WNM2021-3/TR N通道增强型MOS场效应晶体管

最新推荐文章于 2024-04-08 11:02:32 发布
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分类专栏： 韦尔 文章标签： MOS场效应晶体管
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描述

WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021是无铅的无卤
在这里插入图片描述特征FAE：13723714318
海沟技术
Supper高密度电池设计
出色的导通电阻
极低的阈值电压
小型封装SOT-323
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应用

DC-DC转换器电路
负载开关
等级转换
小信号开关
在这里插入图片描述

szrileyH
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WNM2020 N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-26 999
说明 WNM2020 N沟道，20V，0.90A，小信号MOSFET WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻 极低的阈值电压 小包装SOT-23 ...
WNM2021 N沟道20V0.89A 小信号MOSFET场效应晶体管
szriley123的博客
03-26 1419
WNM2021 N沟道，20V，0.89A，小信号MOSFET 说明 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021不含铅，不含卤素 特征 WILLSEM FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻 极低的阈值电压 小包...
WPM1488-3/TR P通道增强功能MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 951
WPM1488-3/TR 单P沟道，-12V，-1.4A，功率MOSFET 说明 WPM1488是P通道增强功能MOS场效应晶体管。 使用先进沟槽技术和设计提供优秀 RDS（ON），栅极电荷低。 这个设备是适用于DC-DC转换，电源 开关和充电电路。 标准产品WPM1488是无铅的。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻，可提高直流电压 当前 极低的阈...
WNM4002-3/TR增强功能MOS场效应晶体管
szriley123的博客
03-27 638
WNM4002是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽 技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合用于小信号开关。标准产品WNM4002是无铅 特征 沟槽N通道 超高密度电池设计，适用于极低Rds（on） 出色的导通电阻和最大直流电流能力 采用SOT-523的小型封装设计 品牌：WILLSEM 型号；WNM4002-3/TR 封装：SOT523 包装：3000 年份：18...
WNM2020-3/TR MOS场效应晶体管
szrileyH的博客
03-28 1218
说明 WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤。 品牌：韦尔 型号；WNM2020-3/TR 封装：SOD923 包装：3000 年份：18+ 特征 FAE:13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻 极...
WNM2020-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-02
### WNM2020-3-TR-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管技术解析 #### 概述 WNM2020-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电源管理应用。其主要特性包括无卤素设计、符合...
WNM2302-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
最新发布
07-03
WNM2302-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有低导通电阻、高可靠性和环保特性等优点，并适用于多种应用场合，如DC/DC转换器、便携式设备负载开关等。 #### 特性 1...
WNM2023-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-03
WNM2023-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有低导通电阻、高可靠性和紧凑尺寸等特点，适用于便携式设备中的直流转换器(DC/DC Converter)和负载开关应用。 #### ...
WNM2016-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-02
WNM2016-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有低导通电阻、高可靠性和环保特性等优点，并且适用于多种应用场合，如DC/DC转换器、便携式设备中的负载开关等。 #### ...
WNM2034-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-03
WNM2034-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它具有低导通电阻(RDS(on))的特点，在VGS为4.5V时仅为24mΩ，并且能够在较宽的温度范围内工作(-55°C至150°C)。...
STM32F302 DFU
03-05
官方STM32 DFU例程，包含了STM32F302 DFU。本人按照这个例程移植成功。有问题请留言。
FUSB302_ESP32-master.zip
10-24
利用安美森公司的FUSB302芯片做的一个关于PD2.0的工程，关于PD2.0工程的各种库文件齐全，更改Symbol即可调用，但是上层API得需要根据自己电路板情况进行开发。另外，关注PD3.0协议的，可以参考本人上传的FUSB307的一个工程。
IRF540 N沟道型场效应管
05-03
IRF540 N沟道场效应管参数介绍文章。 使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC到DC转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。
场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数
gdaswater的专栏
08-25 3820
source: click here  场效应管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三
FUSB302BMPX芯片中文资料规格书PDF数据手册引脚图图片参数价格特性概述
hyaoda的博客
04-08 256
FUSB302B 的目标用户为希望以较少的编程量实施 DRP/SRC/SNK USB Type-C 接头的系统设计人员。FUSB302B 实现了 USB Type-C 检测，包括连接和定向。FUSB302B 集成了 USB BMC 功率输送协议的物理层，可实现高达 100 W 的电源和角色互换。BMC PD 装置实现了对于符合 C 型规范的其他接口的完全支持。参考法规可用于 FUSB302B 在若干嵌入控制器平台之间轻松实施 C 型 和 USB BMC 功率输送协议。单击下面的“软件”链接。
WNM6002 N通道增强功能MOS场效应晶体管
szriley123的博客
03-28 866
单N沟道，60V，0.30A，功率MOSFET 说明 WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-323 ...
PD快充 - fusb302驱动调试笔记
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weixin_42021558的博客
04-13 1890
主设备接收到请求后，会向FUSB302MPX发送响应消息，告诉它可使用的电源参数范围。如果协商成功，FUSB302MPX将开始从主设备接收电源，并将其转换成适当的电压和。FUSB302MPX通过检测CC线上的电压和电流来确定连接的设备类型和电源能力。FUSB302MPX将监视充电过程中的电流和电压，并在达到设定阈值时停止充电，2. 集成了USB PD控制器和Type-C CC检测器，可实现双向通信和电源管理。那么它会向主设备发送一个请求，请求特定的电源供应电压和电流。电流以供给被充电设备。
WNM2016-3/TR-VB MOSFET技术规格与应用解析
WNM2016-3/TR-VB MOSFET是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要特点是采用了TrenchFET技术，这使得器件拥有更小的尺寸、更低的导通电阻和更好的热性能。它被设计用于直流到直流转换器以及...
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