磁场强度H和磁感应强度B，磁化强度M和磁极化强度J

磁场强度H、磁感应强度B、磁化强度M和磁极化强度J是四个非常重要的磁学基本概念，他们之间关联但有时又很容易混淆。分清这四个概念对于磁材行业从业者是非常重要的，今天我们就为大家细说一下它们的概念和关系。

磁场强度H

磁场强度H其实是一个没有实际意义的物理量，人们先前定义它的时候假设有磁荷这种东西，但是后来发现这个东西并不存在，它只是电流的另一面。

在遥远的19世纪20年代科学家有一系列的革命性发现，这些发现开启了现代磁学理论。

丹麦物理学家汉斯·奥斯特于1820年7月发现载流导线的电流会施加作用力于磁针，使磁针偏转指向。（奥斯特实验—电流的磁效）

9月，在这一新闻抵达法国科学院仅仅一周之后，安培成功地做实验展示出，假若所载电流的流向相同，则两条平行的载流导线会互相吸引；否则，假若流向相反，则会互相排斥。
1825年安培发表了安培定律，这是关于电流和电流所激发磁场的磁感线方向之间关系的定则。
通过力学的测量可以得出长直导线外到导线距离相等的点，磁针感受到的“磁场”强度相同，距离不同的点“磁场”强度随着距离成反比。这样我们通过力学测量和电流强度来定义磁场强度H这个物理量， 它的单位是安培/米 A/m，在高斯单位制中H的单位是Oe奥斯特，1A/m=4π×10-3Oe。
关于磁场强度H有很多解释，我们可以简化地把H理解为一个外磁场（类比于电场强度，例如利用电流I将一个磁场H施加到某个物体上）。

磁感应强度B

磁场强度只是外加电流给的一个磁场，而对于磁场内的铁磁性物质来说，除了受到外磁场H的影响，物质内部粒子在外磁场的作用下也会产生一个感生磁场。磁感应强度B表示一个粒子“感受”到总磁场，是外加磁场H和此时感生磁场M的总和。

在真空中磁感应强度和外磁场呈正比，即B=μ0H，其中μ0为真空磁导率。在铁磁性物质内部的磁感应强度 B=μ0(H+M)，即总磁场等于μ0乘以“电流产生的磁场H”加上“介质受到H磁化后产生的磁场M”之和。B的单位是特斯拉T，在高斯单位制中单位是高斯Gs，1T=10KGs。

其实磁感应强度才是磁体真正的“磁场强度”，但由于历史上已经把H称为磁场强度了，所以只能给B另起个名字叫磁感应强度。B与H说的都是“磁场强度”，但由于定义的方式和导出的方式不同，它们的单位是不同的（高斯制下B的单位是高斯Gs，H的单位是奥斯特Oe，1Oe＝1×10-4Wb·m-2＝1×10-4T＝1Gs）。

磁场强度H是虚无空间的磁场，它不考虑空间中的物质，它关注的是磁场和产生磁场的电流之间的关系，而磁感应强度B则是考虑在虚无空间磁场H的基础上加上实际物质后最终磁场的强弱，它关注的是物质的实际磁场强弱。

磁化强度M

刚才我们已经提到了磁化强度M，它是物质内部粒子在外磁场的作用下产生一个感生磁场。近代物理证明，原子中的每个电子都在围绕原子核做轨运动和自旋运动，这两种运动都产生磁效应。如果把分子看成一个整体，分子中各个电子对外所产生的磁效应的总和，可以用一个等效的圆电流来表示。这个等效的圆电流称为分子电流，其相应的磁矩称为分子磁矩，用pm来表示，它是分子中各个电子轨道磁矩和自旋磁矩的矢量和。

在无外磁场时，磁介质内部任一体积元内所有分子磁矩的矢量和为零， 而当磁介质处于外磁场中时，每个分子都受到一个力矩，该力矩迫使分子磁矩转向外磁场的方向，于是，在外磁场的作用下，任一体积元内所有分子磁矩的矢量和不为零。这样，磁介质对外就显示出一定的磁性，或者说磁介质被磁化了。 为了描述磁介质的磁化状态（磁化程度和磁化方向），我们引入磁化强度矢量M，它表示单位体积内所有分子磁矩的矢量和，单位是A/m。

为了研究这个感生的磁场M与外加场H的关系，我们定义了磁化率χ=M/H。磁化率大，说明同样的外磁场能产生更多的内在感生磁场；磁化率小说明即使外加磁场很大，里面的材料也“懒得理它”，只有微弱的响应。磁化率可正可负，正磁化率χ>0，说明产生的内部磁场M方向与外加磁场H相同，负磁化率χ<0，则材料内部由于H产生的额外磁场M和外场H方向相反。

磁极化强度J

上文中我们介绍了磁感应强度B=μ0(H+M)=μ0H+μ0M，我们把μ0M称为物质的磁极化强度，即J=μ0M，它的单位也是T（特斯拉）。磁极化强度J在物理意义上解释为单位体积磁性介质的磁偶极矩，也称内禀磁感应强度。符号为Bi或J。在高斯制中μ0=1，所以J=M。

在软磁材料中，磁场强度的值通常是不大于1000A/m，μ0为4×10-7H/m，而J=B-μ0H，所以磁感应强度B和磁极化强度J之间差别很小；但在硬磁性材料中，这种区别是非常显著的，因此通常会给出B=f（H）和J=f（H）这两种关系曲线。