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对于FPGA或者ASIC的初学者来说，选择哪种语言貌似应该根据自身的需求而定，例如实验室项目需要使用哪种语言，或者实验室师兄师姐使用了哪种语言，或者导师推荐你学习哪种原因，这都是硬性需求了，因为你需要完成项目的接手，所以必须根据要求而来！但如果你没有这些顾虑呢？该如何做出选择？

参考中外文以及互联网资料，写一篇ASIC设计流程文章供大家参考，文中有不妥之处，还望批评指正，谢谢！

未使用的外围设备不会影响设备的整体功能，因此，您无需阅读数据手册中解释这些未使用外围设备所有详细信息的部分。由于许多应用仅需要现代微控制器提供的大量外围功能的一小部分，因此仅此一步就可以消除很大一部分文档负担。

随着微控制器变得越来越复杂和强大，它们的数据表变得越来越长和越来越复杂。 这不足为奇，我当然也不想批评制造商试图提供有关其零件的详细而全面的信息。 但事实是，这些冗长且有时令人生畏的数据表确实存在一些问题。

基于微控制器的系统设计中涉及的技能和技术当然不是特定于某个零件号，甚至也不是某个制造商，但是，如果您在该领域还没有广泛的专业知识，那么最好只关注一种设备（或一个设备系列），然后在获得一些扎实的经验之后再进行扩展。

在塑造现代生活的技术革命中，微控制器发挥了根本作用，甚至可以说是支配地位。微控制器是小型，多功能，廉价的设备，不仅可以由经验丰富的电气工程师，而且可以由其他学科的业余爱好者，学生和专业人员成功地实施和编程。

整理了一些有关网站ALL ABOUT CIRCUITS的一些资源！

多数金属在接近绝对0时会降低电阻。但是，电阻不会降为0。在冷却时，超导体在其临界温度下会迅速降至零电阻。通常，Tc在绝对零的10 K以内。一个库珀对，一个电子对，一个量子力学实体，不受阻碍地穿过金属晶格。

大多数半导体是硅。 硅特别适用于集成电路，因为它容易形成氧化物涂层，可用于构图晶体管等集成组件。

SCR是晶闸管四层二极管系列中最普遍的成员。施加到SCR栅极的正脉冲会触发其导通。 即使去除了栅极脉冲，导通仍将继续。 仅当阳极到阴极的电压降至零时，导电才停止。由于连续导通，SCR最常与交流电源（或脉动直流）一起使用。

绝缘栅场效应晶体管（IGFET），也称为金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），是场效应晶体管（FET）的衍生产品。 如今，大多数晶体管属于MOSFET类型，是数字集成电路的组成部分。 尽管分立的BJT比分立的MOSFET数量更多。 集成电路中的MOSFET晶体管数量可能接近数百万。 单个MOSFET器件的尺寸小于1微米，每18个月减小一次。 更大的MOSFET能够在低压下切换近100安培的电流； 有些可以在较低电流下处理近1000 V的电压。 这些设备占据了平方厘米硅的很大一部分。 MOSFET的应用范围

之所以称为单极结型场效应晶体管（FET或JFET），是因为通道中的传导是由于一种载流子引起的。JFET的源极，栅极和漏极分别对应于BJT的发射极，基极和集电极。向栅极施加反向偏压会通过扩大栅极二极管的耗尽区来改变沟道电阻。

晶体管与一对背对背二极管的区别在于基极（中心层）非常薄。这允许来自发射极的多数载流子作为少数载流子通过基极扩散到基极-集电极结的耗尽区，在那里强电场将它们收集起来。

在结附近，N型材料电子扩散穿过结，并与P型材料中的空穴结合。由于吸引了电子，结附近的P型材料区域带净负电荷。由于电子离开了N型区域，因此它具有局部正电荷。这些电荷之间的晶格薄层已经耗尽了多数载流子，因此被称为耗尽区。

纯度为100亿分之一的半导体材料，可能会添加特定杂质，每1000万分之1左右，以增加载流子的数量。向半导体中添加所需的杂质被称为掺杂。掺杂增加了半导体的导电性，因此与绝缘体相比，它与金属更具有可比性。

原子试图形成一个完整的外电子价的8电子壳（最里面的壳为2电子）。 原子可能会贡献一些电子以暴露下面的8壳，接受一些电子以完成壳，或共享电子以完成壳。

将杂质添加到本征半导体材料中以改善材料的电性能。该过程称为掺杂。所得材料称为非本征半导体。

本征半导体材料的电阻随着温度的升高而降低。那是一件有趣的事。本征半导体材料的电阻随着温度的升高而降低。原因是热量越多，自由电子越多。这称为负温度系数。随着温度升高，电阻降低。

诸如晶体管和二极管之类的半导体器件构成了几乎所有现代电子系统的基础。 当我们看微处理器和运算放大器时，这些都是由我们称为半导体器件的东西构建的器件。

电气工程师通过设计电路来完成有用的任务，其中电压和电流由各种不同的组件控制，修改和利用。这些电压和电流代表能量：电路是一个充满能量的系统，其中电压充当势能，电流类似于动能。除非有东西也产生电能，否则我们集成到电路中的组件无法控制和利用电能，这就是电路具有电压源和电流源的原因。我们称这些元素为源是因为它们为电路提供适当功能所需的电能。

实际上，电容器和电感器这两个常见的电子组件自然会存储能量。这些组件可以用作临时能源，它们被广泛用于电力网络，电压调节器电路以及与频率有关的电路（称为滤波器）。

这种类型的电阻称为寄生电阻，其影响电路功能的程度取决于各种因素。 在许多情况下，寄生电阻可以忽略，因为它不会以任何明显的方式改变电路的功能。

本章介绍了集成电路的概念，解释了模拟电子产品和数字电子产品之间的区别，并介绍了各种类型的模拟，数字和电源管理IC。

离散逻辑重要性降低的原因之一是复杂的可编程逻辑器件（CPLD）和现场可编程门阵列（FPGA）提供的更高的性能和效率。这些IC使工程师可以通过使用硬件描述语言（HDL）“编写”电路，然后将配置数据加载到设备中来实现定制的数字功能。

数字IC使用的MOSFET可以完全导通或完全截止，并且可以互连成各种简单和复杂的电路。

集成电路（IC）的创建是在晶体管的微观世界和人类必须生活的宏观现实之间架起桥梁的技术。通过将由多个晶体管（和其他组件）组成的电路集成到可以由人和机器处理的单个封装中，IC设计人员可以使其他工程师受益于可以使半导体器件小型化的便捷性。 IC还确保了我们不必继续解决已经解决的问题：复杂，高性能的设计可以快速，轻松地集成到无数不同的系统中，因为工程师可以购买该设计作为经过验证的，特性全面的IC创建定制的电路来实现或多或少的相同功能。

我们知道，没有模数转换和数模转换就不会存在现代技术。 实际上，这些操作已变得司空见惯，以至于说出模拟信号可以转换为数字然后再转换为模拟信号而不会造成任何重大信息损失，这听起来像是不言而喻。

无源组件不能放大信号，并且它们不会产生机械运动。有源元件可以放大信号。机电组件将电能转换为机械运动，将机械运动转换为电能，或促进电气互连。

单词“晶体管”是指可以执行开关和放大的半导体器件。 您可能从上一教程中回忆起，可以用作开关或放大器的电子设备称为有源组件。 电开关和放大并不是从1948年晶体管的发明开始的。 但是，本发明是一个新时代的开始，因为与晶体管扩散之前使用的有源组件（称为真空管）相比，晶体管体积小，效率高且具有机械弹性。

文章目录写在前面正文pn结和半导体二极管正向和反向偏置二极管作为电路组件结论原文附录The pn Junction and the Semiconductor DiodeForward and Reverse BiasDiodes as Circuit ComponentsConclusion写在前面从第一篇文章开始：半导体基础知识（1）：材料和器件，觉得挺好，于是决定翻译第二篇，有缘看到就进行下去。上篇最后预留了这样一句话：如果目标是制造有用的电子组件，那么掺杂材料本身并没有比原始半导体更好。

如果目标是制造有用的电子组件，那么掺杂材料本身并没有比原始半导体更好。 但是，当我们将n型半导体与p型半导体相邻放置时，一切都会改变。