电阻的固有噪声(热噪声)

电阻的固有噪声是指其自身产生的噪声,包括热噪声和过剩噪声。热噪声亦称白噪声,是由导体电子的热震动引起的,它存在于所有电子器件传输介质中。它是温度变化的结果,但不受频率变化的影响。热噪声是在所有频谱中以相同的形态分布,它是不能够消除的,由此对通信系统性能构成了上限。

热噪声器的热噪声电压可以表示为: R是,T是绝对温度,B是频率带宽,k是玻尔兹曼常数。在一定的温度和阻值之下:

Vn=4kTRB^{1/2}==√4KBRT

R是,T是绝对温度,B是频率带宽,k是玻尔兹曼常数。在一定的温度和阻值之下,就产生了热噪声。

热噪声属于电阻器的本征噪声,无法避免也无法消除。

 

噪声电压大小与电阻阻值,带宽和温度(开尔文)的平方根成比例关系。我们通常会量化其每1Hz带宽内的噪声,也就是其频谱密度。电阻噪声在理论上是一种“白噪声”,即噪声大小在带宽内是均等的,在每个相同带宽内的噪声都是相同的。

总噪声等于每个噪声的平方和再开平方。我们常常提到的频谱密度的单位是 V/root-Hz 。对于1Hz带宽,这个数值就等于噪声大小。对于白噪声,频谱密度与带宽开方后的数值相乘,可以计算出带宽内总白噪声的大小。为了测量和量化总噪声,需要限制带宽。如果不知道截止频率,就不知道应该积分到多宽的频带。

 噪声产生的源头在于电阻的导体中电子热运动,热运动是随机的,一个电子在某个瞬间朝某个方向以速度V飞行(这可以等效为一个电流),当他撞倒某个原子,因为电子质量太轻,被反弹到另外一个方向……如此周而复始。由于电子热运动的自由程很短(自由程的概念参考物理学教材),因此这个电流持续的时间也很短,可以看作是一个电流脉冲,而一个脉冲就可以用数学上的冲击函数来描述。
    在导体内部,所有的N个电子都在热运动,综合来看,由热运动产生的导体的电流就是N个电子的冲击函数的叠加,在某个瞬间,朝某个方向的热运动可能略占优势,因此就产生了沿这个方向的负电流(因为电子带负电荷),但是作为一个正态随机过程,从长时间的平均值来看,任何方向都不可能占优势,平均值为0,这就是我们观察到的导体电阻形成的热噪声。

参考文献:

https://www.21ic.com/poc/technical/201712/59174.html

https://zhuanlan.zhihu.com/p/111010370

https://bbs.21ic.com/icview-9867-1-1.html

 

### 回答1: 1. 电阻热噪声公式: 电阻热噪声是由于电阻内部随机的热运动所产生的噪声,其噪声功率谱密度为: $$ S_{V} = 4kTR $$ 其中,$k$为玻尔兹曼常数,$T$为电阻的温度(开尔文),$R$为电阻阻值(欧姆)。 2. MOSFET热噪声公式: MOSFET热噪声是由于MOSFET内部随机的热运动所产生的噪声,其噪声功率谱密度为: $$ S_{V} = 4kTR_{g} + 8kT \gamma g_m $$ 其中,$k$为玻尔兹曼常数,$T$为MOSFET的温度(开尔文),$R_g$为MOSFET的输入电阻(欧姆),$g_m$为MOSFET的跨导(安培/伏特),$\gamma$为MOSFET的比例系数(通常取值为1-2)。 3. MOSFET闪烁噪声公式: MOSFET闪烁噪声是由于MOSFET内部载流子的随机运动所产生的噪声,其噪声功率谱密度为: $$ S_{V} = \frac{2qI_d}{C_{gd}f} $$ 其中,$q$为电子电荷,$I_d$为MOSFET的漏电流(安培),$C_{gd}$为MOSFET的栅-漏极电容(法拉),$f$为观测频率(赫兹)。 ### 回答2: 1. 电阻热噪声噪声公式: 电阻热噪声是由于电流在电阻中产生的热涨落引起的。其噪声公式可以由热噪声功率密度公式表示为: N = 4kTR 其中,N表示噪声功率密度(单位:瓦特/赫兹),k为玻尔兹曼常数(约等于1.38×10^-23焦耳/开尔文),T为电阻的温度(单位:开尔文),R为电阻的阻值(单位:欧姆)。 2. MOSFET热噪声噪声公式: MOSFET热噪声是由于场效应晶体管(MOSFET)的通道中的电流引起的热涨落而产生的。其噪声功率密度公式由范德普尔方程和电阻热噪声公式表示为: N = 4kTRs 其中,N表示噪声功率密度(单位:瓦特/赫兹),k为玻尔兹曼常数(约等于1.38×10^-23焦耳/开尔文),T为MOSFET的温度(单位:开尔文),Rs为MOSFET的源电阻(单位:欧姆)。 3. MOSFET闪烁噪声噪声公式: MOSFET闪烁噪声是由于MOSFET结构内部电荷的非随机化运动导致的电流波动所引起的。其噪声功率密度可由闪烁噪声系数和电流平方的比例关系表示为: N = γI^2 其中,N表示噪声功率密度(单位:瓦特/赫兹),γ为闪烁噪声系数,I为MOSFET中的电流(单位:安培)。 需要注意的是,噪声公式只描述了噪声功率密度,而没有考虑信号的频率响应和系统的增益等因素。在实际应用中,还需要进一步分析这些因素对噪声的影响。 ### 回答3: 电阻热噪声噪声公式可以通过尼奎斯公式得到,公式为: V_n = √(4kTRB) 其中,V_n表示电阻热噪声电压,k为玻尔兹曼常数(1.38065×10^-23 J/K),T为温度(单位为开尔文),R为电阻的阻值(单位为欧姆),B为带宽(单位为赫兹)。 MOSFET热噪声噪声公式可以通过尼奎斯-约翰逊公式得到,公式为: V_n = √(4kTR) 其中,V_n表示MOSFET热噪声电压,k为玻尔兹曼常数(1.38065×10^-23 J/K),T为温度(单位为开尔文),R为MOSFET通道电阻(单位为欧姆)。 MOSFET闪烁噪声噪声公式可以通过MOSFET噪声参数和闪烁噪声系数得到,公式为: V_n = k_f √(I_d) 其中,V_n表示MOSFET闪烁噪声电压,k_f为闪烁噪声系数,I_d为MOSFET的漏极电流(单位为安培)。不同的MOSFET器件具有不同的闪烁噪声系数。
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