一种简单的电荷泵驱动NMOS管电路

1.前言

博主准备DIY一个低成本T12的烙铁，在选用MOS的时候比较纠结，T12内阻为8欧姆，工作电压为24V，即72W，博主手上刚好没有这么满足功率的PMOS，而刚好有大功率NMOS管，但是我们知道MOS管用作开关电路时，PMOS一般用于上管驱动，NMOS一般用于下管驱动，如图

这样设计可以保证PMOS和NMOS都可以完全导通，而在项目实际过程中，驱动T12烙铁头我们更希望使用上管驱动，这样做的好处就是设备在截至时高压区会断开，不会因为误触导致的异常导通，同时因为T12是加热测温一体的，接地端保持直通有利于采集热电偶的电压。
因此，博主项目中既要采用NMOS管，也要采用上管驱动，这就涉及NMOS的导通条件。NMOS的导通条件胃药为VGS>VGS(th)，这个VGS(th)一般数据手册会有提供，一般范围为2-4V，因此我们分析电路

当MOS管导通的时候，VDS的电压通常为0.3V，也就是VS = VCC-0.3V，这个时候VG需要达到VS+3V才能使得MOS管完全导通，因此通常VD的电压是没办法使得NMOS导通的。通常的办法是将VG的电压提升到一定程度来驱动NMOS管。

2.简单的升压办法-电荷泵

通常我们有几种办法可以使得电压抬升，最可靠的办法就是采用升压芯片，将电压升至需要的电压，再驱动NMOS管。这确实是比较靠谱的办法，唯一的缺点就是元件比较多，成本比较贵，而且通常升压效率比较低，而接下来要介绍的电荷泵，仅需要电容、二极管、电阻和三极管就可以实现升压效果，而且效率比较高，基本没损耗。直接上原理图

这里的PWM是使用了单片机产生的，也可以使用NE555产生，主要原理就是利用C7，把负极电压抬升，从而实现正极电压抬升的效果，但是这里只能产生1KHZ的PWM波形，利用后面的C1和D2进行滤波，注意C1尽量选大一点，需要再一个周期内电荷消耗占比较小，不然输出的纹波就会很大。这里到了C1就可以输出接近48V的电压了，之所以接近是因为二极管有压降。后面R15、R16的作用主要是后级使用了三级管做PWM电平转换，三极管耐压只能到40V，因此用电阻分压到30V，也可以使得NMOS完全导通了。仿真结果如下

结论

电荷泵从原理上就可以发现，仅适用于低电流的信号电平放大，并不适合高功率场合。
该博文主要用于记录平时的发现，如有不证，可以在评论区回复，我会及时纠正。