BMS中高边驱动和低边驱动，未来趋势探讨

前言

    小Q前一段时间列举了一下行业中主流国产、台系、日系、欧美的AFE芯片，每一家芯片都有自身的技术特点、行业定位、未来规划。今天就探讨一下各家的FET驱动方式，优缺点以及未来的方向。

     模拟前端AFE是用来监控每节电池的电压、电流及温度的信息，可在必要时进行一些保护动作。MCU是保护充电控制。根据充放电开关MOS管的位置不同，有高边驱动及低边驱动两种形式。

1、低边驱动

低边驱动优点：低边方案是目前应用比较成熟且比较容易实现的方案，驱动控制简单。可以直接由AFE控制 多数产品也是基于低边方案设计的。目前大部分模拟前端也集成了低边驱动的能力， 比如我们上一代的经典产品 BQ769x0 系列就是采用的低边保护方案。CFET/DFET使用低压NMOS器件，成本低、体积小、RDSon小、使用中发热量小，

缺点则是 CFET，DFET 关断的时候，电池包的地和系统端的地不再共地， 所以一旦有保护被触发关断充放电 FET，电池端和系统端不再能够实现直接通信。若想继续实现通信， 则需要采用隔离通信，这不仅会增加成本，同时也会增加功耗，尤其是欠压保护时，过大的通讯功耗 对于原本就欠压的电池包更是雪上加霜。因此低边方案主要应用于对成本更为敏感的没有复杂通信的 产品中。

高边驱动

高边驱动优势在于电池包和ECU共地，当高边开关关断时485/CAN 通信仍保持正常，

缺点是高边开关需要高压PMOS，成本高、体积大、 RDSon大、充放电时发热严重。

3、隔离方案的产生

为了解决通信的问题，各家开始采用隔离的方式，方案衍生了以下几种（以纳芯微方案为例）

（1）方案1 利用光耦隔离实现485隔离

最早的隔离器件为光耦隔离器。在基于CMOS的数字隔离器开发成功以前，市面上所有的隔离器件均为光耦隔离器件。下图为使用传统三个光耦隔离器实现的485隔离电路.

例如：两轮车市场电动摩托车和电动轻便摩托车用锂离子电池标准于2019年4月实施，电摩通讯速率要达到500bps左右。此时想使用低成本光耦是不现实的，因为光耦的成本会随通信速率的上升而成倍增加。所以方案2就诞生了

（2）方案2  利用光耦+数字隔离实现485电路隔离

485使能信号可继续使用光耦隔离器件对进行隔离，而数据信号通路则可使用高速数字隔离芯片来实现。相较于传统光耦电路，系统传输速率提高，且降低了系统复杂度。下图为利用光耦隔离和数字隔离共同实现的485隔离电路

第二种方案由于仍然使用了光耦，不仅扩大了PCBA的布板空间，更重要的是光耦的抗共模能力弱、功耗高等缺点，仍极大的限制电路使用场景，同样光耦的制造工艺原因，使用寿命较短，影响整个系统的使用年限，方案3的集成方案就产生了

（3）方案3  利用数字隔离器实现485电路隔离

隔离电路全部使用数字隔离器能很好的避免这些问题。下面是使用数字隔离芯片实现的485隔离电路。

该方案解决的隔离的问题，但是外围电路仍然复杂，需要额外的收发控制芯片。同样的对于EMI抗干扰，以及作为接口电路的ESD，需要额外的外围。

（4）方案4 利用NOVOSENSE 集成隔离485芯片实现485电路隔离

数字隔离芯片集成收发器只需单颗芯片即可实现，并且提高了系统的可靠性，稳定性。内部集成了一个三通道电容隔离及一个485收发器，NSi83086用于全双工485隔离，更高可达16Mbps通信速率，可极大的减小系统PCB面积，简化系统方案设计，提高系统的可靠性。同时具有低摆率的特点，能够减少EMI辐射以及由于终端匹配不当引起的反射；NSi8308x的总线接口具有±16kV的系统级接触放电ESD保护能力。具有失效保护电路，当接收器输入开路、短路或者总线空闲时，接收器将输出逻辑高电平。接收器的输入阻抗为1/8单位负载，允许多达256个收发器挂在总线上。输出驱动器提供了超大输出电压摆幅，从而保证了更高的噪声容限。

4、高边驱动方案

高边驱动的产生

• 随着BCD高压工艺的普及，对于高集成度，端口高耐压的方案似乎得到了突破，成本控制也得到了很高的解决。AFE集成电荷帮也提供的技术的可行性。

• 同样的采用隔离的分立方案对于布板空间，整个系统的安全性、可靠性、EMI提供了很大的挑战。

• 对于大部分系统，整个BMS会保持极低的功耗。基于冗余设计的考量，都会由单独的硬件信号，Fault和Wake信号需要额外的占用隔离通道，增加了更多的成本。

• 隔离电源和隔离芯片整个行业的局限性，系统仍需要极高的功耗，对于很多应用场景，隔离电源等存在的功耗是不可忽视的一部分。

基于种种原因高边驱动似乎是很好的选择。所以高边驱动的DFE也是各大芯片厂商下一代角逐的重要战场。相比较低边保护，高边保护方案即使在保护被触发后，电池包和系统端仍然是共地的，因此仍然可以实现相互之间的通信，而无需增加隔离通信， 且触发保护后断开电池正端，系统更加安全。

同样的我们以TI的BQ76952为例，对于系统构架展开说明。尽管使用高边驱动能够解决很多问题，但是CFET和DFET的数量和规格受系统设计影响。但是电芯的规格决定了这样设计存在一定的不合理性，以动力电池为例，大部分电芯充电最高为3C~5C,放电10C以上。很显然充放电的电流差异太大，如果CFET和DFET数量规格一样，似乎对CFET不公平。就产生的同口和异口的区别

（1）同口电路

同口架构的充电口和放电口共用一个端口， 缺点是 CFET 和 DFET 的数量均需要按照充放电电流的最大值进行选型， 若充电电流和放电电流相差比较大时，比如一般锂电池包的充电电流要比放电电流小， 选择同口架构，则需要选择比实际需要更多的 CFET，造成不必要的浪费。

同口架构无论是充电还是放电，所有的电流都需要经过 CFET 和 DFET，会产生更多的损耗和热，一定程度上也减少了电池的有效容量。优点是不需要考虑反向电流的问题，因为 CFET 和 DFET 的背靠背连接可以阻断反向电流。此外，同口架构可以节省一根功率线和一个接线端子。

（2）异口电路

相比同口架构，异口架构可以按照实际的充放电电流需要分别选型 CFET 和 DFET 的数量和型号。并且无论是充电还是放电，都只经过一级 FET，所以损耗和发热也都更少。缺点是需要考虑反向电流， 如经CFET 的体二极管流向充电口，或经过 DFET 的体二极管流向电芯，若要阻断这些电流路径，需要额外的电路辅助实现。

（3）高边驱动芯片面临的挑战

• 虽然高边驱动解决了供地的问题，但是电荷泵本身驱动能力有限，在适配不同应用场景的同时还是存在本身的不足之处。

• 高边驱动由于上电瞬间整个系统的地是稳定的，但是VBAT的抖动必然影响电荷泵的驱动电压，对于FET的驱动控制有很大的影响。

• 尽管市场很多推出16S的高边驱动，足以应对，如E-Bike，滑板车，平衡车、园林工具、户用储能等，但是对于电摩、储能，其电压通常高于 60V，则需要采用高于16串的电池包来实现更大的功率，需用采用级联架构，尽管也有厂家推出针对18S、20S的DFE,如DVC1124可支持24S .这部分内容后续有时间单独介绍

• 因为高压侧的 是以低压侧的 Vstack作为参考地的，所以高压侧的通讯需要隔离 I2C或者SPI。或者选择菊花链的形式来做，增加了部分成本以及信号的稳定性

总结

        今天就简单的阐述一下高边驱动和低边驱动的演进历史，以及现在存在的优缺点。后续盘点一下市面商的高边驱动芯片以及各家的技术特点等。总而言之，从政策法规和未来的发展趋势而言，高边驱动应该会是未来几年的主流选择。

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