SDRAM是个啥？
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。
同步
是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。
动态
是指存储阵列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失，因为SDRAM是通过电容来中存储数据，而电容自然放置状态是会有放电的，为了保证SDRAM中的数据不丢失，所以SDRAM需要在电容的电量放完之前进行刷新。
随机
是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。
SDRAM 结构长啥样？
以IS42S86400B型号的SDRAM举例说明。下图为其内部结构
我们关注外围的PIN以及Bank就可以了，下面逐一说明PIN定义及Bank。
PIN定义
| PIN | 释义 |
|---|---|
| A0 - A12 | 地址输入，行地址A0-12，列地址A0-A9，A10用于控制Auto-precharge（自动预充电） |
| BA0,BA1 | Bank地址输入，选择不同的BANK |
| DQ0 - DQ15 | 数据I/O |
| CLK | 系统时钟输入 |
| CKE | 时钟使能，高有效 |
| CS_n | 芯片选通，低有效 |
| RAS_n | 行选通，低有效 |
| CAS_n | 列选通，低有效 |
| WE_n | 写使能，低有效 |
| DQML | 低字节数据输入/输出掩码 |
| DQMH | 高字节数据输入/输出掩码 |
Bank
一块Bank可以理解为一片RAM，通过行列地址操作其内部的存储单元。
SDRAM容量计算
SDRAM容量 = 数据位宽x存储单元数量（BANK数x行地址x列地址）
即：16（DQ） x 4(Bank) x 8192(行地址范围) x 1024（列地址范围）= 512Mb
SDRAM如何用起来
了解基本的SDRAM的指令动作
依据IS42S86400B的器件手册，得到基本的指令动作有:
上图为指令的真值表，具体时序状态，参考相应的芯片手册。
| 命令动作 | 释义 | 说明 |
|---|---|---|
| Device deselect (DESL) | 未指定设备 | 未选中该设备 |
| No operation (NOP) | 空操作 | 在空闲或等待状态下发出的指令 |
| Burst stop (BST) | 突发停止 | 中断当前执行的突发写或者读操作 |
| Read | 读指令 | |
| Read with auto precharge | 读指令 | 相对于上面的读指令，A10被置为高，代表读完自动进行预充电 |
| Write | 写指令 | |
| Write with auto precharge | 写指令 | 相对于上面的写指令，A10被置为高，代表读完自动进行预充电 |
| Bank activate（ACT） | bank激活 | 执行激活Bank指令时，会激活该Bank和对应的行地址 |
| Precharge select bank（PRE） | Bank预充电 | 选择性的为Bank进行充电 |
| Precharge all banks（PALL） | Bank预充电 | 为所有bank进行预充电 |
| CBR Auto-Refresh（REF） | 自动刷新 | 内存刷新指令，固定周期，在此期间不能执行任何其他命令，该命令每64ms至少执行8192次 |
| Self_Refresh（SELF） | 自刷新 | 自刷新在无有效时钟输入时使用，维持存储设备在低功耗状态，且可以保持数据 |
| Mode register set（MBS） | 模式寄存器设置 | 该模式下配置内存参数，突发类型及长度等 |
通过指令动作组装一个简单SDRAM读写流程
凡是预则立，不预则废，首先我们先规划一个大致的操作流程，在针对每个流程去看其中具体需要执行的指令动作，且在不同的指令动作间，有具体的操作周期间隔，这部分需依据手册中标识去编写代码。
初始化 init_s
这个状态需要配置一切SDRAM工作所需要的参数，通过MBS指令动作完成，进行该指令动作时，要依据手册中的动作时序进行。
- 上电后，执行NOP指令，维持至少200us。
- 然后进行所有bank的预充电动作-PALL。
- 执行至少8次的自动刷新指令-REF，间隔期执行NOP。
- 执行MBS指令，配置参数。
- 配置完参数进入正常操作流程，空闲时执行NOP，需要进行读写操作时，激活相应bank和行地址。
MBS指令的配置，按照芯片手册进行配置
这里我们配置为
Register_Map <= "000" & '0' & "00" & "010" & '0' & "010";
--注意，这里值包含了地址段；BA0,BA1应配置为0。
由此，这是一个可编程突发长度的标准操作模式下的SDRAM芯片，其中CAS的潜伏期为2，突发类型为有序突发，长度为4。
空闲态 Idle_s
该状态下默认执行NOP操作，同时等待跳入自动刷新和读写操作。
-------------------------------------------------------------------------------
-- NOP时的信号状态
-------------------------------------------------------------------------------
sdram_RAS_n <= '1';
sdram_CAS_n <= '1';
sdram_WE_n <= '1';
sdram_Addr <= (others => '0');
sdram_BA <= "00";
sdram_DQM <= "1111";
自动刷新 Auto_Ref_s
该状态下执行自动刷新指令，手册中标注，该命令每64ms至少执行8192次，可以看到自动刷新按照行地址扫描，64ms内要把所有的行地址刷新完毕。这里刷新的间隔没必要卡的这么死，设置5us执行一次，64ms内可以执行12800次，足够，也能为读写操作和自动刷新的指令冲突提供缓冲。
-------------------------------------------------------------------------------
-- 自动刷新时的信号状态
-------------------------------------------------------------------------------
process(sys_clk)
begin
if(rising_edge(sys_clk))then
if(sys_rst = '1')then
auto_ref_RAS_n <= '1';
auto_ref_CAS_n <= '1';
auto_ref_WE_n <= '1';
elsif(ref_pstate = auto_ref_s)then
auto_ref_RAS_n <= '0';
auto_ref_CAS_n <= '0';
auto_ref_WE_n <= '1';
else
auto_ref_RAS_n <= '1';
auto_ref_CAS_n <= '1';
auto_ref_WE_n <= '1';
end if;
end if;
end process;
auto_ref_DQM <= "1111";
auto_ref_DQ <= (others => '0');
auto_ref_BA <= "00";
auto_ref_Addr <= (others => '0');
读/写操作（Active_s + Read_op_s / Write_op_s + Percharge_s）
关于读写操作，有很多组合，这里举了一种比较简单的方式，更多复杂的组合可以在手册的引导下完成。
本章节所说的读或是写操作过程如下：
- 抬手就是激活对应的bank和行地址。
- 然后通过WE_n信号的状态，决定读还是写指令。
- 接一个预充电指令就可以回到空闲态。
- 持续输出NOP指令，等待下一次读写操作，或者自动刷新指令。
上述过程转变时，存在一定的时间间隔的要求，具体查看相应手册。
简单的读指令操作
在T0前需要执行激活指令，图中没有展示该过程，而是着重展示了预充电后，需要等待Trp时间后才能继续操作下一次激活指令。
-------------------------------------------------------------------------------
--激活+读操作+预充电的信号状态
-------------------------------------------------------------------------------
elsif(task_pstate = Active_s)then
r_sdram_RAS_n <= '0';
r_sdram_CAS_n <= '1';
r_sdram_WE_n <= '1';
r_sdram_Addr <= usr_sdram_row_addr;
r_sdram_BA <= usr_sdram_ba;
elsif(task_pstate = Read_s and sta_cnt = 0)then
r_sdram_RAS_n <= '1';
r_sdram_CAS_n <= '0';
r_sdram_WE_n <= '1';
r_sdram_Addr <= "0000" & usr_sdram_col_addr(8 downto 0);
r_sdram_BA <= usr_sdram_ba;
elsif(task_pstate = Precharge_s)then
r_sdram_RAS_n <= '0';
r_sdram_CAS_n <= '1';
r_sdram_WE_n <= '0';
r_sdram_Addr <= "00100" & x"00"; --A10-All Back
r_sdram_BA <= usr_sdram_ba;
简单的写指令操作
在T0前需要执行激活指令，图中没有展示该过程，而是着重展示了预充电后，需要等待Trp时间后才能继续操作下一次激活指令。
-------------------------------------------------------------------------------
--激活+写操作+预充电的信号状态
-------------------------------------------------------------------------------
elsif(task_pstate = Active_s)then
w_sdram_RAS_n <= '0';
w_sdram_CAS_n <= '1';
w_sdram_WE_n <= '1';
w_sdram_Addr <= wr_sdram_row_addr;
w_sdram_BA <= wr_sdram_ba_addr;
elsif(task_pstate = Write_s and sta_cnt = 0)then
w_sdram_RAS_n <= '1';
w_sdram_CAS_n <= '0';
w_sdram_WE_n <= '0';
w_sdram_Addr <= wr_sdram_col_addr;
w_sdram_BA <= wr_sdram_ba_addr;
elsif(task_pstate = Precharge_s)then
w_sdram_RAS_n <= '0';
w_sdram_CAS_n <= '1';
w_sdram_WE_n <= '0';
w_sdram_Addr <= "00100" & x"00"; --A10-All Back
w_sdram_BA <= wr_sdram_ba_addr;
SDRAM代码编写的结构建议
建议分为五个模块，即：
顶层模块
仲裁模块
写模块
读模块
自动刷新模块
使模块间各司其职。
Sdram_Auto_Ref.vhd
Sdram_Inital.vhd
Sdram_Read.vhd
Sdram_Top.vhd
Sdram_Write.vhd
Sdram_arbit.vhd
仲裁输出结构
sdram_CLK <= not sys_clk; --100Mhz
sdram_CS_n <= '0';
sdram_CKE <= '1';
process(sys_clk)
begin
if(rising_edge(sys_clk))then
if(sys_rst = '1')then
sdram_RAS_n <= '1';
sdram_CAS_n <= '1';
sdram_WE_n <= '1';
sdram_Addr <= (others => '0');
sdram_BA <= "00";
sdram_dout <= (others => '0');
sdram_DQM <= x"0";
elsif(task_pstate = idle_s and init_sdram_done = '0')then
sdram_RAS_n <= init_sdram_RAS_n;
sdram_CAS_n <= init_sdram_CAS_n;
sdram_WE_n <= init_sdram_WE_n;
sdram_Addr <= init_sdram_Addr;
sdram_BA <= init_sdram_BA;
sdram_dout <= init_sdram_DQ;
sdram_DQM <= init_sdram_DQM;
elsif(task_pstate = sdram_auto_ref_s)then
sdram_RAS_n <= auto_ref_RAS_n;
sdram_CAS_n <= auto_ref_CAS_n;
sdram_WE_n <= auto_ref_WE_n;
sdram_Addr <= auto_ref_Addr;
sdram_BA <= auto_ref_BA;
sdram_dout <= auto_ref_DQ;
sdram_DQM <= "1111";
elsif(task_pstate = sdram_read_s)then
sdram_RAS_n <= r_sdram_RAS_n;
sdram_CAS_n <= r_sdram_CAS_n;
sdram_WE_n <= r_sdram_WE_n;
sdram_Addr <= r_sdram_Addr;
sdram_BA <= r_sdram_BA;
sdram_DQM <= r_sdram_DQM;
elsif(task_pstate = sdram_write_s)then
sdram_RAS_n <= w_sdram_RAS_n;
sdram_CAS_n <= w_sdram_CAS_n;
sdram_WE_n <= w_sdram_WE_n;
sdram_Addr <= w_sdram_Addr;
sdram_BA <= w_sdram_BA;
sdram_dout <= w_sdram_DQ;
sdram_DQM <= w_sdram_DQM;
else
sdram_RAS_n <= '1';
sdram_CAS_n <= '1';
sdram_WE_n <= '1';
sdram_Addr <= (others => '0');
sdram_BA <= "00";
sdram_DQM <= "1111";
end if;
end if;
end process;
r_sdram_DQ <= sdram_DQ;
sdram_DQ <= sdram_dout when task_pstate = sdram_write_s or init_sdram_done = '0'
else "ZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZ";
资料分享
IS42S86400B器件手册: https://download.csdn.net/download/sgxb2028/12747768
SDRAM控制器代码-VHDL: https://download.csdn.net/download/sgxb2028/12747783
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