可編程金屬化單元（CBRAM）

可編程金屬化單元

可編程金屬化單元（英語：，縮寫為），一種新的非揮發性記憶體技術，由亞利桑那州立大學開發，這項專利目前已授權並轉移給Axon Technologies公司。它有可能取代快閃記憶體。

類型
RAM
DRAM（例如DDR SDRAM） SRAM
发展中
可控硅随机存储器 Z-RAM
历史上
威廉姆斯管（1946－47年） 延迟线存储器（1947年） 选数管（1953年） 冷阴极计数管
ROM
Mask ROM PROM EPROM EEPROM 闪存 固态存储
非揮發性隨機存取記憶體
RRAM
早期
nvSRAM FeRAM MRAM PRAM
磁式
磁带 硬盘
光學式
光盘驱动器
发展中
3D XPoint CBRAM SONOS 賽道記憶體 NRAM Millipede FJG RAM
历史上
纸张数据存储（1725年） 磁鼓存储器（1932年） 磁芯記憶體（1949年） 磁镀线存储器（1957年） Core rope memory（1960年代） 薄膜存储器（1962年） 磁扭线存储器（~1968年） 磁泡存储器（~1970年）

英飛凌在2004年取得PMC技術的授權，並用來開發導電橋接隨機存取記憶體(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC稱為Nanobridge，Sony稱其為electrolytic memory。但這些公司都沒有做出實際應用成果。

目前最主要推動 CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。