SC8205A耐压20V双N 沟道增强型 MOS 场效应管

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ
RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ
特点
 专有的先进平面技术
 高密度超低电阻设计
 大功率、大电流应用
 理想的锂电池应用
 封装形式：TSSOP-8
8205A/TSSOP-8
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C
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B
A
Title
Size Number Revision
B
Date: 16-Apr-2013 Sheet of
File: E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\SC8205.ddDbrawn By:
D1/D2
S1
S1
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S2
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Date: 16-Apr-2013 Sheet of
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