半导体材料学习笔记

目录

第一章绪论

第二章半导体材料简介

第三章  半导体材料制备理论基础

第四章  半导体材料制备技术

第五章  半导体材料的测试分析

第一章绪论

1.摩尔定律，半导体材料定义；

答：Moore’s Law：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

半导体材料：定义一：依据材料导电能力的高低来区分导体、半导体、绝缘体，把电阻率介于金属和绝缘体之间的材料定义为半导体。

定义二：在绝对零度无任何导电能力；但其导电性随温度升高呈总体上升趋势，且对光照等外部条件和材料的纯度与结构完整性等内部条件十分敏感。

2.半导体材料的分类；

3.半导体材料的电学特性参数。

 第二章半导体材料简介

1.金刚石、C60、碳纳米管的性质、用途; 石墨烯的特性；锗、硅的性质、应用；

答：① 金刚石 

• 自然界硬度最高、最耐磨的材料；

• 间接禁带；

• 可见光折射率高、吸收系数低；

• 纯净的金刚石化学性质稳定，耐酸、碱腐蚀，高温下也不与浓氢氟酸、硝酸等反应。可在碳酸钠、硝酸钠、硝酸钾的熔体中被腐蚀；

• 纯净金刚石电阻率很高，掺杂后可降低。

• 禁带宽：5.5eV，是硅的5倍

• 热导率高：24W/（cm.K），是硅的16倍

• 临界击穿电场强度高：10MV/cm，是硅的33倍

• 载流子饱和速度大:，是硅的2.32倍

• 相对介电常数低：5.5 ，是硅的0.47倍

用途：目前常作为GaN、Ga2O3器件及电路的热沉使用

② C60基本特性：

a) 直接跃迁型

b) 禁带较宽，Eg在1.7∼2.3eV

c) PL实验表明C60薄膜有一定强度的室温光荧光；

d) 通过选择掺杂改变其能带结构，可进一步改善其发光特性；

e) 掺有一定量钾或铷等碱金属原子的C60具有超导性质；

f) 常温高压下能发生向金刚石转变的结构相变。

C60的应用：

• 光电池、光探测、光通信等（直接禁带，Eg = 1.7∼2.3eV）

• 发光与显示（室温光荧光，直接禁带）

• 超导应用（掺钾或铷有超导性质）

• 用于制备金刚石（能向金刚石结构发生相变）

③ 碳纳米管（CNT） ：

呈半导体特性的CNT结构：

•螺旋矢量参数n-m=3K时呈半导体特性；

•n-m≠3K时呈金属特性

CNT的基本性质：

• 碳纳米管具有良好的力学性能，抗拉强度是钢的100倍,密度却只有钢的1/6，硬度与金刚石相当，却拥有良好的柔韧性。

• 碳纳米管具有良好的传热性能，具有非常大的长径比，沿着长度方向的热交换性能很高，垂直方向的热交换性能较低，通过合适的取向，可以合成高各向异性的热传导材料。

• 碳纳米管具有良好的导电性能。化学键完整，圆柱形结构可克服边界散射，导电自由通道长。金属性的单壁碳纳米管能够承受电流密度超过109A/cm2。

CNT的应用： 

 • 因碳纳米管可制作PN结，故可用来制造二极管、晶体管等电子器件；

 • 具有纳米尺度曲率半径的尖端，能在很低电压下发射出大量电子，具 有良好的场致发射性能，是场发射平板显示器、气体放电灯和荧光灯、X-射线管和微波发生器等器件的理想阴极材料；

 • 具有很高的比表面积（单位质量物质的表面积）和良好的导电性，是制造超级电容器的理想材料；

 • 生物相容性优，能够通过蛋白质功能基团修饰实现生物传感与检测。

④ 石墨烯特性：

• 电学方面： 导电性能优异，电导率可与铜媲美。迁移率约为硅中电子迁移率的100 倍；

• 力学方面: 石墨烯强度高,理想石墨烯的强度约为普通钢的100 倍，是金属薄膜材料中最软的一种，重量轻。

• 光学方面： 单层石墨烯可吸收2. 3% 的可见光和红外光, 且与波长无关，高度透明特性。

• 热学方面： 石墨烯的热导率是室温下铜的热导率的10倍多。

• 具有超高比表面积。

• 优异的吸附材料

石墨烯的应用：

• 代替硅生产超级计算机。成为下一代超高频率晶体管的基础材料而广泛应用于高性能集成电路和新型纳米电子器件中，构成的全碳电路；

• 光子传感器；

• 太阳能电池和液晶显示屏；

• 超级电容器。

硅：

• 能够直接氧化生成SiO2

• 有效地掩蔽大多数杂质的扩散，使器件的几何 图形得到精确的控制。

• 解决表面的钝化问题，易使器件 特性获得良好的重复性和稳定性。

• 高质量MOS结构

应用： n

单晶硅：集成电路、分立器件、太阳能电池；

多晶硅：太阳能电池；薄膜晶体管；MOSFET栅极等; n

非晶硅：柔性太阳能电池；薄膜晶体管等。

锗：

锗的μ高（3900；1800）且在某些重掺情况下对红外高度敏感（0.66），

在高频小功率晶体管以及中、 远红外探测器和遥测温度计等方面维持着有限的应用。工作在3～5微米和8～14微米波段的掺金锗光电二极管和掺Hg锗光电二极管。 Ge的最新应用－Si1-xGex

2.SiC的特性、用途；

特性：1）热导率高；2）能直接生长二氧化硅层；

3）常温下SiC存在杂质不完全离化现象；4）无法使用扩散工艺实现掺杂。

电力电子器件（功率半导体器件）、高温集成电路、日盲探测器、抗辐照器件等。4H-SiC最适合制造电力电子器件与高温集成电路。

3.III-V族化合物半导体的结构特点、性质、应用；砷化镓材料的特点、应用；具有负微分迁移率效应半导体材料的特点；

随着原子序数的减小：

禁带宽度呈增大趋势,相对介电常数呈缩小趋势，熔点整体呈上升趋势，热导率呈增大趋势。

规律内因：两种元素的电负性差越大，离子键成分比例越高，晶体极性越强。

砷化镓（GaAs） Ø

结构：闪锌矿结构

特性：