STR710的内部Flash读写

        我是初学者，写这篇仅是个人理解。内部FLASH的读写不同与一般的Nand Flash的读写。我们下载程序大多数是下到内部Flash的 BANK 0中，一般的读写数据在BANK 1的0扇区和1扇区中，总共可以储存16K的数据。内部Flash具有写保护，任何对内部FLASH的写操作都必须在RAM中进行。当进行写操作以后内部FLASH中的FLASH_CR0寄存器的LOCK位会被置位后，任何读写都是无效的。只有等到该位被清零以后才能进行其他操作。所以必须把清零这段代码放在RAM中进行。

      方法：如果是直接调用KEIL中的库函数，就在加载文件（.sct）文件中添加

LR_IROM1 0x40000000 0x00040000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x40000000 0x00040000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00010000  {  ; RW data
   flash.o(i.FLASH_WaitForLastTask)   ；添加代码
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

在main()