WNM2030-3/TR

最新推荐文章于 2022-01-11 22:26:51 发布
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分类专栏： 韦尔 文章标签： N通道增强型MOS场效应晶体管
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描述
WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤
品牌：韦尔
型号；WNM2030-3/TR
封装：SOT723
包装：80000
年份：18+
在这里插入图片描述特征
海沟技术
Supper高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流电
极低的阈值电压
小型封装SOT-723
在这里插入图片描述应用
继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电

szrileyH
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专栏目录
WNM2024-3/TR功率MOSFET场效应晶体管
szriley123的博客
03-28 786
描述 单N沟道，20V，3.9A，功率MOSFET WNM2024是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电 电路。 标准产品WNM2024是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，L...
WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM2030-3/TR
szriley123的博客
03-26 968
单N沟道，20V，0.95A，功率MOSFET 说明 WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-723...
WNM2020-3/TR MOS场效应晶体管
szrileyH的博客
03-28 1218
说明 WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤。 品牌：韦尔 型号；WNM2020-3/TR 封装：SOD923 包装：3000 年份：18+ 特征 FAE:13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻 极...
功率场效应晶体管(MOSFET)原理
gtkknd的专栏
01-05 2522
http://blog.csdn.net/zyboy2000/article/details/4167892 二、电力场效应管的静态特性和主要参数 　　Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。{{分页}} 1、 静态特性 （1） 输出特性 　　输出特性即是
字符串杂项
hungry1234的博客
01-11 267
两个不怎么常见的算法 1.Z函数 定义：z[i]表示以i开头的后缀与整个串最长的公共串长度 求法：假设i以前的字符串已经求完，记录l，r为右端最大的区间 [i,i+z[i]-1] 若 i<r ,则根据定义，z[i]=z[i-l] 但是i-l>r的情况下不能保证正确性，需要暴力判断 否则就暴力求出z函数值 用处（其实kmp都可以实现，只不过有些用z函数更直观） 1.匹配字符串 对于两个字符串跑z函数的过程，若z函数值...
WNM2020-3/TR-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-28
**WNM2020-3/TR-VB-MOSFET产品详解** WNM2020-3/TR是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **技术特点**： - **无...
WNM2016-3/TR-VB-MOSFET产品应用与参数解析
11-14
**WNM2016-3/TR-VB MOSFET详解** WNM2016-3/TR-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。这款MOSFET具有以下特性： 1. **无卤素**：符合IEC 61249-2-...
WNM2020-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-02
### WNM2020-3-TR-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管技术解析 #### 概述 WNM2020-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电源管理应用。其主要特性包括无卤素设计、符合...
WNM2024-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-03
### WNM2024-3-TR-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管技术解析 #### 概述 WNM2024-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电源管理应用场合，如DC/DC转换器和便携式设备中的...
WNM2034-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-03
### WNM2034-3-TR-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管详解 #### 概述 WNM2034-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它具有低导通电阻(RDS(on))的特点，在VGS为...
WNM2016-3/TR增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-28 2223
N沟道，20V，3.2A，功率MOSFET 描述 WNM2016是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2016是无铅的无卤 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，LED...
WNM2021 N沟道20V0.89A 小信号MOSFET场效应晶体管
szriley123的博客
03-26 1419
WNM2021 N沟道，20V，0.89A，小信号MOSFET 说明 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021不含铅，不含卤素 特征 WILLSEM FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻 极低的阈值电压 小包...
N沟通场效应管深度图解(1)工作原理及Multisim实例仿真
weixin_30918415的博客
01-15 3802
场效应晶体管（Field Effect Transistor, FET）简称场效应管，是一种由多数载流子参与导电的半导体器件，也称为单极型晶体管，它主要分型场效应管（Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET），属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿...
WNM2021-3/TR N通道增强型MOS场效应晶体管
szrileyH的博客
03-28 2617
描述 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021是无铅的无卤 特征FAE：13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻 极低的阈值电压 小型封装SOT-323 应用 DC-DC转换器电路 负载开关 等级转换 小信号开关...
ESD5401N-2/TR瞬态电压抑制器
szrileyH的博客
03-27 972
说明 ESD5401N是TVS（瞬态电压抑制器） 旨在保护敏感的电子元件 连接到数据和传输线 ESD（静电放电），EFT引起的过应力（电快速瞬变）和闪电。 ESD5401N可用于提供高达ESD的ESD保护 根据IEC61000-4-2，±30kV（接触放电），和可承受高达8A（8 /20μs）的峰值脉冲电流 IEC61000-4-5。ESD5401N采用DFN1006-2L封装。标准产品不含...
WPM2015-3/TR
szrileyH的博客
03-28 813
单P沟道，-20V，-2.4A，功率MOSFET 描述 WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。 品牌：WILLSEM 型号；WPM2015 封装：SOT23 包装：3000 年份：18+ 数量：50000 特征FAE：1372371431...
WNM4002-3/TR
szrileyH的博客
03-28 515
WNM4002是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽 技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合用于小信号开关。标准产品WNM4002是无铅 特征 沟槽N通道 FAE:13723714318 超高密度电池设计，适用于极低Rds（on） 出色的导通电阻和最大直流电流能力 采用SOT-523的小型封装设计 品牌：WILLSEM 型号；WNM4002-3/TR 封装：SOT...
聚类算法-一种无监督学习方法.docx
最新发布
08-12
聚类算法是一种无监督学习方法，用于将数据集中的数据点自动分组到不同的类别中，这些类别也称为“簇”或“群”。聚类的目标是让同一簇内的数据点尽可能相似，而不同簇之间的数据点尽可能不相似。聚类算法广泛应用于多种领域，如数据挖掘、模式识别、图像分析、信息检索等。 聚类算法的基本概念 无监督学习：聚类算法不需要事先标记数据点的类别标签，而是根据数据本身的相似性来分组。 相似性度量：聚类算法依赖于某种相似性或距离度量来决定数据点之间的相似程度。常用的度量包括欧氏距离、曼哈顿距离等。 目标函数：大多数聚类算法都会尝试最小化某种目标函数，例如簇内的平方误差和（SSE）。 常见的聚类算法 K-Means K-Means 是一种原型聚类算法，它通过迭代地将数据点分配到最近的质心来形成簇，并重新计算每个簇的质心，直到质心不再显著变化为止。 在 Python 的 scikit-learn 库中，可以通过 KMeans 类实现 K-Means 聚类。 层次聚类 层次聚类构建一个树状图（称为树状图或 dendrogram），显示数据点是如何逐渐合并成簇的。 这种算法可以是凝聚型（自底向上）或分裂型（自顶向下）。
WNM2020-3/TR-VB MOSFET技术规格与应用指南
"WNM2020-3/TR-VB-MOSFET是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，适用于20V工作电压，具有低RDS(ON)特性，分别在4.5V、2.5V和1.8V的门极电压下，其RDS(ON)分别为24mΩ、33mΩ和40mΩ，最大连续漏电流ID分别为6A、5.1A和...
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