ASEMI低压MOS管20N06参数，20N06体积，20N06大小

最新推荐文章于 2024-08-07 23:42:04 发布
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20N06是一款低压MOS管，具备60V的漏极-源极电压，20A的漏极电流，以及35mΩ的低RDS(ON)。其特点包括低固有电容、优秀的开关性能和扩展的安全操作区域。该管子采用TO-252-2L封装，尺寸紧凑，且通过了100%雪崩测试，确保了高可靠性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

编辑-Z

ASEMI低压MOS管20N06参数：

型号：20N06

漏极-源极电压（VDS）：60V

栅源电压（VGS）：20V

漏极电流（ID）：20A

功耗（PD）：45W

储存温度（Tstg）：-55 to 175℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ

二极管正向电压（VSD）：1.2V

输入电容（Ciss）：590pF

二极管反向恢复时间（trr）：29.5nS

 

20N06封装体积：

封装：TO-252-2L

总长度：10.35mm

本体长度：6.25mm

宽度：6.75mm

高度：2.4mm

脚间距：2.34mm

 

20N06特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=50nC（典型值）。

BVDSS=60V，ID=20A

RDS（开）:0.02Ω （最大值）@VG=10V

100%雪崩测试

 

qyx3868
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