RAM学习笔记2-DRAM

1.动态随机存取内存（DRAM）

SRAM的基本存储位元由6个mos管组成，所用的管子多，功耗大，使得容量受到限制。DRAM则克服了这些缺点。DRAM的基本存储位元有两种形式：单管存储单元和三管存储单元。

1.1 单管存储单元

单管存储单元由一个MOS管和一个容量较小的电容器组成，它利用电容的电荷存储效应来存储数据，当电容有电荷，呈现高电压时，相当于是1，反之电容没有电荷时相当于0。图中虚线部分即为一个单管存储单元。当字线被选中时，T管导通，就能在位线上决定读取还是写入。但是由于MOS管存在漏电流且电容器容量很小，电容上存储的电荷只能短暂存在，所以必须定期补充电荷，以防数据丢失。

写操作时，RW端为0，输入三态缓冲器导通，同时位选线为1，MOS管导通，如果输入数据为1则给电容充电，数据为0则不充电。由于写操作会写入数据而进行充电，所以可以视为一种刷新。
读操作时，RW端为1，输出三态缓冲器导通，同时位选线为1，MOS管导通，如果电容器上的数据为1则读1，电容器上的数据为0则读0。但是由于读出时会消耗电容中的电荷，故每次读后必须对读出单元刷新。此时刷新控制器R为高电平，则由输出缓冲器上的数据通过刷新缓冲器对电容状态进行刷新保持（这种刷新仅针对在操作的存储单元，是读操作的一部分）。从开始读操作到读出状态叫访问时间，从开始读操作到重新写入状态叫读周期。
除了读、写操作，还需要再其他时间对存储单元进行状态刷新，防止电容漏电数据丢失。这种操作与读操作类似，对存储单元进行状态刷新，但列选线此时为0，所以只会对整行刷新，不会将数据输出。

下图是DRAM的基本结构，采用的是双译码方式（因为容量较大）。
读写操作时，RAS和CAS线依次变为低电平，将极值送入地址锁存器。读操作时，输出使能E为低电平，RW为1；写操作时，RW为0。
页操作模式是一种特殊操作模式，这种操作模式中RAS始终为1,CAS变低电平，保持高位地址不变，只改变低位地址，可以显著提高读写速度。
刷新操作时，由刷新控制及定时电路及刷新计数器依次输出行地址，多路器也选通刷新计数器，对存储阵列每行依次刷新。

现在我们来思考应该在什么时候进行刷新。对存有电荷的电容器，所存储的信息不发生变化的时间成为刷新间隔。显然，在刷新间隔内，必须对每一行进行刷新，以保证数据不丢失。
现假设有一个128x128x1bit的存储阵列，刷新间隔为2ms。

1.1.1 集中刷新

在这种刷新方式中，仅在刷新间隔的最后对每一行进行刷新，但是在这段时间内不能使用存储器，存在一段死区。

1.1.2分散刷新

在这种刷新方式中，每次读、写操作后，都按顺序对一行进行刷新。虽然这样不会存在长时间的死区时间，但是每次读写都要等前一次刷新结束，降低了速度；且在2ms的刷新间隔内，本来仅需128次刷新，但这种刷新方式可能会有过多的时间用在刷新上，进行无意义的重复刷新。

1.1.3 异步刷新

这种刷新方式结合了前两种的优点，将128次刷新均匀分布于刷新间隔内，其余时间均可读写，也是现如今较多采用的一种刷新方式。

1.2 三管存储单元

链接: 郭天祥.DRAM动态随机存取存储器-随机存储器
（文字不好描述，偷个懒）

2 同步动态随机存取器(SDRAM)

同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步，具体实现原理与SSRAM类似。

我们很熟悉的DDR（双倍数据传输率，Double Data Rate）DRAM是在此基础上进行了改进，能在每个时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据。
QDR（四倍数据传输率，Qual Data Rate）DRAM则更加优良，给读写操作提供了不同的接口，使读写能同时进行，进一步提高了传输速率。