高密度系统级封装中的信号与电源完整性挑战

    便携式电子设备、物联网和5G技术持续推动对小型化、高性能和高可靠性设备的需求。尽管这一趋势并非新现象，但多年来已有多种针对性解决方案。在摩尔定律的鼎盛时期，集成电路（IC）的尺寸大约每两年缩小一倍，催生了将完整模块化系统集成到单一IC的片上系统（SoC）。尽管SoC如今广泛应用于众多领域，但随着摩尔定律放缓以及数字、射频、光学和MEMS组件集成到单一IC带来的复杂工艺，SoC面临诸多扩展和性能问题。在航空航天等特定市场，尽管对小尺寸高性能系统的需求旺盛，但低产量可能难以支撑SoC解决方案的高昂研发与制造成本。  

现代晶体管密度虽达到历史峰值，但仍逐渐偏离摩尔定律。例如，苹果A14移动处理器在88 mm²的面积内集成了118亿个晶体管（约1.34亿个/mm²），但其密度仍低于5纳米节点的预测值。封装和系统设计的创新日益重要，以应对“摩尔压力”。  

数十年前，模块化方法通过将多个分立元件组合成微型系统（即多芯片模块MCM）来模拟SoC特性。基于此理念的创新催生了系统级封装（SiP）和系统级封装（SoP）等先进封装技术，为解决“摩尔压力”提供了可行方案。SiP将多个可能异质的芯片集成到单一封装中，并承担互连功能，而SoP进一步将无源元件嵌入封装基板，实现更完整的系统功能。  

然而，随着系统复杂性和密度的提升，信号、电源和热完整性问题愈发突出。高速信号带来的电磁干扰（EMI）、串扰以及电源网络阻抗问题需要精细设计来应对。      

先进封装技术对比  

传统封装技术（如MCM和SoC）主要采用二维（2D）集成方式，而SiP和SoP通过三维（3D）堆叠进一步提升了集成度。表1对比了主要先进封装技术的优缺点。  

表1. 电子封装技术对比  

多芯片模块（MCM）  

MCM的创新主要由航空航天需求驱动，其将分立元件集成到陶瓷（MCM-C）、薄膜（MCM-D）或层压（MCM-L）基板上。MCM-C因其高电容和电源支持能力被广泛采用，而MCM-D通过光刻技术实现更高密度互连。MCM-L则使用FR-4等PCB材料，成本最低。近年来，低温共烧陶瓷（LTCC）和有机薄膜MCM在射频和毫米波应用中备受青睐。      

片上系统（SoC）  

SoC将多种功能集成到单一芯片，具有小尺寸、低功耗等优势。但随着系统复杂度提升，混合射频、模拟和数字电路的工艺挑战加剧，且集成高Q值无源元件难度大。此外，部分功能模块的低良率可能导致整片芯片报废。  

系统级封装（SiP）  

SiP支持2D或3D布局，常用TSV、倒装芯片等技术实现高密度互连。其优势在于可集成异质芯片（如HBM内存与ASIC），并通过扇出型晶圆级封装（WLP）或重分布层（RDL）降低成本。SiP可视为标准化封装IC，简化了组装流程。  

系统级封装（SoP）  

SoP在SiP基础上进一步集成薄膜无源元件，将PCB功能压缩到单一封装内，减少信号路径损耗，尤其适用于射频应用。尽管复杂度高，但5G毫米波频段的应用推动了SoP的复兴，例如基于LTCC技术的紧凑射频模块。  

信号与电源完整性问题  

反射      

信号在传输路径中遇到阻抗突变时会产生反射，反射系数由负载阻抗（ZL）与传输线特征阻抗（Z0）的差异决定：  

通过端接技术（如串联、并联或双端接）可有效抑制反射。  

串扰  

高速信号通过互感和互容耦合到相邻线路（受害线），产生近端串扰（NEXT）和远端串扰（FEXT）。其电压变化由下式描述：  

传输线设计中，需通过合理布局减少耦合。      

电源分配网络（PDN）  

PDN需在宽频段内保持低阻抗，以应对瞬时电流波动（如同时开关噪声SSN）。电压跌落公式为：  

采用去耦电容、优化电源平面设计以及嵌入式TSV电容（TSV-Cap）可改善PDN性能。  

SoP设计挑战  

信号完整性  

SoP通过缩短互连路径（如TSV）和集成薄膜无源元件减少信号损耗。关键信号路径（如时钟树）需通过仿真验证。脉冲整形技术可通过降低信号边沿速率减少EMI。  

电源完整性  

采用多层去耦电容（体电容、局部电容、嵌入式电容等）覆盖不同频段，并优化TSV-Cap结构以降低高频阻抗。需考虑电容的等效串联电阻（ESR）和电感（ESL）的影响。      

热管理  

3D堆叠导致热集中，需通过热仿真优化布局。例如，逻辑-内存堆叠中采用银（Ag）导热通道或高导热环氧模塑料（EMC）提升散热效率。纳米流体冷却等新技术也展现出潜力。  

结论  

系统级封装（SoP）为应对小型化和高性能需求提供了有效方案，但需通过精细设计解决信号、电源和热完整性挑战。未来，随着5G和物联网的发展，SoP技术将进一步推动电子系统创新。