存储控制器

看了这个章节以后，对于汇编程序中有两处需要学习

 

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ldr pc, =on_sdram

 

on_sdram:

      ldr sp, =0x34000000

      bl  main

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arm为了支持nand，专门设计了一个内部4k的ram(我们称为steppingstone), 当选择从nand启动的时候，nand的前4k的数据会被复制到steppingstone中，然后跳到内部ram开始执行第一条程序指令。我们为了实验存储控制器，打算把代码从steppingstone复制到SDRAM中运行，这里就有个问题，程序一开始是在steppingstone中运行的，地址是0x0~0x1000，但是外部SDRAM的地址根据开发板设计，地址为0x300000000~0x3fffffffff,这就要求代码能够自己跳转到SDRAM中。

arm中的跳转指令分为两类，一类是BL，这是相对跳转，编译器会计算出跳转到某处需要偏移的变量，然后再当前pc上加上偏移变量，从而实现跳转，这个转移的范围是+/- 32M.因为是相对指令，与程序块存放的位置没有关系。

还有一种是向pc赋值，这是绝对跳转。赋值的方式有很多 上例 ldr pc, =on_sdram，就是将label 'on_sdram'的地址赋值给pc,因为on_sdram作为label,在编译的时候由连接器解析该地址，所以和连接器的参数有关系。当我们在连接的时候给了参数 -Ttext 0x30000000, 这就意味着label的地址是以0x30000000作为基址算出来的。所以在steppingstone中使用 ldr pc, =on_sdram， 也就实现了到SDRAM的跳转。