3-36串AFE芯片锂电池国产BMS模拟前端采集保护芯片

本文介绍了集澈的锂电池采集保护管理芯片DVC1024和DVC1124,应用于12-24串电池监控管理。DVC1024具有15-bit和16-bit ΣΔADC,支持电压和电流传感,具备多种保护功能;DVC1124则提供35ms内完成24串电压和温度测量,4ms-256ms完成电流测量,具有高精度和快速采集特性。两者都集成保护功能和唤醒模式,广泛应用于新能源电池系统。

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集澈锂电池采集保护管理芯片以串数分布科学合理,性价比高而逐渐受到市场好评,目前已成功导入BYD、欣旺达、德赛等储能领域,也进入了众多专业BMS保护板厂商供应链,集澈AFE模拟前端芯片主要分为三大系列,目前主流在应用的是两大系列,均属于工业级,车规级AFE的ISO26262 ASIL-D认证2022年已经在进行,相信不久将会推出。

其中系列一有:DVC1006(3-6串)、DVC1012(6-12)、DVC1018(9-18串)、DVC1024(12-24串)、DVC1036(18-36串) 支持磷酸铁锂和三元锂电池

以其中可用于12-24串锂电池监控管理的高精度BMS模拟前端芯片DVC1024为例,其性能优越,价格竞争力强,高精度,高稳定性,抗高压等技术参数突出,已大批量出货。

集成电压传感通道和电流传感通道,同步测量电池电压和充/放电电流;
电压传感通道集成 15-bit ΣΔADC;有效位数 13bit;
支持24 节电池电压测量;24 路被动电池均衡驱动;4 路热敏电阻电压测量;芯片温度测量;电池过压保护(OV); 电池欠压保护(UV) ; 到上位机的警报中断;
电流传感通道集成 16-bit ΣΔADC,有效位数 14bit,支持低边电流测量;低边充电和放电 N 型场效应管驱动;充电过流保护(OCC);放电过流保护(OCD) ;放电短路保护(SCD) ;
2.5V/3.3V LDO 输出;
LQFP64 10mm×10mm封装。
电池被动均衡驱动导通电阻120 Ω ,导通电流0-5mA,
芯片从睡眠状态唤醒到工作 32 ms,
电池过压保护阈值 3.2~4.7 V,电池过压保护步进 5.86 mV,电池过压保护延时 1~8 s,
电池欠压保护阈值 1.9~3.4 V,电池欠压保护步进 5.86 mV,电池欠压保护延时 1~16 s ,
放电短路保护阈值 14.3~200 mV,放电短路保护延时560~3200 μs,
放电过流保护阈值 7.1~100 mV,放电过流保护延时32~5120 ms,
充电过流保护阈值 7.1 ~100 mV ,充电过流保护延时 32~5120 ms。

DVC1024 是一款采用车规级高压 BCD工艺设计的多节锂电池组监控芯片,通过四线式 SPI 接口与上位机进行通信,形成一套完整的电池组 管理系统(BMS)。 DVC1024 内置 4 路 15 位ΣΔ ADC 和 1 路 16 位ΣΔADC,可以持续地高精度测量电池组中电池电压、电池温度和充/放电电流等信息,反馈给上位机完成电池组 SOC 估算。完整规格书可加Vstevenmicro索取,DVC1024 集成了完整的硬件保护功能,上位机可以将电池过压阈值、电池欠压阈值、充电过 流阈值、放电过流阈值和放电短路阈值配置到芯片寄存器中。芯片就可以在异常发生时,瞬间完成硬件保护,并立即反馈警报给上位机。DVC1024 内置了 24 路被动电池均衡驱动电路,上位机可以同时打开所有电池均衡,而不用担心影响芯片测量和硬件保护功能。 DVC1024还集成了低边充电和放电N型场效应管驱动,上位机可以通过配置寄存器完成充电 或放电管理。同时芯片在异常发生时,也可以自动关闭充电或放电场效应管,保证电池组安全。

可应用于各种新能源锂电池BMS系统,包括:储能应用:如风力发电,光伏发电,电力储备;小动力应用:如电动二轮三轮车,AGV,机器人,电动工具;UPS:如通讯基站,备用电能源;数码类消费电子等;应用的电压平台常见于(12V、18V、24V、36V、48V、60V、72V)。分别有适用于3-6串锂电池管理系统、6-12串锂电池管理系统、9-18串锂电池管理系统、12-24串锂电池管理系统系列产品可选择,可替代TI的BQ76920/30/40/52,中颖SH367303/05/06/08/09等芯片,可全程提供原厂技术支持

系列二,以高精度,高采集速率著称的DVC11xx系列,以DVC1124为例(磷酸铁锂、三元锂、钛酸锂)

35ms完成24串电池电压和温度测量

4ms-256ms 完成电流测量,电流测量误差 ±200 μV

VADC 输入范围   C(n)-C(n-1), n=1…24       -0.3~5.0 V

25°C 测量误差 C(n)-C(n-1), n=1…24          ±5 mV

 

特点
 集成电荷泵,支持高边充电和放电 NFET 驱动
 集成高边预充电和预放电 PFET 驱动
 两个独立的 ADC
 支持电压和电流同时采样
 高精度电池电压测量
 高精度库仑计数器
 支持内部传感器和最多 6 个外部热敏电阻进行温度测量
 电池采样端口具有 132V 耐压,支持乱序上电及热插拨
 集成电池被动均衡驱动器
 集成多种硬件保护
 电池过压保护(COV)
 电池欠压保护(CUV)
 两级充电过流保护(OCC1/OCC2)
 两级放电过流保护(OCD1/OCD2)
 放电短路保护(SCD)
 3 种电源模式(典型值)
 正常模式:~270μA
 休眠模式:~50μA
 关断模式:<1μA
 支持多种休眠模式唤醒功能
 I2C 通信唤醒
 定时唤醒
 充/放电流检测唤醒
 第 2 级充/放电过流唤醒
 放电短路唤醒
 充电器检测唤醒
 3.3V/50mA LDO 供外部系统使用
 100kHz I2C 通信接口,支持 CRC 校验和从机地址硬线配置
 LQFP48(7mm×7mm)封装

描述
DVC1124 是一款采用车规级高压 BCD 工艺设计的多串锂电池组监控芯片,适用于额定电压不超过 72V 的锂电池包。
DVC1124 在正常模式下,VADC 可以在 35ms内完成 24 串电池电压和 6 个热敏电阻温度测量;
CADC 集成了 2 个滤波器 CC1 和 CC2,分别 4ms 和256ms 输出一次电流测量值。
DVC1124 在休眠模式下,3.3V LDO 可以开启支持外部 MCU 等系统持续工作,高边充电和放电NFET 驱动可以开启使电池组处于待机状态,同时第 2 级充/放电过流保护和放电短路保护可以在充/放电电流异常时立即关闭充/放电驱动,保持电池组功能安全。
DVC1124 在休眠模式下,既支持 I2C 通信被动唤醒功能,也支持定时唤醒、充/放电电流检测唤醒、第 2 级充/放电过流唤醒、放电短路唤醒和充电器检测等主动唤醒功能。

DVC1124 具有 3 种功能模式:关机模式、休眠模式、正常模式。

 

关机模式
DVC1124 在关机模式下,除 I2C 唤醒和充电器检测模块开启外,其他模块全部关闭,寄存器复位至初始状态。芯片有 2 种方法进入关机模式:
1) 通过 I2C 通信发送关机指令;
2) 芯片内核过热自动关机。
芯片在以下 2 种状态会退出关机模式,进入正常模式:
1) 在 I2C 通信端口检测到唤醒信号;
2) 在 PACK 端口施加高于 VTOP 端口 2V 以上的电压;
3) 在 LOAD 端口施加 2V 以上的电压。 

休眠模式
DVC1124 在休眠模式下,VADC、CADC、COV/CUV 保护和 I2C 通信功能关闭,寄存器数据、V3P3、Charge Pump、FET 驱动、OCD2/OCC2 保护、SCD 保护会保持进入休眠模式之前的状态,同时开启定时唤醒和电流唤醒检测功能。芯片只有 1 种方法进入休眠模式:
1) 通过 I2C 通信发送休眠指令。
芯片在以下 6 种状态会退出休眠模式,进入正常模式:
1) 在 I2C 通信端口检测到唤醒信号;
2) 定时唤醒倒计时结束;
3) 检测到充/放电电流;
4) 检测到第 2 级充/放电过流(同时关闭充/放电驱动);
5) 检测到放电短路(同时关闭放电驱动);
6) 在 PACK 端口施加高于 VTOP 端口 1V 以上的电压。
芯片恢复至正常模式后,可以通过 GP 端口向 MCU发送中断信号。MCU 也可以通过读取寄存器查询芯片退出休眠模式的原因。 

正常模式
DVC1124 在正常模式下,支持完整的电池组测量、保护和管理功能,MCU 可以通过 I2C 通信读取和配置芯片状态。

应用
 电动自行车、电动轻型摩托车、电动摩托车

 不间断电源系统(UPS)

 电网储能

 18V,24V,36V,48V,60V,72V 磷酸铁锂 / 三元锂 / 钛酸锂等电池组

### DVC1124HAL库集成指南 对于DVC1124设备而言,其硬件抽象层(HAL)库的结合能够极大简化开发流程并提高代码可移植性[^1]。HAL库提供了一套标准化接口用于访问底层硬件资源而不必关心具体实现细节。 #### 获取官方支持包 为了确保兼容性和稳定性,建议从制造商官方网站下载针对特定型号(DVC1124)优化过的HAL库版本以及配套文档和支持工具链[^2]。通常这些资源会被打包成固件更新文件或是作为独立软件包发布。 #### 安装配置环境 安装过程中需注意选择适合目标平台的操作系统镜像,并按照指引完成必要的依赖项设置。这一步骤完成后即可通过IDE加载预编译好的示例工程来快速上手测试基本功能特性[^3]。 #### 示例代码解析 下面给出一段简单的初始化GPIO端口操作示范: ```c #include "stm32f4xx_hal.h" int main(void){ HAL_Init(); // 初始化HAL库 __HAL_RCC_GPIOA_CLK_ENABLE(); // 启用GPIOA时钟 GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct = {0}; /* 配置PA5为推挽输出模式 */ GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_5; GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_OUTPUT_PP; GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL; GPIO_InitStruct.Speed= GPIO_SPEED_FREQ_LOW; HAL_GPIO_Init(GPIOA,&GPIO_InitStruct); } ``` 此段代码展示了如何利用STM32系列MCU上的HAL库来进行基础外设控制编程[^4]。虽然这里展示的是通用单片机的例子,但对于理解其他基于ARM Cortex架构的产品同样具有参考价值。
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