MOS寿命

最新推荐文章于 2024-06-08 01:24:41 发布
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博客介绍了MOS管正常寿命相关信息，在70度以下，其正常寿命一般在十万小时以上，且大概温度每升高10度，MOS管寿命会减一半。
MOS管正常寿命一般是十万小时以上(70度以下),大概温度每高10度寿命减一半。
MOS管工作原理
m0_55262010的博客
01-05 5006
深入浅出的讲解了MOS管的工作原理，非常详细
硬件基础专题：5.场效应管（MOSFET）原理及应用
最新发布
2502_92275547的博客
07-08 6381
MOS管（MOSFET）是现代电子设计中关键的开关器件，具有高输入阻抗、快速开关和低导通损耗等优点，广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。文章系统介绍了MOS管的工作原理（电压控制电流）、分类（N/P沟道、增强/耗尽型）、关键参数（门限电压、导通电阻等）以及内部结构特性（寄生电容和二极管）。重点分析了典型应用电路，包括低端/高端开关控制和电源反接保护，并提供了选型要点和常见型号参考。掌握MOS管知识有助于实现高效可靠的电子设计。
MOS 管开关损耗测试.docx
09-13
MOS 管开关损耗测试docx,开关管作为开关电源产品中最贵的元器件之一，也是最容易损坏的元器件。一般开关管的损坏有两种原因：一个是温度，一个是Vds电压超标。
MOS管损耗计算与选型原则解析--实例分析
流浪青春
11-27 6819
转至http://www.kiaic.com/article/detail/1404.html 开关模式电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源（例如市电）或是直流电源，而输出多半是需要直流电源的设备，例如个人电脑，而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。 开关损耗包括导通损...
MOS管的损耗分析
zhb837798001的博客
06-08 5558
MOS管导通过程中的各电压电流曲线如图所示：开通过程主要分为４个阶段（线性化后的开关过程）：０～t1阶段：从０时刻开始，栅源极电容开始充电，门极电压由０上升到开启电压UGS（th），此时漏极电流为０，漏源极压降没有明显的变化。t1～t2阶段：门极电压由开启电压缓慢上升至米勒平台电压，此阶段漏极电流迅速上升到系统最大值，漏极电压几乎保持不变。t2～t3阶段：此时门极处于米勒平台期几乎保持不变，此阶段漏极电流已保持通态电流不变，漏源极间电压迅速降为接近０的低值。
如何看懂MOS管的各项参数
skywu520的博客
12-07 7667
如何看懂MOS管的各项参数
[技术讨论] 交流MOSFET的损耗估算方法
ic2121的博客
06-30 2610
有段时候没来论坛了，疫情反反复复的，公司开开停停，上班也跟着没规律起来了。产品也做的断断续续，刚好有个MOS温升的案子可以拿出来讨论讨论的。电子产品的使用需要用到电源，BUCK电源是常用的电路，这个就需要对MOS的功耗分析，无论是在电源芯片内部的MOS还是外置MOS。这个MOS的温升都可能是BUCK电路中最高温升器件之一。...
工业电子中的载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度
11-29
在工业电子领域，载流子寿命控制技术是提升器件性能的关键技术之一，特别是在STMicroelectronics（意法半导体）推出的新型场效应MOS晶体管STx9NK60ZD中得到了显著体现。这款器件主要用于高强度放电灯、高端镇流器...
mos管gs加电容的作用
07-20
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子电路中常用的电力控制元件，它具有输入阻抗高、噪声低、开关速度快等特点...正确设计MOS管驱动电路不仅可以提升电路的效率，还能延长MOS管及其他电路元件的使用寿命。
精选资源
MOS管从入门到精通-mos管基础知识
06-16
此外，正确设计栅极驱动电路以避免栅极过度偏置或欠偏置至关重要，这会影响MOS管的稳定性和寿命。 总之，理解MOS管的基础知识对于电子工程师来说至关重要。通过深入学习MOS管的原理、特性和应用，我们可以更好地...
MOS管击穿的原因及解决方案
07-25
### MOS管击穿的原因及解决方案 #### 一、MOS管击穿原因分析 MOS管作为一种重要的电子元件，在各种电路...总之，通过对MOS管击穿原因的深入分析以及采取相应的预防措施，可以显著提高电子产品的可靠性和使用寿命。
一文详解MOS管耐压特性及栅极电荷影响，你了解吗？
weixin_43747182的博客
06-28 1万+
功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管，其优点是电压型控制，驱动功率低，低电压器件中MOS管的导通压降和开关速度是最佳的。 　　MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS管的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定，而MOS管是多数载流子导电器件，芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。 　　通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而同样大的芯片的...
如果开关电源频率过高是不是有可能烧坏MOS管？
monkey_d_xue的博客
02-13 4185
如果把开关电源的频率无限提升，会发生什么情况？
matlab中mos管开通损耗和关断损耗,终于明白了！开关电源中MOS开关损耗的推导过程和计算方法...
weixin_36451610的博客
03-19 7711
电源工程师知道，整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗，因为这两种损耗与传导损耗或驱动损耗不同，因为它很直观，所以有些人对其计算仍然有些困惑.今天，我们将详细分析和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
解析MOS管的详细参数，看完这篇你就全都懂了
热门推荐
weixin_43747182的博客
03-05 2万+
　 　　 　　MOS管介绍 　　 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 　　 　　MOS管导通特性 　　 　　导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 　　 　　NMOS管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手...
带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」
Frenal的博客
03-25 8940
转载--记得诚2020-07-19 16:03 我们打开一个MOS管的SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。 热阻，英文Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。 半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。 结到空气环境的热阻用ThetaJA表示，ThetaJA= (Tj-Ta)/P 其中Tj为芯片结温，Ta为芯片环境温度，如下图所示。 ...
MOS管开关频率最高多少如何测算-KIA MOS管
树卡花
08-14 1万+
MOS管开关频率如何测算 MOS管在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。 以IRF840的参数计算，假定门极电压10V，那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是，不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了，而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管型号
MOS 管开关极限频率的计算
weixin_42528089的博客
11-11 2万+
当电路的运行速度比较低的时候，MOS 管均能起到开关电路截至的作用， 但是当频率 上升到5Mhz ，或者10Mhz ,50Mhz , 100Mhz的时候，就需要考虑到MOS 管的开关频率呢。 例如： 是一个MOS 管的开关频率需要关注的6个参数，他们只是表明了一个周期的一部分，通常只是占到了MOS 管开关一个周期的1/7~1/10。以数值最大的turn-Off delaytime 18.5ns, 那么周期的可能数值应该是 ，129.5~185ns. ...
MOSFET的米勒平台现象
靠硬件吃饭的打工人
04-29 6040
米勒平台是MOSFET在开通过程中的一个重要现象，它既有挑战也有机遇。
汽车行业中功率MOSFET的压力分析与寿命预测
是一篇在2008年IEEE年度电源电子专家会议上发表的会议论文，主要关注汽车行业的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的压力分析和寿命预测。 MOSFETs在汽车领域，尤其是防抱死制动系统（ABS）中扮演着关键...
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