tiny4412之内存控制器寄存器配置(DDR3 SDRAM)（三）

Table of Contents

一、CONCONTROL寄存器

1.1、chipn_empty 

1.2、clk_ratio 

二、MEMCONTROL寄存器

2.1、bl (Memory Burst Length)突发长度

2.2、Number of Memory Chips 内存数量配置

2.3、芯片数据位宽度

2.4、内存类型（DDR DDR2 DDR3 LPDDR2-S4....)

三、MEMCONFIGn寄存器

3.1、内存基地址和内存大小范围设置

3.2、Address Mapping Method映射方式

3.3、Number of Column/Row Address Bits(行列地址位数)

3.4、bank数量

四、TIMINGAREF寄存器

4.1、刷新间隔时间

五、TIMINGROW   TIMINGDATA   TIMINGPOWER

5.1、重要的时间参数（tRCD tRP预充电 tRC tRAS  tCL）

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一、CONCONTROL寄存器

1.1、chipn_empty 

1.2、clk_ratio 

 

二、MEMCONTROL寄存器

2.1、bl (Memory Burst Length)突发长度

2.2、Number of Memory Chips 内存数量配置

2.3、芯片数据位宽度

2.4、内存类型（DDR DDR2 DDR3 LPDDR2-S4....)

三、MEMCONFIGn寄存器

3.1、内存基地址和内存大小范围设置

我们的内存范围是0x40000000~0x5FFFFFFF  因此偏移=0x5FFFFFFF-0x40000000=0x1FFFFFFF 因此把高三位屏蔽掉

chip_mask=0b(1110_0000) = 0xe0

同理chip1也是一样的 chip_mask=0b(1110_0000) = 0xe0

3.2、Address Mapping Method映射方式

3.3、Number of Column/Row Address Bits(行列地址位数)

3.4、bank数量

四、TIMINGAREF寄存器

4.1、刷新间隔时间

五、TIMINGROW   TIMINGDATA   TIMINGPOWER

5.1、重要的时间参数（tRCD tRP预充电 tRC tRAS  tCL）