3D存储器

存储器应用广泛，云存储使存储器的需求从2维到3维，因此数据仓库不再是比喻，而是真正的后台支持。三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash向3D技术发展，物联网(Internet of Things)相关半导体需求带来的设备商机，数据中心和云计算系统的存储体系，使国际半导体设备材料产业协会(SEMI)预测半导体设备市场，2017年市场规模将达434亿美元，比2016年高9.3%，这是2015年起连续第3年维持成长。

1.3D存储器技术的开始与发展

  

3D存储器

三星成功量产3D NAND之后，英特尔在2015年研发出3D Xpoint新闪存技术，东芝、美光、SK海力士也在2016年陆续投产3D NAND，2017年原厂3D技术纷纷提升到64层3D NAND投产，英特尔也将3D XPoint开始用于SSD产品。

NAND Flash的3D技术与2D技术在结构上截然不同。简单来讲，2D NAND好比是平房，3D NAND则犹如耸立的高楼大厦，也因此Flash原厂近几年大手笔增加投资金额建厂或更新设备。其中三星2013年在中国西安建3D NAND专用工厂，2015年开建的平泽厂也将在2017年投入生产，东芝改造Fab 2工厂，并开始新建Fab 6工厂，还有美光Fab 10X和SK海力士M14，以及SK海力士将要新建的M15工厂，这些都需要采购新设备生产3D NAND。

东京威力科创(Tokyo Electron)执行董事堀哲朗表示，2016会计年度(2016/4~2017/3)的NAND设备订单是2015会计年度的2倍；爱德万(Advantest)社长吉田芳明认为，NAND设备订单需求至少会持续到2017会计年度上半年，甚至更长。

虽然东芝计划出售东芝Memory新公司股权可能会影响到3D NAND设备投资计划，以及Fab 6新建计划，但不至于影响到整个半导体设备的订单需求。另一方面，物联网相关半导体需求的成长，也给半导体设备市场带来了新需求。

2.堆叠式存储器

   堆叠路由器是简单的路由器，然而堆叠式存储器却是最先进的存储器。

据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb(64GB，TLC）,相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。

 只需要两颗芯片，就能造出近2TB容量的单面M.2 SSD，而且成本更低。

不过，目前，64层3D闪存（512Gb）仍是试样出货，但64层（256Gb）已经量产。

如此以来，今后500GB~2TB的SSD将渐渐成为主流，120GB/240GB逐步淘汰。

3.层式建筑

     根据3D存储器的设计。将许多立体层状的建筑组成一个高楼，而不再是结构式方式，可解决厕所等通风问题。

从侧面看，立体层式建筑就像多张邮票一样并行而立。每一张邮票是一个立体层。