DRAM

 

DRAM

　　

  

3管动态RAM基本存储电路

简介

　　DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态 随机存取存储器最为常见的 系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果 存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）

工作原理

　　动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的。

　　3管动态RAM的工作原理

  

DRAM数据线

3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

　　写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。让我们看一下动态效果

　　读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反；若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的 电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相在送往 数据总线。

结构

　　在半导体科技极为发达的台湾， 内存和显存被统称为 记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。

　　DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个 晶体管加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的 刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。

发展过程

　　“上古”时代的FP/EDO内存，由于 半导体工艺的限制，频率只有25MHz/50MHz，自SDR以后频率从66MHz一路飙升至133MHz，终于遇到了难以逾越的障碍。此后所诞生的DDR1/2/3系列，它们存储单元官方频率（JEDEC制定）始终在100MHz-200MHz之间徘徊，非官方（超频）频率也顶多在250MHz左右，很难突破300MHz。事实上高频内存的出错率很高、稳定性也得不到保证，除了超频跑简单测试外并无实际应用价值。

　　既然存储单元的频率（简称内核频率，也就是电容的刷新频率）不能无限提升，那么就只有在I/O（输入输出）方面做文章，通过改进I/O单元，这就诞生了DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的内存种类

　　 在其他领域的应用

　　1. DRAM Controller Status Register (Address: 0x7E001000)

　　DRAM状态寄存器，这是一个RO寄存器，用于读取DRAM的状态。

　　

  

^[1]

实际上，读到的有用信息就是Controller Status和Memory width。

　　2. DRAM Controller Command Register (Address: 0x7E001004)

　　DRAM命令寄存器，设置DRAM的 工作状态。

　　最开始应该配置为0x4，是处于Configure状态。在配置完所有的DRAM之后，将该寄存器设置为0x0，处于运行状态。

　　3. Direct Command Register (Address: 0x7E001008)

　　DRAM命令寄存器，用于发送命令到DRAM和访问DRAM中的MRS和EMRS寄存器。

　　通过该寄存器初始化DRAM，先设置为NOP模式，然后设置为PrechargeAll进行充电，然后设置EMRS和MRS寄存器，一般是这么一个流程。具体的要参见你所使用的DRAM的datasheet。

　　4. Memory Configuration Register (Address: 0x7E00100C)

　　DRAM的配置寄存器，这个与需要参照你所使用的DRAM的datasheet。

　　该寄存器肯定是要配的，看看DRAM的datasheet就知道了。