冠禹半导体KS3415AA单 P沟道高级功率 MOSFET解决方案！

最新推荐文章于 2024-02-29 23:07:45 发布
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分类专栏： MOS管 文章标签： moosefs
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-20V/-4.5A,

Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SV

Rds（ON）=53mO 仃 yP・）@VGs"・8V

Low Rds（on）

Super High Dense Cell Design

Reliable and Rugged

ESD Protected （HBM>4000V）

​

Applications

Load Switch

产品特征：

-20V/-4.5A,

Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SV

Rds（ON）=53mO 仃 yP·）@VGs"·8V

低路（开）

超高密度电池设计

可靠且坚固

ESD保护（HBM>4000V）

产品应用：

负载开关

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电源技术中的瑞萨发布 P沟道功率MOSFET
12-09
瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻，用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日，将在日本开始样品发货。 与瑞萨科技先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。 笔记本电脑最近的趋势包括功能更高、CPU速度更快（随着处理信息量的增加，需要处理大量数据）、电压更低以及电流更大。因此要求DC-DC转换器电源管
NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品
01-19
NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。 此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通阻抗为业界的产品；另外4款产品与现有的60V耐压品相比，导通阻抗可减至一半。对于汽车厂商及器件厂商等用户而言，使用低导通阻抗产品可以减少电流流经时产生的热量，从而减轻电路设计时的负担。 新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有所差异，其中NP50P04（40V耐压、导通阻抗9.6 m欧姆）的样品价格为150日元/个。批量生产将从2007年年底开始
元器件应用中的Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET
11-09
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70?封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET? P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。 　　SiA433EDJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电
模拟技术中的NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品
11-24
近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，低漏极电流器件(ID(DC)<50A)中的导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中，额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻(RDS(ON))则降至3.7mOhm。 　　能实现P-沟道功率MOS
汽车电子中的NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品
12-08
NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。 此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通阻抗为业界最低的产品；另外4款产品与现有的60V耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。对于汽车厂商及器件厂商等用户而言，使用低导通阻抗产品可以减少电流流经时产生的热量，从而减轻电路设计时的负担。 新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有所差异，其中NP50P04（40V耐压、导通阻抗9.6 m欧姆）的样品价格为150日元/个。批量生产将从2007年
P沟道与N沟道MOSFET的基本概念
Yin_w的博客
02-29 1612
MOSFET：M~(Metal金属)~O~(Oxide氧化物)~S~(Semiconductor半导体)~，FET（Field Effect Transistor场效应晶体管)，即以金属氧化物场效应半导体场效应晶体管，是一个三端控制器，电压控制、高输入阻抗的单极器件。在电路中可视为一个开关管，其通断频率和峰值电压都非常高，且价格便宜，因此被广泛应用于各种电子电路中。后文将以N沟道增强型MOSFET为例讲其工作原理，P沟道MOSFET可进行类比。
低功耗设计中电容对系统的影响（—）
海闊天空的专栏
04-15 2546
使用XC6206-3.0的LDO，MCU通过MOS开关电路将部分负载关闭，并进入低功耗模式，此时待机电流为uA级（50uA），当系统被唤醒后，MCU输出高电平，使得XC6206输出电压通过MOS管开关电路导通，负载部分得电，整机电流达到40mA，此时用示波器实测，会有1.5ms的调整时间，其中200us中额定3v电压会被拉低至1.8V，导致整个系统复位。解决方案如下： 方法一、将XC6206
负载开关 脉宽调制应用 负载开关KS2310HB单P沟道功率MOS管解决方案
TaidL的博客
08-30 252
Features -20V/-14A, Rds（on）=7mQ 仃 yp.）@VGs=-4.5V Rds（on）=9mQ（T yp. ）@ Vgs=-2.5V RDs（ON）=12mQ（Typ.）@VGS=-1.8V Low Rds（on） Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Applications Load Switch PWM Applications Power Management 负载开关KS2310H
MOS管故障排查（G极电阻篇）
zjb6668的博客
02-18 565
栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充电，所有瞬间电流还是比较大的。因为增加的这个电阻，会减缓MOS管的开启与通断时间，增加损耗，所以不能接太大。我们经常看到，在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻用什么作用呢？如上图，MOS管的寄生电容有三个，Cgs，Cgd，Cds。
沟槽MOSFET系列：KS0320UA2单P沟道功率 MOSFET中文资料及选型方案！
TaidL的博客
08-30 328
特征 特点·-16V/-12A, Rps (on) =10mQ(Typ.)@Ves=-4.5V Ros (on) =14mQ(Typ.)@Vcs=-2.5V 低罗斯（开） 超高密度电池 设计 - 可靠且坚固 应用 负载开关 • PWM 应用 • 能源管理 阅读我的更多文章 常用电子元器件应用要点及识别方法，知识点很专业！ 大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析，新手必读 AOS万代AON6590 40v n沟道MOSFET中文资料及电路原理图 ...
MOS管耗尽型和增强型的区别是什么呢？
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TaidL的博客
02-02 1万+
耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGSVGS（th）（栅极阈值电压）才行。 由于耗尽型N沟道MOS管在SiO2绝缘层中掺有大量的Na+或K+正离子（制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子），当VGS=0时，这些正离子产生的电场能在P型衬底中感应出足够的电子，形成N型导电沟道；当VGS0时，将产生较
反激式开关电源芯片是什么？如何对反激开关电源mos管选型？
TaidL的博客
02-02 2502
1.反激式开关电源芯片--简介 反激式开关电源是指使用反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源。“反激”指的是在开关管接通的情况下，当输入为高电平时输出线路中串联的电感为放电状态；相反，在开关管断开的情况下，当输入为高电平时输出线路中的串联的电感为充电状态。与之相对的是“正激”式开关电源，当输入为高电平时输出线路中串联的电感为充电状态，相反当输入为高电平时输出线路中的串联的电感为放电状态，以此驱动负载。 2.反激式开关电源芯片原理 单端反激开关电源采用的是稳定性很好的双环路反馈的控制系统，所以它可以通
数字机顶盒的出现，未来mos管的市场应用还能走多远？
TaidL的博客
02-25 362
　　主题：数字机顶盒的出现，未来mos管的市场应用还能走多远？ 　　首先，大家跟着泰德兰电子网编一起来了解下数字机顶盒是什么，数字机顶盒也叫机顶盒。 　　数字视频变换盒(英语:Set Top Box，简称STB)，通常称作机顶盒或机上盒，是一个连接电视机与外部信号源的设备。它可以将压缩的数字信号转成电视内容，并在电视机上显示出来。信号可以来自有线电缆、卫星天线、宽带网络以及地面广播。机顶盒接收的内容除了模拟电视可以提供的图像、声音之外，更在于能够接收数字内容，包括电子节目指南、因特网网页、字幕.
android手机应用源码Imsdroid语音视频通话源码.rar
05-20
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营销计划汇报PPT，市场品牌 推广渠道 产品 营销策略tbb.pptx
05-20
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JavaScript_超过100种语言的纯Javascript OCR.zip
05-20
JavaScript
JavaScript_跨平台React UI包.zip
05-20
JavaScript
node-v16.17.0-headers.tar.xz
最新发布
05-20
Node.js，简称Node，是一个开源且跨平台的JavaScript运行时环境，它允许在浏览器外运行JavaScript代码。Node.js于2009年由Ryan Dahl创立，旨在创建高性能的Web服务器和网络应用程序。它基于Google Chrome的V8 JavaScript引擎，可以在Windows、Linux、Unix、Mac OS X等操作系统上运行。 Node.js的特点之一是事件驱动和非阻塞I/O模型，这使得它非常适合处理大量并发连接，从而在构建实时应用程序如在线游戏、聊天应用以及实时通讯服务时表现卓越。此外，Node.js使用了模块化的架构，通过npm（Node package manager，Node包管理器）,社区成员可以共享和复用代码，极大地促进了Node.js生态系统的发展和扩张。 Node.js不仅用于服务器端开发。随着技术的发展，它也被用于构建工具链、开发桌面应用程序、物联网设备等。Node.js能够处理文件系统、操作数据库、处理网络请求等，因此，开发者可以用JavaScript编写全栈应用程序，这一点大大提高了开发效率和便捷性。 在实践中，许多大型企业和组织已经采用Node.js作为其Web应用程序的开发平台，如Netflix、PayPal和Walmart等。它们利用Node.js提高了应用性能，简化了开发流程，并且能更快地响应市场需求。
P 沟道 MOSFET具体电路和元器件是什么
07-13
P 沟道 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一...总的来说，P 沟道 MOSFET 是一种基于金属、绝缘体和半导体材料的器件，通过调控栅极电压来控制电流流动，广泛应用于各种电子设备和电路中。

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