[RAM] 3D RAM 能否复制 3D NAND 神话？

已于 2024-05-18 14:50:05 修改
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分类专栏： 深入理解DDR 文章标签： 3D RAM
于 2024-03-30 15:37:39 首次发布
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版权
随着人工智能时代对DRAM容量需求的增加，3D DRAM成为了解决之道。文章探讨了3D DRAM面临的挑战，如缩放和层叠问题，以及Lam Research和Neo Semiconductor的创新解决方案。Lam Research的初期尝试为28层堆叠，而Neo Semiconductor的3D X-DRAM采用无电容器浮体单元技术，有望通过现有3D NAND工艺实现DRAM的容量扩展。未来展望中，3D NAND技术在DRAM领域的应用将可能带来1 Tb内存的生产。

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主页： 元存储博客

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前言

人工智能时代，DRAM的容量扩展受到限制， 需要迫切解决，以满足应用的要求[2]。

3D DRAM是指以垂直方向存储位的体系结构，类似于3D NAND[1]。

3D X-DRAM可以使用现有的3D NAND闪存存储器工艺进行制造，只需进行微小的改变，大大降低了开发新的3D工艺所需的时间和成本。

在这里插入图片描述
图片： 2D -> 3D RAM
来源: appliedmaterials

挑战

DRAM的速度几乎比NAND快1000倍，并且通过使用高迁移率硅基底作为起始材料形成通道来实现这种速度。DRAM的高速也源于能够快速将电荷移入和移出电容器。

挑战有[3]：
缩放和层叠方面的挑战
电容器和晶体管的缩小
单元间连接以及通道数组

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3D DRAM引领存储变革，重塑智能时代计算格局
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此外，SK海力士关注IGZO通道材料在DRAM中的应用，美国公司NEO Semiconductor推出的3D X-DRAM技术以及日本东京工业大学研发团队提出的BBCube 3D技术也都在寻求突破传统DRAM容量限制的新路径。在3D DRAM结构中，晶体管被垂直堆叠成多层，从而增大了晶体管间的间距，减少了漏电流和干扰。综上所述，3D DRAM作为应对传统DRAM技术瓶颈的重要策略，各主要玩家正积极探索和投资这一前沿技术，力求在未来的市场竞争中抢占先机，满足不断增长的高性能、大容量存储需求。
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