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原创 EDX的基本原理与应用

A4: EDX是一个电子壳层的电子被外来粒子或者能量激发，留下一个空位，然后外层电子跃迁至这个空位，同时就会放出特征X射线，这样不同壳层之间的电子转移导致的能量差就会有不同的谱线，EDX谱线就是把这些特征X射线脉冲的累积分开得到的。电子束沿样品表面的一条分析线进行扫描，采集每个位点元素的特征X射线，可获得元素含量变化的线分布曲线，结果和试样形貌像对照分析，能直观地获得元素在不同相或区域内的分布，曲线高的地方，表明该元素含量高。能谱仪中的探测器被置于一个特定角度，与样品非常接近，能测量到X射线的光子能量。

原创 XPS介绍

因材料的不同，这种集体振荡的特征频率也不同，故而所需要的激发能亦因之而异。由于不同原子或分子的激发态具有不同的能量，因此光电子的能量也不同，横坐标是能量，纵坐标是强度。对于某些材料，光电子在离开样品表面的过程中，可能与表面的其它电子相互作用而损失一定的能量， 而在XPS低动能侧出现一些伴峰，即能量损失峰。①H和He的只有价电子，没有内层电子，内层电子有原子特征 ，H和He只有分子特征，没有原子特征，XPS没法判别。XPS是用碳定位的，每个xps图中专门加进去碳，以碳峰的位置来定位，以便衡量其它金属的价态。

原创 XRD介绍

请注意：很多时候，XRD全谱很难直观地表现衍射图样的变化，而为了更好地说明情况，一般将某个特征峰（常见为主峰）进行放大（也可以在XRD测试时，只选取某个较小范围进行测试），然后比较其衍射峰位置。从图a的插图(对111特征峰的放大)可以看出，Pt1Pd3的衍射峰介于Pd和Pt之间，且峰型对称，说明形成的是PtPd合金。而如果A，B不形成合金，A-B复合物的特征衍射峰由A和B的衍射峰按比例叠加而成，不会发生衍射峰的偏移；X射线管发生出来的不是纯净的单色光，包含多种波长的射线，最主要的是K系射线。

原创 材料参数——弹性模量

8、但是总体来说，金属材料的弹性模量是一个对组织不敏感的力学性能指标，合金化、热处理（纤维组织）、冷塑性变形等对弹性模量的影响较小，温度、加载速率等外在因素对其影响也不大，所以一般工程应用中都把弹性模量作为常数。9、 弹性模量可视为衡量材料产生弹性变形难易程度的指标，其值越大，使材料发生一定弹性变形的应力也越大，即材料刚度越大，亦即在一定应力作用下，发生弹性变形越小。4、“弹性模量”是描述物质弹性的一个物理量，是一个统称，表示方法可以是“杨氏模量”、“剪切模量”、“体积模量”等。

原创 材料参数——泊松比

泊松比是指材料在单向受拉或受压时，横向正应变与轴向正应变的比值，也叫横向变形系数，它是反映材料横向变形的弹性常数。负泊松比材料由于具有不同于普通材料的独特性质,在很多方面具备了其他材料所不能比拟的优势,尤其是材料的物理机械性能有了很大的提高,如提高了材料的剪切模量、材料的抗缺口性能、抗断裂性能以及材料的回弹韧性。另外,由于材料的泊松比影响到应力波的传输和反射,应力的消除和在裂纹附近的应力分布,所以负泊松比材料适合制造紧固件或安全带,在受外力时材料的横向膨胀可以抵消外力的作用,从而提高这些部件的抗负荷能力。

原创 闪电形成原因和用途

受这样强大的电位差的影响，植物的光合作用和呼吸作用增强，因此，雷雨后一至二天内植物生长和新陈代谢特别旺盛。雷电很重要的功绩是制造氮肥。雷电过程离不了闪电，闪电的温度是极高的，一般在三万摄氏度以上，是太阳表面温度的五倍。最常见的闪电是线形闪电，它是一些非常明亮的白色、粉红色或淡蓝色的亮线，它很像地图上的一条分支很多的河流，又好像悬挂在天空中的一棵蜿蜒曲折、枝杈纵横的大树。闪电是通过气流在雷雨云中会因为水分子的摩擦和分解产生静电形成的，这些电分两种，一种是带有正电荷粒子的正电，一种是带有负电荷粒子的负电。

原创 等离子清洗机的几种频率区别与运用

不同等离子体产生的自偏压不一样，超声等离子体的自偏压为1000V左右，射频等离子体的自偏压为250V左右，微波等离子体的自偏压很低，只有几十伏，而且三种等离子体的机制不同。射频等离子体清洗，通过加入不同的气体，可以使表面反应机制中物理反应和化学反应都起重要作用，即反应离子腐蚀或反应离子束腐蚀，两种清洗可以互相促进，离子轰击使被清洗表面产生损伤削弱其化学键或者形成原子态，容易吸收反应剂，离子碰撞使被清洗物加热，使之更容易产生反应；2.45G的微波等离子目前国内用的比较少。

原创 等离子体及其分类

等离子体（Plasma）是指与固、液、气三态并列的称为物质存在第四态的电离气体，这是由汤克斯（L.•Tonks）和朗格缪尔（I•Langmuir）首次提出的。等离子体由全部或部分电离的导电气体组成，其中包含电子、原子或原子团形成的正、负带电粒子，激发态原子或分子，基态原子或分子及自由基等六大类粒子。这些粒子的正、负电荷的数量及密度分布大致平衡，整体对外保持宏观电中性，故称等离子体。在加热或放电等受激条件下，气体分子可部分解离为正、负离子以及电子等带电粒子。此时，热运动或其它扰动可导致电离气体中电

原创 Plasma真空等离子处理仪工作原理

PLASMA真空等离子处理仪配备清洗托盘，把样品放在托盘上，样品朝上的一面等离子处理效果明显，样品贴着托盘的一面处理效果不明显，原因是等离子体需要空间让其做高速运动，而样品贴着托盘的那一面，空间变小，不利于等离子体对样品表面进行处理，所以样品哪一面需要等离子处理，就把那一面朝上，如果两面都需要等离子处理，常规的做法是待样品的一面处理结束后，把样品取出翻转再进行另一面的等离子处理，但如果样品是粉末或者微小颗粒，这个方法就有局限性。硅片-PLASMA亲水性处理。（真空等离子处理仪VP-RS8）

原创 掌握这两个电压（Vdc&Vpp），就理解了DRY ETCH微观原理

此時电荷能量为-q×Vn， 当 RF 在负半周期时， 将提供正离子电荷 q×(Vp Vdc)的能量， 使正离子电荷往 Cathode上的 Wafer加速移动，轰击wafer表面，负电荷与正电荷的移动数量是相同的，这就是DRY ETCH 微观原理。当RF交流电位于正半周期时，等离子体中带负电的电子被吸引至下部极板，当RF交流电位于负半周期时，等离子中带正电的离子被吸引，但由于离子质量较大，无法跟随电场变化，其位置变化不大。当电场变化时，电子容易跟随电场的变化而变化，离子由于质量重，不随电场的变化而变化。

原创 科普丨绚烂的等离子体

雷雨天气下，不同云层因电荷积累差异形成极高的电压差和极强的电场，当电场强度超过大气的击穿阈值后会产生等离子体通道形成电流的导通，放电电流可达几十甚至上百千安，并伴随有强烈的等离子体发光，这就是人们所观察到的闪电。因此，要想看到美丽的极光，必须到地球磁场漏斗区对应高纬度极地地区（70~75°），例如北半球的阿拉斯加、加拿大、北欧以及南半球的新西兰、智利等，在我国的漠河镇运气好时也能看到。但在浩瀚的宇宙中，美丽的星云、绚烂的恒星、广阔的星际空间其实都是等离子体态。这就是绚烂的等离子体的故事，

原创 等离子体技术【十六】--EUV激光器

在气体放电过程中，除了13.5nm处的辐射外，绝大部分能量转化为其它波段的辐射，这些能量必须通过对放电电极的冷却来及时导出，否则将会对电极产生严重的侵蚀作用，从而影响电极寿命，3)激光等离子体光源没有电子放电那样受热负荷的限制，它能够通过增大相应的激光功率来实现更高功率的EUV光输出，这对将来实际量产有十分重要的意义；2)由于激光聚焦的光斑尺寸要小很多，激光等离子体产生的EUV光源发散角小于光刻系统的可接受集光角，所以原理上辐射的EUV光都是有用的；也有充入缓冲气体的，增加原子、离子的阻力。

原创 等离子体技术【十五】--自动阻抗匹配器

而自动阻抗匹配器，能够及时跟踪等离子体负载复杂的阻抗变化，保证负载和源之间阻抗匹配，从而保证从射频源输出的功能都能被等离子体负载全部吸收。从反射的角度而言，反射系数Γ=（ZL-Z0）/ (ZL+Z0)，当ZL=Z0时，反射系数Γ=0，即不产生反射，入射电压完全被负载端吸收。当负载和传输线的特征阻抗以及射频源内阻三者相等时，射频源发出的电压波全部达到等离子体负载，而不会在三者之间产生反射。图中ZL＜RS，以上仅为示例，实际中的ZL的负载幅值要＞50Ω，因此L型匹配的手臂应指向阻抗较小的一侧。

原创 等离子体技术【十四】--用于CO2激光器的射频电源

摘自《高功率CO2激光器及其应用技术》而用射频电源根本没办法做到，一。从上面的指标可以看出，，相差整整三个量级。

原创 等离子体技术【十三】--中频电源

形成“阳极消失”现象。阳极消失现象使辉光放电阻断，放电过程变得越来越不稳定，最后。此贴介绍了使用DC电源的问题及现象，包括弧光放电、阳极消失、靶中毒。以上问题均来自于：沉积介质薄膜时，若采用DC反应溅射，从电路的角度来说，绝缘层的形成，相当于对地形成电容，亦即使是说，如果当阴极表面积累了一定的正电荷时，设到地电容为C，电压为V，累积的电量为Q，则有，，电源产生一个反向电压，使。，这对成膜是非常有害的。，就可抑制上述现象。

原创 等离子体技术【十二】--直流DC电源及其在等离子应用中的问题

3、D点-E点：正离子轰击阴极，释放出的二次电子与中性原子(分子)碰撞，产生更多的正离子，导致平衡的破坏，因此电压迅速下降，同时电流密度自动增大，产生可见放电辉光。1、暗光放电（A点-B点）：开始给阴极施加负电压-->放电电流密度较小，仅为10^-16到10^-14(A/cm2)5、异常辉光放电（F点-G点）：正离子达到均匀轰击阴极后-->进一步增大电流密度-->则放电进入异常辉光放电区。过程：开始进入正常放电区-->正离子对阴极的轰击(主要集中在阴极的边缘和不规则表面)-->继续增大功率(

原创 等离子体技术【十一】--Arc管理

摘自《真空薄膜技术》--张以忱，3.9.4.4。

原创 等离子体技术【十】--射频电源发展简史

原创 等离子体技术【九】--等离子体的后端现象

该功能可与系统上的所有电源相匹配，与其波形相吻合,从而使所有的阴极始终处于同相状态。电弧同步可与一个系统中的所有电源相匹配，从而使得所有部件对电弧作出反应，即使只有一个部件感测到了电弧。下图显示了在没有使用CEX时会出现的阴极之间的串扰，并产生波形的电位差。如AE公司采用的Arc Synch技术，CEX是多数射频电源的功能之一，它。有了电弧同步,当感测到电弧时,

原创 等离子体技术【八】--RPS远程等离子蚀刻机台

远程等离子源(装备)利用电磁振荡输能和高压点火，在具有特殊结构的腔体内产生并维持特定密度的各种半导体、芯片制造过程中所需等离子(例如氟离子，氢离子，氧离子等)，实现芯片制造过程中深层清理，精密刻蚀。由于远程等离子清洗方式是在等离子发生器与芯片制程室分离的状态下，间接生成等离子，因此在不损伤腔体的同时能够实现快速清洗，即实现等!远程等离子源也称为远程高密度等离子发生器，它是半导体、芯片制造过程中的核心装备。

原创 等离子体技术【七】--等离子体功率测量

摘自：《等离子体放电原理与材料处理》Chapter 11.8.2。

原创 等离子体技术【六】--双频/复频射频电源

摘自：《等离子体放电原理与材料处理》

原创 等离子体技术【五】--电容耦合射频放电CCP

摘自《等离子体放电原理与材料处理》1.3.1 摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.1

原创 等离子体技术【四】--鞘层

有当到达绝缘器壁的电子流等于离子流时，达到准稳状态，这时器壁的电位约为粒子的动能的量级。摘自：《等离子体放电原理与材料处理》，Chapter 1。等离子体鞘层是指等离子体与器壁或电极接触时，在。由于电子跑向器壁的速率比离子大得多，使。

原创 等离子体技术【三】--放电与频率的关系

答：采用射频技术在基片上沉积绝缘薄膜的原理为：将负电位加在置于绝缘靶材背面的导体上，在辉光放电的等离子体中，正离子向导体板加速飞行，轰击其前置的绝缘靶材使其溅射。此时如果倒转电源的极性，即导体板上加正电位.电子就会向导困板加速飞行，进而轰击绝缘靶材，这时，再倒转电源极性，能产生10-7s时间的对绝缘靶材的溅射。如果持续进行下去，每倒转两次电源极性，就能产生10-7s的溅射。，在靶极和基体之间射频等离子体中的正离子和电子交替轰击绝缘靶而产生溅射，才能满足正常薄膜沉积的需要。

转载 等离子体技术【二】--刻蚀方式分类

这种结构即鞘层，鞘层可认为前面所说的电容器，因为电容器处于放电环境中，表面有电荷积累，就形成了一个电场，一个电场必然对应一个电压，因为电容器周围达到的电荷积累动态平衡，故这个电场，电压为动态的静电场，即直流电场和直流电压，故VDC形成。由于每种气体在原子分子物理学中有各自的能级结构，故高能电子可以将气体激发到不同的能级上，当气体分子、原子从高能级向低能级回迁时将会辐射出不同能量的光子，不同能量的光子代表了不同的波长，通过分析光谱我们可以有效地分析等离子体的刻蚀过程。容性耦合等离子体源典型的腔室结构如下图。

转载 等离子体技术【一】--脉冲技术

干法刻蚀，等离子体损伤，脉冲等离子体1.引言伴随着摩尔定律的发展，半导体芯片的晶圆尺寸越来大，,刻蚀的线宽也逐步缩小。随着线宽的逐步降低，等离子体刻蚀过程导致的损伤问题日益突出。这使得等离子体刻蚀过程需要满足如下要求：对衬底无损伤、更好的均匀性、更高的选择比、更好的各向异性和更高的产出等。为了满足这些需求，人们积极研究一些新材料用于下一代集成电路，也同时促使工业界及学术界不断设计及研究适用于下一代的等离子体刻蚀技术，使等离子体源具有更多的调节手段、更宽的工艺窗口。