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原创 50-辐射抗扰与传导抗扰测试方法

1.辐射抗扰测试方法。2.传导抗扰测试标准。

2024-08-26 13:08:39 36

原创 49-EFT和静电测试方法与分析

4.EFT干扰特性分析与滤波方法。6.ESD静电放电模型。

2024-08-26 13:07:55 45

原创 48-RE和CE测试方法

3.CE传导测试方法。

2024-08-26 13:07:06 64

原创 47-电压跌落和瞬时中断的防护

当驱动板突然工作,电流瞬间增加。由于导线上的走线电感等原因,导线上压降很大,控制板测电压迅速跌落。产品驱动部分上电导致系统复位的图解。一.电压跌落的常见场景。

2024-08-26 13:06:23 37

原创 46-浪涌与跌落测试环境和干扰特征分析

5.电压跌落测试接线图。4.电压跌落测试标准。

2024-08-26 13:05:22 25

原创 45-传导发射整改摸底测试方法

步驟6.与简易方法预测试做对比。步骤1.正式测试摸底与测试。步骤2.简易方法预测试。步骤4.探查传播路径。

2024-08-26 13:04:39 38

原创 44-辐射发射整改摸底测试方法

步骤6.与简易方法预测效果做对比。步骤1.正式摸底预测试。步骤2.简易方法预测试。步骤4.探查传播路径。

2024-08-26 13:03:48 23

原创 43-防雷击浪涌设计

气体放电管具有很大的通流能力,但是气体放电管一旦导通以后关闭电压较低,所以一般与压敏电阻串联。这种基本无法防护,只能用避雷针。一.雷击浪涌形成的原因。

2024-08-26 13:03:05 32

原创 42-PCB防静电环的设计

在PCB边缘放一圈铜,但是注意要留空隙,不要形成闭环(避免形成环路电流)。铜要开窗,上下层之间每隔一定距离通过过孔连接。当人体触碰边缘金属时,人体电荷瞬间随着铜箔释放。当手触摸到PCB金属部分,手上的静电通过图中的红色导线释放。由于途径芯片,所以芯片被静电打伤。1.PCB静电损坏的机理。

2024-08-26 13:02:29 137

原创 41-静电干扰的处理措施

放电齿的作用机理是电压过大,会通过放电齿放电从而减小ESD能量,优点是几乎不增加成本。缺点是随着放电次数的增加,放电池会碳化,导致绝缘强度下降,所以要定期清理。ESD主要分为大电压和大的Ip瞬时电流,TVS主要是电压钳位。4.使用小Cj的TVS或者并联电感对射频电路防护。2.串联电阻,限制Ip电流。6.TVS+串联电阻防护。3.电阻+小电容防护。

2024-08-26 13:01:42 46

原创 40-电缆的处理

因为屏蔽层具有隔绝电磁场的作用,将磁环放在屏蔽层外面,磁环就起不到作用了。而如果将磁环放在屏蔽层内,磁环先吸收外部的干扰以及对外部的干扰(磁环发热消耗干扰能量),剩余的对外的干扰再被屏蔽层屏蔽,这样效果就比较好。因为当线路较长时,屏蔽层各个位置的电平基本很难一致,这个时候屏蔽层的头尾大地接构成一个很大的电流环路,这时就会额外产生很大的对外辐射。也有些特殊工况使用双端接地,比如线路很长,远端一个干扰信号要走很远的距离才能到接地的屏蔽层位置,如果采用某些方法使屏蔽层无压差,那就是双端屏蔽接地好。

2024-08-26 12:57:30 131

原创 39-电气连接口与隔离仓设计

1.电源滤波器应该的表面是金属,应将电源滤波器的金属外壳直接在线缆进来的地方直接与金属外壳连接,而不应该把滤波器放到设备内部再接地。2.特别要注意的是滤波器滤波以后的线不要与电源输入线靠得很近,如上图右下角的部分,两根线之间距离太近,滤波器好不容易滤干净的信号又因为与进来的线离得太近,又耦合了干扰。像我们常见的DB9插头,他的内部就是一根根金属针,针和外壳用电容连接。比如纳米银防辐射贴膜,它的原理就是内部又很细小的银丝,起到防辐射的作用,但是这个成本比较高。两幅图分别是错误和正确的布局接线方式。

2024-08-26 12:56:26 90

原创 37-金属壳体孔洞的处理

V=λf(V为光在介质传播的速度,f为信号频率),当导线长度大于 λ/20的时候就会产生天线效应,发生泄放。同样的当壳体开孔尺寸大于λ/20时,也容易接受对应频率的辐射干扰。1.按键,面膜,操作杆的孔洞处理。5.截止波导管的使用。

2024-08-26 12:55:36 86

原创 36-金属壳体材料的选择和工艺处理对EMC的影响

在金属壳体底盖和上盖之间接触面不要喷涂油漆,接触面可以加金属平垫以后用螺丝压接,用面接触代替螺丝螺纹的点连接,从而减小走线电感。当走线电感小了以后,外部的静电干扰容易通过壳体->大地泄放。

2024-08-26 12:54:49 145

原创 35-结构EMC需要注意的几个问题

当干扰信号沿着导线进入壳体的时候,如果线路板的金属部分(如排针)离进来的线缆较近时,两者之间的寄生电容成为干扰传播的通道,这个时候有意加大两者的距离,降低分布电感就可以大大改善。原来没盖壳子时,产品上的辐射向各个方向发射。而盖上盖子后,多出辐射经过镜面反射都集中到了一个点,如果这个点刚好有根线缆连接到金属壳外部,就容易产生EMI超标。案例:产品外壳为金属,打开盖子EMI正常,盖上盖子EMI反倒超标了。2.结构布局对于EMC的影响。3.盖子材质对于EMI的影响。1.结构电磁兼容的关注点。

2024-08-26 12:54:05 23

原创 34-ADC多点求平均算法的使用注意事项

根据臭氧定理可知,要使信号不失真,最低采样频率需要2fs,实际使用时我们一般选择5fs~10fs.而我們采集一个值的时候往往用附近的n个点,所以采样频率就由原来的5fs增大到5nfs了。什么样分布规律的信号适合使用多点求平均。一.多点求平均的等效滤波器模型。ADC的周期应该选取多长。

2024-08-25 17:00:17 204

原创 33-降速提高EMC能力

很多的看似是EMC导致的问题,其实是系统本身就累积了很多问题,这些问题累积导致系统本身的得分就在60多分,稍微遇到点电磁干扰,就会低于60分。左下角为超调曲线,δ,k,tr满足如下规率:tr越小(上升沿越陡峭),δ超调越小,K向下震荡的幅度也越小。如上图所示,实际信号传输时,导线上有电阻电感,芯片引脚内部有寄生电容,当通讯速度很高的时候,就会容易出现电平没有到电压门限的情况。向上的回沟都容易超过电压门限。上升沿越抖,信号中的高频成分就越多且幅值越大,当我们增加上下沿时间后,高频成分就容易被抑制。

2024-08-25 16:59:28 118

原创 30-边沿触发与脉冲宽度控制的抗干扰能力对比分析

我们假设单根线上出现干扰以及干扰电平达到门限的概率与单通道的一致,根据上述图示计算,出现错误的概率为0.0225%。A和D路徑上的信号是同步的,所以当干扰达到门限的时候,虽然判断标准为两个信号都得达到门限,但是仍然会误判,这就是不如差分上升沿触发的地方。当软件在边沿触发的基础上加一个△t的时间门限进行判断时,短暂的脉冲信号会被软件过滤,这个时候即使干扰电平达到门限,干扰也会被滤除。我们假设发生脉冲干扰的概率是5%,而这个干扰幅值能达到干扰门限的概率是0.3,那么实际产生干扰的概率就是1.5%。

2024-08-25 16:58:38 386

原创 29-机箱布线和PCB布线的EMC审查

由于地的容性较高,根据U=Q/C,在接收到干扰时,地上的电压基本不会有变化,这样被干扰信号测的电平就能维持稳定,也就是不会受到干扰了。由于线与线直接存在着寄生电容,线本身由于走线电感。当干扰源信号频率较高时,信号通过寄生电容流向被干扰信号,导致被干扰信号处出现各种问题。而对于干扰信号源这边,如果有用信号本身频率较高,如上图所示,当电源端有干扰信号到来时,一方面由于2处的走线电感,噪声泄放不通畅,另一方面由于③处的导线间距小,寄生电容大,干扰通过电容传递过去。线上信号或能量具有上述特征的,判定为干扰线。

2024-08-25 16:57:27 228

原创 28-环路干扰防护

如上图所示分别为共模电流和差模电流在PCB板上电流的走向,根据右手定则,差模电流会在PCB的线路环路内部产生叠加的电磁场,这部分电磁场对外辐射形成EMI超标。如上公式所示,降低辐射的方法是降低磁通量的变化,由于B与电流相关,电流很多时候无法改变,所以最直接的办法就是降低环路面积。(1)在板卡布线的图中,左侧图环路面积远小于右边,是正确的布局方法。在电源布线示例中,左侧图不仅环路面积大。选频特性比较差,所以辐射测到的图形是个凸起的包(正常天线发射的是一根针状)。时,就需要仔细考虑接插件的位置,布线的方式。

2024-08-25 16:56:32 185

原创 27-电源和地单点串联接地的隐患

当控制电路和驱动电路单点串联时,驱动电路工作瞬间,导线上产生较大的左正右负的电动势,导致芯片容易复位。而当驱动电路断开时,走线电感上容易产生右正左负的感生电容式,导致芯片端电压过高,容易损坏芯片。3.电源单点串联导致数字电路和模拟电路的电压相互影响。模拟电路使用画的蓝线,实现单点并联,就解决了上述问题。这个地方前面解释过了,不再赘述。1.单端接地串联的隐患。2.电源单端串联的隐患。

2024-08-25 16:55:35 54

原创 26-电流信号的强抗扰能力应用

1.电压型和电流型信号的传输抗干扰能力差异。

2024-08-25 16:54:33 42

原创 25-RESET信号的防护处理措施

在信号线和地线上串联一个磁珠,可以有效抵御高频噪声,两个引脚之间加个小电容,当外界信号被干扰时,由于电容两端电压不能突变,所以起到抑制干扰的作用。当RESET信号或者芯片GND端电平被干扰时,使芯片的Reset和GND间的压差超出了正常的电压门限。2.RESET信号的EMC设计防护措施。1.RESET被干扰的机理。3.RESET布线注意事项。

2024-08-25 16:53:07 82

原创 24-感性负载干扰处理的原理图设计

3.当控制电源直接在电源端与控制电路单端并联,不让驱动端的电源和地线干扰电平影响到控制电路。2.可以在电机旁边并联一个电容,减少电机的di/dt,du/dt,较少EMI干扰。1.增加RC吸收电路,防止继电器断开时因为感生电动势而击穿黏连。1.电机驱动产生问题的机理。

2024-08-25 16:52:22 45

原创 23-开关电源的EMC改善措施

这里需要注意的设计点是,当MOS管关闭以后对电容充的电必须在MOS打开的时候能够释放,否则下个周期就无法吸收电流,这个时候就要求电容不能太小电阻不能太大。但是如果电容和电阻太小,又吸收不了多少能量。一般经验就是使Ton>3RC。当开关MOS管的时候,电感上会产生感生电动势,这种感生电动势是EMI干扰的来源。大的du/dt以及di/dt是EMI问题的来源。通过在MOS管驱动端增加电阻,降低边沿陡峭成本降低EMI。但是坏处就是增加了MOS管的开关损耗,导致管子发热。1.开关电源的EMI干扰机理。

2024-08-25 16:51:36 117

原创 22-晶振与布局布线处理

有源晶振out脚会输出一个方波信号,前面我们已经了解到,陡峭的边沿,容易产生EMI问题。所以上图我们串接了小电阻,还增加了一个很小的电容。2.晶振电路注意事项总结。3.晶振电路的布局布线。1.有源晶振的原理图。

2024-08-25 16:50:44 94

原创 21-气体放电管的特性及在EMC中的应用

气体放电管导通以后,需要较低的电压才能关断。使用的时候要注意正常工作电压必须小于这个范围。气体放电管与TVS和MOV的区别。气体放电管使用注意事项。GDT与MOV组合使用。气体放电管的参数选型。一.气体放电管的特性。

2024-08-25 16:46:01 64

原创 20-压敏电阻的特性及在EMC中的应用

最大能量:W=kIUT(I流过压敏电阻的电流峰值,I流过时压敏电阻两端的电压,T电流持续时间,K是I的波形系数,2ms方波k=1,8/20us波k=1.4,10/1000us波k=1.4)考虑到导线上的走线电感,大电流会在导线上产生很大电压,从而导致工作电路两端电压远远大于压敏电阻的保护电压。最大冲击电流:我们一般叫做通流量,通流量会随着脉冲宽度的增加而减少。额定功率:当外来干扰为频发浪涌干扰时,平均能够承受的热功率。压敏电阻的参数可以与TVS对比理解。最大显示电压相当于:TVS的Vc。

2024-08-25 16:44:56 72

原创 19-TVS的特性及在EMC中的应用

当TVS按照方式1放置时,由于导线很长,产生了很大的走线电感,当TVS导通时,走线电感上会产生很大的感生电动势,导致到工作电路的电压远大于TVS的钳位电压。3. 最大峰值脉冲电流Ipp(Peak Pulse Current):对应上图10/1000这个波形的最大瞬时电流。TVS主要的电压参数是上图圆圈处的2个,一般应该让供电电压小于VRMW,芯片最大工作电压>VC。当环境温度升高时,TVS的Ipp和Ppp也会随之下降,如上图所示。确定TVS参数的方法。一.TVS的参数解析。二.TVS的应用示例。

2024-08-25 16:43:57 155

原创 18-电源滤波器的量化选型方法

由上图可以看到,点1和点2分别超标1.74和0.72dB,保留20dB的余量,在fn1和fn2两处(大于60~70khz)的插损控制在22dB和21dB.对比参数表,然后根据实际电流,选择这个系列的其中一款。第一幅图中电源滤波器出线与电源进线靠得太近,容易耦合干扰。第二幅图因为喷了绝缘漆导致电源滤波器壳体没有接地。图三虽然电源滤波器接地了,但是导线太细,走线电感太大。2.电源滤波器壳体,密封圈,金属壳体三种形成一个密闭空间,阻止辐射进入和发出。4.电源滤波器安装注意事项。1.电源滤波器的参数分析。

2024-08-25 16:42:51 98

原创 17-磁珠的特性及在EMC设计中的作用

低频时呈感性,高频呈阻性。高频时磁珠可以将噪声转化为热能消耗,类似磁环的工作原理。假设我们需要将噪声的幅值降低到1%,有用信号衰减少于1%3.磁珠在使用中需要注意的问题。1.磁珠的高频等效模型。

2024-08-24 14:03:18 70

原创 16-磁环的特性及在EMC中的应用

一般锰锌磁环的滤波频率为10MhZ以下,镍锌磁环滤波频率可以达到300MHZ。另外使用磁环要注意磁饱和的问题,当电流很大时,磁环饱和,此时磁导率就接近真空磁导率,就失去滤波效果了。磁环在低频段等效为一个电感,主要以电感的特性阻挡高频噪声。高频时阻性增大,会以热的形式消耗噪声能量,而电感本身不消耗噪声能量。所以在有高频率噪声的环境中,经常会在导线上套接磁环。非晶磁环具有很大的磁导率,损耗小,能在很小的体积上绕出大电感,但是不适合做吸收磁环使用。根据频率点,选择磁导率合适的镍锌磁环,超标被抑制,如下图。

2024-08-24 14:02:30 133

原创 15-电感特性及在EMC中的应用

下图是串联和不串联电感,压敏电阻上的通过的电流的仿真图。如上图所示,LC滤波器是一个低通滤波器,但是有一点需要注意的是,当频率达到谐振频率f0=1/(2π√LC)附近的时候,噪声信号反而会变大。考虑到这一点,如果希望寄生电容小一点,绕制的匝数就要少一点,保证线圈之间的间距、这就解释了为什么有时候用一个小的电感。能够有效滤除噪声(比如75uH),用一个大的电感(150uH)滤波效果反而变差了,但是用2个小的(75uH)滤波效果就很好。因为大电感尺寸没变,为了增加电感量,绕制的圈数多,线圈间隔小,寄生电容大。

2024-08-24 14:01:30 85

原创 14-电容特性及在EMC中的应用

退耦电容主要利用谐振点阻抗低这个特点,降低高频噪声的导通阻抗。但是如果接地导线较长,就会导致走线电感过大,导致谐振频率大大降低。穿心电容的针和金属外壳构成电容的两个点击,相当于一个电感量很小的电容,所以谐振频率高,对高频噪声有很好的滤波效果。当频率较低时,主要呈感性;当频率较高时,主要呈感性。谐振频率f0= 1/(2π √LC),当频率等于这个数值时,电容电感相互抵消,只有esr电阻。当最低电压为Vccmin时,最大跌落电压必须

2024-08-24 14:00:16 171

原创 13-电阻在EMC中的妙用

当接插件插拔时容易产生尖峰电压,如果不做任何防护的话,IC引脚容易损坏。第一种先用电容吸收,然后用电阻限流,最后用TVS将电压限制在一定范围内。第二种用RC吸收,然后用TVS钳位。由于芯片管脚内部存在电容,所以当突然上升或者下降时,容易产生向上或者向下的尖峰,这样的尖峰会产生较强的EMI噪声,同时有可能超过高低电平的电压容限。当串联一个电阻后,上升下降沿变缓。需要注意的是当串联电阻太大的时候容易造成边沿太缓慢,导致通讯异常。当静电大量电荷进入PCB板后,电容存储电荷的能力有限,此时电阻可以泄放。

2024-08-24 13:49:00 87

原创 12-传导和辐射发射的频谱图读图方法

解決方式的核心依据是:虽然用不同工具测试,测到的辐射能量是不一样的,但是超标的频率点是一样的,所以通过找到对应频率发生的位置,就可以找到问题发生的位置。频点式分析的核心就是,把两个超标的频点之间的频率差值认定为是干扰频率的整数倍n(n一般就是10以内),从而找到根源。而解决的方法就是找到对应的方波输出处,通过串联小电阻,将tr,ts抑制得平滑点。准峰值检波来源于民标,从通信行业发展而来的,基于CISPR标准,以人耳的听觉感官为评价标准,峰值和平均值都不足以反应对人听觉效果的影响,所以用准峰值。

2024-08-24 13:46:25 128

原创 11-电磁兼容的定量化设计方法

分解说明:首先根据输入和输出电压计算,我们得到需要的整体插损需要72dB。中间的①②③分别都会对信号有个抑制,假设①分配20dB,②分配20dB,③分配20dB,然后按照这个去分别设计每个模块。背景说明:在当前系统中,当电源端EFT注入一个2kv的干扰时,系统K输出的电压波动必须小于0.5V,否则会引起复位。一.定量化分解的前提。

2024-08-24 13:45:27 109

原创 10-接地设计

当采用单点串联接地时,AB有一部分通道串联共用,此时A有一部分电流流向GND时,B的地电压会随之升高,也就是说A的电流会影响B的地电平(对照实际系统,A可以是数字芯片,B可以是模拟芯体)。理想的大地可以认为容性非常大,按照U=Q/C可知,当电容值很大值,地平面即使流入很多正/负电荷电压波动依然很小(一块大铁板也能吸收一些一些电荷,虽然不是理想的大地,但没有选择的时候接一下也会好一点)而高频接地中,信号频率高,导线趋肤效应明显,相当于接地线的走线电感很大,所以高频接地线一般用多股的编织网线。

2024-08-24 13:44:39 117

原创 9-系统频谱分配

如上图所示,一块线路板里两个器件频率一致,C-D,A-B等,他们可能是同一个厂家的电源芯片或者同一频率的晶振。由于频率一致,能量相加,导致幅值超标。晶振是周期信号,所以他的傅里叶变换展开式只有奇次谐波。所以两个晶振的频率关系是偶数倍相对于奇数倍,就能有效得减少频谱叠加。2.错误频谱分配带来的EMI问题。3.频谱分配理论基础-傅里叶变换。3.3 不同类型信号的傅里叶变换。5.通信设备中的频谱分配设计。3.2 图形化傅里叶变换。3.1傅里叶变换概念。

2024-08-24 13:43:12 131

原创 8-共模差模干扰与防护

总结:差模干扰用差模接法和差模器件防护。共模干扰用共模接法和共模器件防护。1MHZ以下以差模为主,10MHZ以上以共模为主。3.不同频段下共模和差模的分布。2.共模干扰和差模干扰的防护。1.共模和差模的定义与区别。4.磁环的共模差模接法。

2024-08-24 13:41:56 174

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