MOS管开关频率最高多少如何测算-KIA MOS管

本文详细探讨了MOS管的开关频率计算,以IRF840为例,介绍了门极电容和电阻对开关速度和损失的影响。同时,解释了MOS管开关电路中续流二极管D1、限流电阻R1和栅极电阻R2的作用,强调了KIA半导体MOS管在开关电源应用中的优势。
摘要由CSDN通过智能技术生成

MOS管开关频率如何测算
MOS管在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。

以IRF840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是,不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了,而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管型号有关,与门极充电达到的电压有关(实际上门极电容并不是线性电容),不太准确的估计,可以把门极电容放电时间估计为63us的2倍,即0.12ms。MOS管门极充电电阻较小(首帖图中为3千欧),估计充电时间为0.06ms。那么充电放电时间一共是0.18ms。该MOS管在此电路中最大开关工作频率为5.5kHz。

二、MOS管开关电路
下为一张典型的N沟道增强型MOS管开关电路原理图:

D1作用:

续流二极管

R1作用:

1、限流电阻,减小瞬间电流值:MOS管属于压控型器件,两两引脚之间存在寄生电容(Cgs、Cgd、Cds):

规格书中一般会标注Ciss、Coss、Crss:

Ciss = Cgs + Cgd

Coss = Cds + Cgd

Crss = Cgd

如图Ciss=587pF,假设VGs=24V,dt=Tr(

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