1.开关电源的EMI干扰机理
当开关MOS管的时候,电感上会产生感生电动势,这种感生电动势是EMI干扰的来源。大的du/dt以及di/dt是EMI问题的来源
2.通过钳位抑制EMI
3.阻容吸收抑制EMI
这里需要注意的设计点是,当MOS管关闭以后对电容充的电必须在MOS打开的时候能够释放,否则下个周期就无法吸收电流,这个时候就要求电容不能太小电阻不能太大。但是如果电容和电阻太小,又吸收不了多少能量。一般经验就是使Ton>3RC
4.波形整型抑制EMI
通过在MOS管驱动端增加电阻,降低边沿陡峭成本降低EMI。但是坏处就是增加了MOS管的开关损耗,导致管子发热。