nmos和pmos 高端驱动的区别

最新推荐文章于 2024-08-23 11:03:20 发布
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为什么高端驱动时选用PMOS？
PMOS的特性为Vgs小于一定值时DS导通，NMOS的特性为Vgs大于一定值时DS导通。
假设pmos管导通电压为Vgs=-3V，负载工作电压为12V，Vds=-12V，当mos管导通后，Vg=0V，Vgs–12V，Vds=0V。可正常工作
假设nmos导通电压Vgs=3V，负载工作电压12V，Vds=12V，当mos管导通的瞬间，Vs=0，Vg=3V，导通后，Vd=Vs>0V ，Vgs<3V ，此时mos管无法导通了。这就要求用nmos做高端驱动的应用中，Vg要高于Vd，对电压要求较高。
附上高端驱动和低端驱动示意图：
在这里插入图片描述
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NMOS和PMOS详解以及电路设计
硬件之家，技术前行
04-25 12万+
一、简介 MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。 二、常见的nmos和pmos的原理与区别 NMOS NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semicond...
nmos高端驱动自举电路
07-14
一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。 （2） 当V1输入低电平时，Q1、Q4截止，B通道输出低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路（栅极电压通过Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压接近0V，即D通道输出低电平。 图2 电容自举驱动NMOS电路仿真 二、MOSFET驱动电路 图3 MOSFET驱动电路 （1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2截止，VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7截止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路，Q5截止； （2） 当V1=V2=0
硬件系统工程师宝典（27）-----MOSFET、BJT搭配，干活不累
diudiulala的博客
05-31 3982
1.NMOS高端驱动：MOS管可以用来控制电源的上电时序，使一端从另一端获得电流。当电路中电流很大时，由于同性能的NMOS导通电阻小于PMOS，因此驱动电路一般采用NMOS，应用时需要确保栅极驱动电压高于源极电压。2.NMOS低端驱动：NMOS用于低端驱动时，NMOS的源极接地，只要在栅极加载一定驱动电压，就可以驱动NMOS的漏极和源极导通了。3.PMOS高端驱动：PMOS用于高端驱动时，源极接外接电源，漏极接后续负载，控制栅极电位为低电平时，PMOS导通，PMOS具有较大的导通电阻，价格比NMOS贵。
NMOS管
最新发布
Freesial_的博客
08-23 873
4、一般的MOS管DS极之间会自带一个肖特基二极管 MOS由于自身结构会有一个寄生二极管，有的厂家生产时会故意把这个二极管做大，增强MOS的性能。状态2： 单片机输出高电平，Q22导通，A点为低电平， 电流方向如图所示，Q20截至，Q23导通，B为低电平 MOS关断，电机的自感电流流过D7。状态1： 单片机输出低电平，Q22截至，A点为高电平， 电流方向如图所示，Q20导通，Q23截至，B为高电平 MOS导通，电机转动。Q22的作用：电平变换，把单片机的0V/5V电平变为12V/0V电平。
NMOS高端驱动
sinat_34492935的博客
01-22 4177
一直以为高端驱动的场合用PMOS，低端驱动用NMOS，其实不是这样的 关于高端驱动NMOS的理解： 首先高端驱动和低端驱动： http://www.kiaic.com/article/detail/2319.html 高端驱动NMOS应用相关： https://www.amobbs.com/thread-5738737-1-1.html ...
分立NMOS管高端驱动
qq_34404284的博客
03-03 2958
NMOS高端自举驱动，使用开关对管Q1、Q2通过基极电压驱动控制电容C1自举，具有互锁能力。Q1、Q2选材极为方便，电路静态及动态工作点稳定。
高低端驱动：NMOS和PMOS谁更胜一筹？
weixin_54696253的博客
09-25 1611
当涉及到使用NMOS和PMOS进行高端驱动时，我们可以考虑一个简单的情况：使用MOSFET来控制一个LED的开关。
NMOS和PMOS区别
weixin_30649859的博客
05-06 3120
在很多电路途中会出现NMOS和PMOS管，因为不是中文那么直接，都说管压降之类的，但其实它的导通很重要以及区别，关系到你点亮电子元件》 参考： 1.https://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9124855 2.http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=108410&TID=2 3.ht...
分立元件搭建自举电路解析-高端mos驱动
Cuxiaoweiba的博客
02-21 1万+
分立元件搭建自举电路-高端mos驱动高端MOS为什么要自举电路自举电容功能快捷键合理的创建标题，有助于目录的生成如何改变文本的样式插入链接与图片如何插入一段漂亮的代码片生成一个适合你的列表创建一个表格设定内容居中、居左、居右SmartyPants创建一个自定义列表如何创建一个注脚注释也是必不可少的KaTeX数学公式新的甘特图功能，丰富你的文章UML 图表FLowchart流程图导出与导入导出导入 高端MOS为什么要自举电路 众所周知MOS是电压型驱动，只有G极比S极高一个开启电压Vth之后，MOS才会导通（
NMOS和PMOS有什么区别
07-14
尽管PMOS晶体管方便用作高端驱动，但由于其导通电阻相对较大，价格较贵，替代种类较少，因此在大多数情况下，高端驱动仍偏好使用NMOS晶体管。 导通电阻是MOS管的重要特性，它的大小决定了晶体管导通时的损耗。MOS管...
高端MOSFET的驱动技术
11-07
本文主要目的是祥述在应用高压门极驱动芯片驱动半桥时所可能遇到的最常见的问题及对策， 应用实例是电机驱动。
浅谈MOS管的高端驱动和低端驱动
01-20
低端驱动：MOS管相对于负载在电势的低端，其中D通过负载接电源，S直接接地。对于NMOS，只有当Vgs大于...高端驱动：MOS管相对于负载在电势的高端，其中D直接连接电源，S通过负载接地。对于NMOS，只有当Vgs大于开启电压
NMOS和PMOS的使用总结
Ezreal_0318的博客
02-01 1928
MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作,同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。 1.导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时...
DCDC 高端 NMOS 的自举秘诀
m0_63909752的博客
12-12 3712
开关电源作为电子产品的“心脏”，发挥着提供动力的作用。今天让我们一起来认识下有效导通关断NMOS管的“窍门”。 NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VS-VG>VTH。故一般把NMOS作为下管，S极接地，只要给G极一定电压即可控制其导通关断；把PMOS作为上管，S极接VIN，G极给个低电压即可导通。当然NMOS管也可作为上管，但需要增加自举驱动电路。 对于一
MPS DCDC 高端 NMOS 的自举秘诀
m0_63909752的博客
12-05 1101
开关电源作为电子产品的“心脏”，发挥着提供动力的作用。今天让我们一起来认识下有效导通关断NMOS管的“窍门”。 NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VS-VG>VTH。故一般把NMOS作为下管，S极接地，只要给G极一定电压即可控制其导通关断；把PMOS作为上管，S极接VIN，G极给个低电压即可导通。当然NMOS管也可作为上管，但需要增加自举驱动电路。 对于一些拓扑，
nmos高边开关电路仿真与设计
qq_45464808的博客
06-09 1056
以前学习电力电子的时候，经常听他们讲双管反激电路难点在于高边nmos的开关问题。当时我模电基础很烂，对这个问题我并没有太深刻的体会。最近使用mos做电源开关的时候因为手上没有pmos了，但是又要做高端开关。于是开始仿真（踩坑）。以下经历希望对各位读者有帮助。
MOS做电源开关的电路，NMOS、PMOS高侧低侧驱动大全解，电容浮栅自举电路，泄放电阻的作用，MOS选型参数分析
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Mark_md的博客
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随着对器件的控制需求提升，越来越多的电源开关电路出现在设计中。这些设计的目的各有不同：有的需要快速开通与关断，有的需要低导通电阻+大电流，有的需要闲时0功耗。虽然应用场合不同，但这都是MOS适用的强项。下面来介绍几种产品设计中常用的NMOS的电源开关电路。 1、NMOS做电源开关（低端驱动，最简单） 由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS，所以设计中尽量优先选择NMOS。 下图为使用NMOS，最简单的开关电路。（低端驱
pmos低电平驱动_MOS管的低端驱动和高端驱动
weixin_42113794的博客
12-31 1806
低端功率开关驱动电路的工作原理低端功率开关驱动的原理非常简单，就是负载一端直接和电源正端相连，另外一端直接和开关管相连，正常情况下，没有控制信号的时候，开关管不导通，负载中没有电流流过，即负载处于断电状态；反之，如果控制信号有效的时候，打开开关管，于是电流从电源正端经过负载，然后经过功率开关流出，负载进入通电状态，从而产生响应的动作。基本的驱动原理图如图所示。一般现在采用的开关功率管为N型MOSF...
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