WNM2020-3/TR MOS场效应晶体管

最新推荐文章于 2022-01-20 09:28:21 发布
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分类专栏： 韦尔 文章标签： MOS场效应晶体管
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说明

WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤。
在这里插入图片描述品牌：韦尔
型号；WNM2020-3/TR
封装：SOD923
包装：3000
年份：18+
在这里插入图片描述特征 FAE:13723714318
海沟技术
Supper高密度电池设计
出色的导通电阻
极低的阈值电压
小型封装SOT-23
在这里插入图片描述

szrileyH
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专栏目录
WNM2020-3/TR-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-28
N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23
MOS管参数每一个参数详解-收藏版
树卡花
09-27 10万+
MOS管参数 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述. gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量. gfs 与 VGS 的转移联系图如下图所示...
WNM2020 N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-26 989
说明 WNM2020 N沟道，20V，0.90A，小信号MOSFET WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻 极低的阈值电压 小包装SOT-23 ...
WNM2016-3/TR增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-28 2207
N沟道，20V，3.2A，功率MOSFET 描述 WNM2016是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2016是无铅的无卤 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，LED...
WNM2030-3/TR
szrileyH的博客
03-28 664
描述 WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤 品牌：韦尔 型号；WNM2030-3/TR 封装：SOT723 包装：80000 年份：18+ 特征 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流电 极低的阈值电压...
MOS晶体管原理
mikiah的专栏
09-04 2740
1.长沟道晶体管I-V特性 NMOS和PMOS管中电子和空穴迁移率之比通常为2~3。 2.简化的MOS电容模型 a：MOS管的栅极是个良好的电容，必须要有这个电容来吸引电荷使沟道反型，因此为得到大的Ids需要有大的栅电容Cg。Cg为一个顶部为栅，底部为沟道的的平行板电容。又因为当晶体管导通时，沟道从源开始延伸，因此我们常常把栅电容近似成它的一端处在源极上而称为Cgs。 b：
WNM2016-3/TR-VB-MOSFET产品应用与参数解析
11-14
N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23
WNM2020-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-02
SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=0.45~1V；
WNM4006-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
最新发布
07-03
SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
WNM3400-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-03
SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.2V；
MOS晶体管的讲解非常详细
12-02
详细讲解MOS管的用途以及识别各种MOS管。对MOS管更深刻的解析
WNM2024-3/TR功率MOSFET场效应晶体管
szriley123的博客
03-28 783
描述 单N沟道，20V，3.9A，功率MOSFET WNM2024是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电 电路。 标准产品WNM2024是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，L...
WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM2030-3/TR
szriley123的博客
03-26 956
单N沟道，20V，0.95A，功率MOSFET 说明 WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-723...
MOS管驱动电路，看这里就啥都懂了！
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天下对手教会少林武僧
08-23 11万+
一、MOS管驱动电路综述 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MO...
MOS晶体管原理与特性
qq_43587345的博客
04-19 1万+
MOS晶体管原理与特性一、工作区域二、长沟道晶体管的I-V特性I-V特性表达式为I-V特性表现图为三、非理想晶体管的I-V效应四、晶体管的C-V特性栅电容Cg覆盖电容Cgol扩散电容Csb、Cdb 一、工作区域 MOS管有三种状态工作区域： 截止区 线性区 饱和区 以nMOS管为例：(Vgs为栅极与源级间的电压，Vt为截止电压，Vgd为栅极与漏级间的电压，Vds为源级与漏级间的电压)   如果Vgs<Vt时，晶体管为截止区；   如果Vgs>Vt时，晶体管为导通，并Vds较小，晶体管处于线
超级简单的理解MOS晶体管的工作原理
weixin_50652702的博客
01-20 917
新手入门必看，教你简单迅速理解MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理。
晶体管和mos管区别，MOS管是什么？
guimaxiansheng7的博客
03-11 1万+
晶体管和mos管区别 什么是MOS管 MOS晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的，它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的对准也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。 什么是晶体管 在严格意义上，晶体管是指基于半导体材料的单个元件、由各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应晶体管、可控硅等...
WNM4002-3/TR增强功能MOS场效应晶体管
szriley123的博客
03-27 633
WNM4002是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽 技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合用于小信号开关。标准产品WNM4002是无铅 特征 沟槽N通道 超高密度电池设计，适用于极低Rds（on） 出色的导通电阻和最大直流电流能力 采用SOT-523的小型封装设计 品牌：WILLSEM 型号；WNM4002-3/TR 封装：SOT523 包装：3000 年份：18...
MOS管与场效应晶体管背后的联系，看完后就全明白了
weixin_43747182的博客
04-15 1735
电子元器件行业有今天的成就，那绝离不开MOS管与场效应晶体管的鼎力相助，但是一些刚入电子行业的常常把MOS管与场效应晶体管混为一谈，到底MOS管和场效应晶体管两者背后到底有何联系？这对于初学者来说，这两个名字常常容易让初学者混淆，那究竟MOS管到底是不是场效应晶体管？ 其实根据这几种电子元器件的包含关系，说MOS管是场效应晶体管是没问题的，但是反过来说就不对了，也就是说场效应晶体管不单单只包括M...
允许wnm/login/login.json svpnlang跨站脚本攻击复现
06-08
跨站脚本（Cross-Site Scripting,...3. **发送请求**：使用工具如Postman、curl或者浏览器的开发者工具发送这个请求。 4. **观察结果**：如果攻击成功，会在受害用户的浏览器上看到弹出的警告对话框，证明存在XSS漏洞。

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