ROM简介
ROM是Read Only Memory的缩写,被称作“只读存储器”。
ROM所存数据一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不可以改写。因此ROM内的数据很稳定,ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。
应用:计算机中的ROM主要是用来存储一些系统信息,或者启动程序BIOS程序,这些程序都是非常重要的,只可以读一般不能修改,断电也不会消失 。
ROM分类
PROM:是可编程的ROM,PROM是一次性的,在软件写入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经很少使用了。
EPROM:是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。
EEPROM:是通过电子擦除原先的程序,价格很高,写入速度很慢。
ARM简介
ARM是random access memory的缩写,被称作“随机存储器”。
ARM是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。
ARM的分类
SRAM静态随机存储器:运行速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。
DRAM动态随机存储器:保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。
Flash简介
Flash是Flash Memory的缩写,被称作“快闪存储器” 简称“闪存”。
它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。
发展:在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
Flash的分类
NOR Flash:NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NOR Flash可以像内存一样快速读取数据,但是不能像内存一样直接写数据,写数据前需要先擦除。
NADN Flash:NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码(BootLoader)。
Flash的应用策略
小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息。
大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。
NAND Flash和NOR Flash的比较
启动方式不同:开发板上电启动时,
NAND Flash会先把NAND Flash中前4K内容自动拷贝到片内内存(SRAM)中去,然后CPU从SRAM的0地址开始执行程序。
NOR Flash在启动时直接从0地址开始运行,CPU从NOR Flash的0地址开始执行程序。
接口差别:
NAND Flash是串行接口,通过8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,所以基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
运行速度不同:
NOR的读速度比NAND稍快一些( NOR flash带有SRAM接口);
NAND的写入速度比NOR快很多( 写前要先擦除, NAND擦除时间短);
NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快;
NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
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