DRAM（动态）存储器

 

一、DRAM的存储元电路
常见的DRAM存储元电路有四管式和单管式两种，它们的共同特点是靠电容存储电荷的原理来存储信息。电容上存有足够多的电荷表示“1”，电容上无电荷表示“0”。 由于电容存储的电荷会逐渐泄漏，即使电源不掉电，信息也会很快消失，应用中需要定时恢复存储的电荷。与SRAM相比，DRAM具有集成度高，功耗低等特点，目前被广泛应用于各类计算机中。

四管DRAM存储元

二、

刷新操作：由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，时间久了，信息就会丢失。为此，必须设法由外界按一定规律不断给栅极进行充电，补足栅极的信息电荷，这就是所谓“再生”或“刷新”。
设原存信息为“1”，T1管截止，T2管导通。若经过一段时间，T2管栅极上漏失一部分信息电荷，使A端的电压稍小于存“1”时的满值电压。此时，在字选择线上加脉冲，T5、T6开启，A端与位线D相连，从而充电到满值电压，刷新了原存“1”的信息。因此，定时给全部存储单元电路执行一遍读操作，就可以实现信息再生。

三、单管DRAM存储元

为提高芯片的存储密度，现在动态RAM芯片中一般采用图4-9所示的单管动态存储元电路，其中T1管为字选控制管，字选线有效（高电位）使其导通。
读操作：