ASEMI高压MOS管10N60参数，10N60特征，10N60大小

最新推荐文章于 2024-09-09 22:50:15 发布
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10N60是一款由ASEMI生产的高压MOS管，具备600V漏极-源极电压，10A漏极电流，以及低至0.85Ω的RDS(ON)。它采用TO-220封装，具有低栅极电荷、快速切换和出色的dv/dt能力，且通过了100%雪崩测试。
摘要由CSDN通过智能技术生成

编辑-Z

ASEMI高压MOS管10N60参数：

型号：10N60

漏极-源极电压（VDS）：600V

栅源电压（VGS）：30V

漏极电流（ID）：10A

功耗（PD）：125W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.85Ω

二极管正向电压（VSD）：1.5V

输入电容（Ciss）：1500pF

二极管反向恢复时间（trr）：600nS

 

10N60封装大小：

封装：TO-220

总长度：28.57mm

本体长度：15.87mm

宽度：10.66mm

高度：5.0mm

脚间距：2.54mm

 

10N60特征：

10A，600V，RDS（ON）=0.85Ω@VGS=10V/5A

低栅极电荷

低Ciss

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

 

qyx3868
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