这意味着肖特基二极管在不击穿和传导大量电流的情况下无法承受较大的反向电压。即使在达到这个最大反向值之前，它仍然会泄漏少量电流。