集澈DVC1124低边MOS驱动寄存器配置

此芯片为单晶元，支持4-24串电芯采集，高边与低边都支持，此文章主要介绍如何使用低边MOS驱动

从规格书与参考手册上看，这颗芯片有GP1,GP2,GP3,GP4,GP5,GP6，6个复用口，且输出电压为5V,因此低边输出时需要给MOS一个12V的电压。

进行如下配置

如果使用低边驱动MOS，作为如下配置即可使能GP5与GP6为低边MOS驱动功能

(1) 配置电荷泵控制寄存器(CHARG_PUMP_CTRL)电荷泵输出6V，以降低功耗

(2) 配置CADC控制寄存器HSFM位为1, 屏蔽高边NFET驱动输出

(3) GP5配置成低边CHG驱动输出 (4) GP6配置成低边DSG驱动输出

涉及到的寄存器有

对于MOS的控制都与高边一样，在其它条件满足的情况下，写下面充/放电控制寄存器相应的位即可。