1.3 晶体二极管

 

1.3 晶体三极管

晶体三极管是一种关键的电子组件，广泛应用于放大、开关、稳压、信号调制等电路中。由于它们可以控制较大的电流和电压，而只需很小的输入信号，因此在电子技术中扮演着非常重要的角色。本节将深入探讨晶体三极管的结构、类型及其工作原理。

概述

晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，因此被称为双极型晶体管（BJT），亦称半导体三极管。晶体三极管具有不同的外形和功率等级，如图1.3.1所示，不同的外形设计帮助于适应不同的电子设备和需求。

图1.3.1 晶体管的常见外形

• (a) 小功率管
• (b) 小功率管（设计便于安装散热器）
• (c) 中等功率管（同样便于安装散热器）
• (d) 大功率管

小功率和中等功率管的设计考虑了散热需求，以防止因功耗过大而损坏晶体管。

1.3.1 晶体管的结构及类型

晶体三极管的核心是其内部的三个掺杂区，通过不同的掺杂方式在同一硅片上形成，构成了两个PN结，这是晶体三极管的基本结构。

NPN型晶体管的结构

采用平面工艺制造的NPN型硅材料晶体管，结构如图1.3.2(a)所示，具体包括：

• 基区：位于中间，P型，杂质浓度低，非常薄。
• 发射区：上层N型，掺杂浓度高。
• 集电区：下层N型，面积较大。

晶体管的外特性，如放大能力和频率响应，与这三个区域的特性密切相关。三个电极——基极（b）、发射极（e）、集电极（c）——各自承担不同的电路功能。

晶体管的PN结

• 发射结：发射区与基区间的PN结。
• 集电结：基区与集电区间的PN结。

晶体管的符号及其在电路中的表征也因此而区分为NPN型和PNP型，其中NPN型是本节的重点。

晶体管的功能与应用

晶体管主要用于信号放大，能够将微弱的电信号放大成足以驱动扬声器、电机等的强电信号。此外，通过分析晶体管的特性曲线和主要参数，可以深入理解其在不同应用中的表现和适用性。

总体来说，晶体三极管是现代电子设备中不可或缺的组件，其性能和可靠性直接影响到整个电子系统的效能。在未来的节中，我们将继续探讨如何应用晶体三极管来设计和实现更复杂的电子电路。

1.3.2 晶体管的电流放大作用

发射结的正向偏置与发射电流

当发射结被正向偏置时，大量自由电子从N型发射区通过扩散运动越过PN结到达P型基区，同时，由于基区杂质浓度低，只有少量空穴向发射区扩散，形成发射极电流𝐼𝐸IE​。在这一过程中，大部分的电子流向基区，而仅有一小部分空穴流向发射区，导致发射极电流以电子为主。

基区载流子的复合与基极电流

基区的自由电子与空穴的复合运动非常有限，因为基区很薄并且杂质浓度低。加上集电结的反向偏置，大多数扩散到基区的电子都不会与空穴复合，而是成为非平衡少数载流子，这部分电子会继续流向集电区。由此产生的基极电流𝐼𝐵IB​比发射极电流小得多。

集电结的反向偏置与集电极电流

由于集电结的反向偏置以及较大的结面积，基区的非平衡少数载流子在电场的作用下会漂移越过PN结到达N型集电区，形成集电极电流𝐼𝐶IC​。在这一过程中，漂移运动导致的电流是集电极电流的主要部分。

共射放大电路的工作原理

如图1.3.3所示，晶体管的共射放大电路包括输入电压信号𝐴𝑢1Au1​，该信号接入基极-发射极回路，构成输入回路。放大后的信号在集电极-发射极回路形成输出回路。因为发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。

为了让晶体管工作在放大状态，必须满足两个条件：发射结需要正向偏置，而集电结需要反向偏置。输入回路中需要加基极电源𝑉𝐵𝐵VBB​，而输出回路中需要加集电极电源𝑉𝐶𝐶VCC​。晶体管的放大作用体现在小的基极电流能够控制较大的集电极电流。

通过以上的分析，我们可以看出，晶体管是一种极其有效的电流放大器件。其在电子电路设计中的应用，使其成为现代电子技术不可或缺的基石之一。通过精确的控制，晶体管可以将微弱的电信号放大，以驱动更大的负载或者进行后续的信号处理。

 

二、晶体管的电流分配关系

电流分布

在晶体管中，电流的分配遵循特定的规律。发射极到基极的电子电流被表示为𝐼I，而基极到发射极的空穴电流被表示为𝐼2I2​。由基区内复合运动形成的电流为𝐼𝑀IM​，而未与空穴复合的电子（非平衡少子）在集电区形成的电流为𝐼𝐶IC​。由于平衡少子的漂移运动，集电区与基区之间也会产生电流，表示为𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​。这些电流之间的关系可以用公式来表达：

这些公式代表了晶体管内部电流的细节平衡。外部观察到的电流𝐼I是发射极电流𝐼𝐸IE​加上基极电流𝐼𝐵IB​。

共射电流放大系数

电流放大系数β是晶体管一个重要的参数，它定义为共射直流电流放大系数，即集电极电流𝐼𝐶IC​与基极电流𝐼𝐵IB​之比。根据以上电流分配关系，我们可以推导出：

在这里，𝐼𝐶𝐸𝑁ICEN​是穿透电流，当基极开路时，即在集电极电源𝑉𝐶𝐶VCC​作用下，集电极和发射极之间的电流。这意味着，即使没有基极电流，集电极也有一个小电流流过，这是由于电子自发射区通过发射结进入基区，但未被复合，然后穿过集电结。

对于小信号应用，通常β的值非常大（例如几百倍），意味着基极电流的一个小变化可以引起集电极电流的一个大变化。

共射交流电流放大系数

当考虑交流信号时，共射交流电流放大系数，表示为𝛽𝑎𝑐βac​，被定义为动态变化的集电极电流Δ𝐼𝐶ΔIC​与动态变化的基极电流Δ𝐼𝐵ΔIB​之比。在许多情况下，直流增益β和交流增益𝛽𝑎𝑐βac​是相等的，特别是当输入信号不是很大的时候。

共基电流放大系数

共基电流放大系数α则定义为集电极电流的变化量与发射极电流的变化量之比。通过将𝐼𝐶IC​和𝐼𝐵IB​的关系代入，可以得到α与β之间的关系：

或者

这意味着在晶体管的共基配置中，电流增益接近于1，这表明几乎所有的发射极电流都转化为集电极电流。

通过这些公式，我们可以深入理解晶体管如何在电路中作为一个电流放大器。公式的推导揭示了基极电流、发射极电流和集电极电流之间的精确关系，并提供了在设计放大电路时考虑这些参数的理论基础。在实际应用中，通过控制基极电流，可以精确控制集电极电流，从而实现信号的放大。这种性质使晶体管在模拟电子学中非常有用，尤其是在需要放大微弱信号的场合。

二、输出特性曲线

输出特性曲线是用于描述在基极电流𝐼𝐵IB​为常数的情况下，集电极电流𝐼𝐶IC​与集电极-发射极电压𝑈𝐶𝐸UCE​之间的关系。这可以表示为函数关系式 𝐼𝐶=𝑓(𝑈𝐶𝐸)IC​=f(UCE​)。

对于每一个固定的基极电流𝐼𝐵IB​，输出特性曲线都是一条独特的曲线，组成了一族曲线。如图1.3.6所示，随着𝑈𝐶𝐸UCE​从零开始增大，集电结电场逐渐增强，对基区非平衡少子的收集能力也逐渐增强，因此𝐼𝐶IC​逐渐增大。然而，一旦𝑈𝐶𝐸UCE​增大到足够大的值，集电结电场就能够收集基区的绝大多数非平衡少子，此时继续增大𝑈𝐶𝐸UCE​，集电极电流𝐼𝐶IC​不会明显增加，曲线在这部分基本平行于横轴。

从输出特性曲线可以区分出晶体管的三个工作区域：

1. 截止区：特点是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置，即𝑈𝐵𝐸≤0UBE​≤0且𝑈𝐶𝐸>0UCE​>0。在这一区域，基极电流𝐼𝐵=0IB​=0，集电极电流𝐼𝐶≤𝐼𝐶𝐵𝑂IC​≤ICBO​。对于小功率硅管，𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​很小（在微安以下），因此可以近似认为在截止状态下，集电极电流𝐼𝐶=0IC​=0。

2. 放大区：这是发射结正向偏置（即𝑈𝐵𝐸>0UBE​>0）且集电结反向偏置的状态。在这个区域，𝐼𝐶IC​几乎完全由𝐼𝐵IB​决定，与𝑈𝐶𝐸UCE​无关，展示了晶体管的放大作用。在这里，𝐼𝐶IC​与𝐼𝐵IB​之间的关系是 𝐼𝐶=𝛽𝐼𝐵IC​=βIB​，如果动态改变基极电流，则集电极电流变化量Δ𝐼𝐶=𝛽Δ𝐼𝐵ΔIC​=βΔIB​。在理想情况下，曲线应该是一组平行于横轴、等距离分布的直线。

3. 饱和区：发射结和集电结都正向偏置的状态。此时，𝐼𝐶IC​不仅与𝐼𝐵IB​相关，还随𝑈𝐶𝐸UCE​增大而增大，𝐼𝐶<𝛽𝐼𝐵IC​<βIB​。在实际电路中，如果集电极电压𝑈𝐶𝐸UCE​增大，而集电极电流𝐼𝐶IC​不再明显增加或基本保持不变，则表明晶体管已进入饱和区。对于小功率晶体管，当𝑈𝐶𝐸≈𝑈𝐵𝐸UCE​≈UBE​，即𝑈𝐶𝐸≈0𝑉UCE​≈0V时，晶体管处于临界状态，可以认为是临界饱和或临界放大状态。

在模拟电路设计中，大多数情况下都是希望保持晶体管在放大区工作，以便它可以对信号进行有效放大而不引入失真。设定适当的偏置条件和操作点，确保晶体管即使在信号的最大摆幅下，也不会进入截止或饱和状态，是设计稳定高效放大器电路的关键。

 

1.3.4 晶体管的主要参数

在电子电路的设计与分析中，晶体管的参数起着关键作用。我们将介绍一些基本的直流和交流参数，以及对这些参数的极限值的理解。

一、直流参数

1. 共射直流电流放大系数𝛽β
   这是最常用的参数之一，它定义为集电极电流𝐼𝐶IC​与基极电流𝐼𝐵IB​的比例。在晶体管的数据手册中通常给出此值。

2. 共基直流电流放大系数𝛼α
   当集电极电流𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​可以忽略时，𝛼α可以表示为发射极电流𝐼𝐸IE​与基极电流𝐼𝐵IB​的比例。由于𝛼α与𝛽β之间的关系，𝛼α通常略小于1。

3. 极间反向电流𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​
   这是在发射极开路的条件下，集电极与基极之间的反向饱和电流。稳定性好的晶体管这一参数较小。

二、交流参数

交流参数描述晶体管对动态信号的响应。

1. 共射交流电流放大系数𝛽𝑎𝑐βac​
   它是在交流条件下基极电流变化引起的集电极电流变化的比率。这个参数对于放大器的设计尤为重要。

2. 共基交流电流放大系数𝛼𝑎𝑐αac​
   与直流参数类似，在交流条件下的𝛼α值近似等于1。

3. 特征频率𝑓𝑇fT​
   这是一个表明晶体管最高工作频率的指标。频率增加到𝑓𝑇fT​时，交流电流放大系数下降至1。

三、极限参数

极限参数指示了晶体管安全工作的电压、电流和功率损耗的最大值。

1. 最大集电极耗散功率𝑃𝐶(𝑚𝑎𝑥)PC(max)​
   这个参数是由于晶体管的温度上升所限制的，指的是晶体管在不超过特定温度时能够耗散的最大功率。

2. 最大集电极电流𝐼𝐶(𝑚𝑎𝑥)IC(max)​
   这是晶体管可以承受的最大集电极电流，在这一点以上，晶体管的性能可能会退化。

3. 极间反向击穿电压
   指的是晶体管的极间所能承受的最高反向电压。超过这个值可能会导致晶体管损坏。

在设计电路时，要保证晶体管在各种条件下都在其极限参数的安全区内工作，以避免过热或损坏。

温度的影响

晶体管的许多参数都会随温度改变。例如，极间反向电流𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​会随温度上升而增加。通常，对于硅晶体管，温度每升高10℃，𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​就会大约增加一倍。由于硅管的𝐼𝐶𝐵𝑂ICBO​较锗管小，所以硅管的性能受温度影响较小，因此在温度稳定性上硅管通常优于锗管。

在选择晶体管型号时，不仅要根据电路的功能和要求（如频率、功率、开关速度等），还要考虑其在预期工作环境温度范围内的稳定性和可靠性。

 

 

二、温度对输入特性的影响

在探讨晶体三极管的特性时，我们不能忽视温度的影响，尤其是其对输入特性的显著作用。晶体管的输入特性曲线，类似于二极管的伏安特性，随着温度的升高会向左移动。这个左移现象意味着在更低的发射结电压下可以获得相同的基极电流。具体来说，对于一个固定的基极电流，基极-发射极电压（𝑈𝐵𝐸UBE​）会随着每升高1℃，大约下降2到2.5mV。这个负温度系数的现象在设计时必须被考虑，因为它影响了晶体管的偏置和工作点。

在实际应用中，如果发射结电压保持不变，温度上升将导致基极电流的增加，这可能会导致电路的工作点发生偏移。这种温度依赖性需要通过电路设计中的温度补偿措施来加以控制，以维持晶体管的稳定运行。

1.3.6 光电三极管

光电三极管是晶体三极管的一种变种，它能够根据光照的强度来控制集电极电流。这使得光电三极管特别适合于那些需要光控制输入的应用，如自动化光电检测系统。光电三极管的结构允许它在不同光照条件下，将光信号转换成电信号。

其功能可等效为一只光电二极管与一只晶体管相连，但只引出集电极和发射极。当没有光照时，晶体管的集电极电流称为暗电流，它比光电二极管的暗电流大约多两倍，同时也更受温度的影响。实际上，温度每上升25℃，暗电流可增加大约10倍。有光照时产生的集电极电流称为光电流，它几乎完全由入射光强度决定。

使用光电三极管时，需要考虑其极限参数，比如反向击穿电压和最大集电极功耗等，以确保设备的稳定性和安全性。通过精确控制光电三极管的工作环境和电路参数，可以有效地使用光电三极管在各种光电应用中进行信号转换。