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ASEMI高压MOS管10N60参数:
型号:10N60
漏极-源极电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):30V
漏极电流(ID):10A
功耗(PD):125W
储存温度(Tstg):-55 to 150℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.85Ω
二极管正向电压(VSD):1.5V
输入电容(Ciss):1500pF
二极管反向恢复时间(trr):600nS
10N60封装大小:
封装:TO-220
总长度:28.57mm
本体长度:15.87mm
宽度:10.66mm
高度:5.0mm
脚间距:2.54mm
10N60特征:
10A,600V,RDS(ON)=0.85Ω@VGS=10V/5A
低栅极电荷
低Ciss
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力