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ASEMI高压MOS管20N65参数:
型号:20N65
漏极-源极电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):30V
漏极电流(ID):20A
功耗(PD):239W
储存温度(Tstg):-55 to 150℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.42Ω
二极管正向电压(VSD):1.4V
输入电容(Ciss):3520pF
二极管反向恢复时间(trr):530nS
20N65封装规格:
封装:TO-220
总长度:28.57mm
本体长度:15.87mm
宽度:10.66mm
高度:5.0mm
脚间距:2.54mm
20N65特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=650V,ID=20A
RDS(ON):0.42Ω (最大值)@VG=10V
100%雪崩测试