直流(DC)跟交流射频(RF)的电场构成

电浆的产生可藉由直流(DC)偏压或交流射频(RF)偏压下的电场构成，如图5-3所示，而在电浆中的电子来源通常有二：一为分子或原子解离后所产生的电子，另一则为离子撞击电极所产生的二次电子(Secondary Electron)，在直流(DC)电场下产生的电浆其电子源主要以二次电子为主，而交流射频(RF)电场下产生的电浆其电子源则以分子或原子解离后所产生的电子为主。现今一切的电浆系统皆为射频系统。另外值得一提的是在射频系统中一个重要的参数是供应动力的电极面积与接地电极面积之比。
随着制程参数及电浆状态的改动，能够辨别为两种极端的性质的蚀刻方式，即纯物理性蚀刻与纯化学反响性蚀刻。纯物理性蚀刻可视为一种物理溅镀(Sputter)方式，它是应用辉光放电，将气体如Ar，解离成带正电的离子，再应用偏压将离子加速，溅击在被蚀刻物的外表，而将被蚀刻物质原子击出。此过程乃完整应用物理上能量的转移，故谓之物理性蚀刻。其特征为离子撞击具有很好的方向性，可取得接近垂直的蚀刻轮廓。但缺陷是由于离子是以撞击的方式到达蚀刻的目的，因而光阻与待蚀刻资料两者将同时遭受蚀刻，形成对屏蔽物质的蚀刻选择比变差，同时蚀刻终点必需准确掌控，由于以离子撞击方式蚀刻关于底层物质的选择比很低。且被击出的物质常常非挥发性物质，而这些物质容易再度堆积至被蚀刻物薄膜的外表或侧壁。加上蚀刻效率偏低，因而，以纯物理性蚀刻方式在集成电路制造过程中很少被用到。
由于电子来回的振荡，因而离子化的机率大为提升，蚀刻速率可因此提升；3) 可在较低的电极电压下操作，以减低电浆对组件所招致之损坏；4) 关于介电质资料同样能够运作。