三星NANDflash的一些知识

现在flash芯片容量越来越大，三星疯了一样的过段时间就宣布一次容量又翻倍。虽然很多东西还有些一知半解，但还是做个记录。

flash是利用浮动门来存储信息的，类似于MOSFET，但是多一个gate，周围用绝缘体包着，所以电荷进去了就呆在那里了。这样的一个部分叫做一个cell，对于SLC，Single Level Cell(好像是这个的简写)，一个cell存储一个bit。由于多的那个gate里电荷不同，存储0和存储1的单元在读取信息的时候电流的表现是不一样的，有个传感器可以感应到这种不同，从而判别这一位bit是0还是1。

后来又发明了MLC，好像是Multiple Level Cell，就是在一个cell里存储两个bit。这样传感器就要判断一个模拟量来分辨两位，而不仅仅是0还是1。

AMD下面有个叫spansion的公司，报道说能在一个cell里存储4个bit，不过好像要07年才能量产，好像这种技术叫mirror-bit，记不清。

还有一种方法增加flash容量，三星等公司有这样的芯片，就是利用芯片层叠技术，在一个flash芯片中放2个或者4个容量低的die。

比如三星的K9WAG08U1A由两块K9K8G08U0A die组成， K9NBG08U5A由四块K9K8G08U0A die组成，而K9K8G08U0A是1Gbit*8的，所以K9WAG08U1A就是2Gb*8，而 K9NBG08U5A就是4Gb*8，相应的 K9NBG08U5A有4个CEn和4个R/Bn，可以进行interleave program。

Intel的SD74系列容量都是SS72系列的一倍，原因同上，就是一个chip里面包含了两个die。

die的概念和芯片的概念基本上是等同的，die是没有封装的，裸的芯片。