DHE1M-ASEMI高效恢复二极管DHE1M

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DHE1M在SOD-123封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款高效恢复二极管。DHE1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DHE1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。DHE1M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.7V，反向恢复时间（trr）为100NS，其中有2条引线。

DHE1M参数描述

型号：DHE1M

封装：SOD-123

特性：高效恢复二极管

电性参数：1A 1000V

芯片材质：GPP硅芯片

正向电流(Io)：1A

芯片个数：1

正向电压(VF)：1.7V

芯片尺寸：50MIL

浪涌电流Ifsm：30A

漏电流(Ir)：10uA

反向恢复时间（trr）：100NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：2

DHE1M贴片封装系列。它的本体长度为2.8mm，加引脚长度为3.7mm，宽度为1.8mm，高度为1.1mm，脚宽度为1.0mm。