多层陶瓷MLCC陶瓷电容物理设计方法

利用LTCC技术将集总或半集总元器件在一个非常小封装空间中实现，在器件逐渐向小型化发展的过程中主要是利用LTCC三维封装的优点对无源器件进行多层内埋式的设计。

产品小型化的过程就是器件封装尺寸不断集成压缩的过程，在大规模射频集成电路模块中，有源器件采用微波单片集成电路，达到了最小的封装空间，而LTCC无源器件如电感、电容、双工器、滤波器等功能模块可以内埋在基板三维空间，有效利用基板从而使整个功能模块组件体积减小。因此对LTCC无源器件设计和应用将是在极大程度上促进小型化发展。

本篇将介绍基于多层陶瓷技术来设计多层陶瓷电容的方法，MLCC目前已广泛应用在各个领域，包括手机、安防、汽车电子、服务器等芯片领域。

电容是在无源元件中除电感外另一个非常重要的元件，在目前LTCC内埋电容元件设计上，主要有金属-绝缘体-金属（MIM ，Mental-Insulator-Mental）和垂直交叉电容（VIC， Vertically-Interdigitated-Capacitor）两种结构，如下图所示。利用LTCC工艺多层化、立体化的优点实现VIC结构的多层交叉结构电容。VIC电容的结构如下右图所示，它实际上就是利用银浆电极的上平面和下平面做不同分电容的电极，这些分电容并联来实现一个大电容的。一般来说n个电容平板其实是形成了n-1个电容的并联。

使用软件对电容进行仿真时，电容值的散射参数的表达式为：

                     

在对VIC电容进行等效电路分析时，采用了单PI型等效电路结构，如图。    

其中L为等效串联电感，作为电容端口的寄生电感，R为寄生在器件内部的损耗电阻，C1、C2表示平行金属板对地寄生电容。内埋电容由于电容和寄生电感串联形式在一定频率下形成谐振腔，限定电容性的工作频率范围，其中L和Ceff构成该电路模型中的串联谐振频率。

仿真按如下结构进行建模仿真， 不采用通孔来实现电容极板的连接，而是采取电容极板错位的方法，在电容加工过程中裁切后将极板露在元件的两侧面，通过封端工艺实现电容极板的互连。

电容极板长1.5mm，宽0.9mm，使用不同介电常数分别为3.8，7.8，14相同结构的电容进行仿真，仿真结果如图所示。

   

由图可以看出电容的电容量随着频率的增大而增大；电容的第一自谐振点的频率随着介电常数的增大而减小。然后分别提出电容在1GHz、2GHz、3GHz、4GHz频率下电容与介电常数的变化如图，可以看出在不同频率下电容量随相对介电常数呈正比例变化，当接近自谐振频率时出现偏差。

接下来对不同的极板面积和膜片厚度的电容电容量变化，在不同频率点下提取如图所示仿真结果。

      

由图可以看出随着极板面积的增大电容量呈线性增大。随着膜片厚度的增大电容的电容量呈线性减小。电容量基本满足下式：