1.5 集成电路的元件

1.5 集成电路中的元件

集成电路，是一种高度复杂的电子器件，它通过特定的制造工艺在一块半导体基片上集成了众多的电子元件，如晶体管、场效应管、二极管、电阻和电容等。这种技术的应用不仅提高了电路的集成度和功能性，还显著减少了体积、功耗和外部连线，增强了电子设备的可靠性和灵活性。集成电路的设计和制造是现代电子技术中最为关键的部分之一，它使得电子设备能够更小型化，同时实现更高的性能和更低的成本。

1.5.1 集成双极型管

一、NPN型管

在集成电路的制造过程中，为了确保各元件之间的电气隔离，通常会利用PN结的特性。PN结在反向偏置时表现出很高的电阻，通过将N区或P区的四周用PN结环绕，形成所谓的隔离岛，从而实现元件的互相隔离。

制造集成电路的基本步骤包括氧化、光刻、腐蚀、扩散、外延以及再次氧化等重复过程。在这些过程中，首先在基片上制造出隔离岛，然后在隔离岛中制造出基区，接着是发射区和集电区的制造，最后是各极的引出窗口的制造。

如图1.5.1(a)所示，展示了集成电路制造过程中的剖面图。其中中间的N区即为隔离岛，它两侧的P*区则为隔离槽。在隔离岛中，经过一系列精细的工艺步骤，最终形成了NPN型管，如图(b)所示。这种结构的NPN型管是集成电路中常见的一种双极型晶体管，广泛应用于放大和开关电路中。

通过这些高度专业化的制造过程，集成电路能够在微小的空间内实现复杂的电子功能，为现代电子技术的发展提供了强有力的支持。

1.5.1 集成双极型管

二、PNP型管

在集成电路中，PNP型管是一种关键的双极型晶体管，广泛应用于各种放大和开关电路。PNP型管主要有两种形式：衬底PNP管和横向PNP管，它们的结构和工作原理各有特点。

衬底PNP管

衬底PNP管通常以隔离槽作为其集电极，这种结构使得它属于纵向管，即载流子（电子或空穴）从发射区沿纵向移动到集电区。这种纵向的运动路径和精确控制的基区厚度使得衬底PNP管通常具有较高的电流放大系数（β值）。然而，由于隔离槽只能连接到电路中电位最低的部分，这限制了其应用的灵活性。

横向PNP管

与衬底PNP管不同，横向PNP管的载流子是沿着水平方向从发射区向集电区移动，因此被称为横向管。由于制造工艺的限制，这种管的基区通常较厚，导致其电流放大系数较低（仅为2至20倍）。尽管如此，其发射结和集电结的耐压性较高，使得横向PNP管在特定应用中仍然非常有价值。

复合管的应用

由于横向PNP管和纵向NPN管各自的优缺点，将这两种管结合使用可以构建出具有较高电流放大系数且耐压较高的复合管，这种复合结构特别适用于要求高性能的放大电路。通过这种方式，集成电路设计师可以充分利用各种类型管子的优势，实现更加高效和可靠的电子设备设计。

如图1.5.2所示，展示了集成电路中的PNP型管的两种典型结构，突出了衬底PNP管和横向PNP管的设计与功能差异。这种详细的结构展示有助于理解各种管型在电路设计中的具体应用和性能表现。

以上讨论和图示可参考《模拟电子技术基础(第三版)》1.6节的进一步详细解释。

1.5.1 集成双极型管

三、其它类型晶体管

集成电路的发展推动了多种特殊类型晶体管的设计和制造，以适应不同电路的需求。以下介绍三种特殊类型的晶体管：多发射极管、多集电极管和超β晶体管。

多发射极管

在集成电路中，特别是在数字电路的设计中，多发射极管是一种常见的组件。这种晶体管包含多个发射区，允许它同时处理多个信号。制造这种管子的过程中，在NPN型管的基础上增加多个发射区，从而扩展了其功能性。

如图1.5.3(a)所示，展示了多发射极管的结构，其中多个N*表示多个发射区，这些区域均布置在同一P型基区中。图1.5.3(b)则展示了该管子的电路符号，标明了其多功能性和应用场景。

多集电极管

在制作横向PNP型管的基础上，若增加多个集电区，就可以得到多集电极管。这种管的特点是各集电极电流的比例可以通过调整各集电区面积的比例来精确控制，使其特别适用于作为集成放大电路中的电流源电路。

图1.5.4(a)展示了多集电极管的结构，不同的集电区分布在P型基区中，而图1.5.4(b)为其电路符号，反映了其在集成电路设计中的多样应用。

超β晶体管

在制造普通NPN型管的过程中，如果将基区厚度极大减薄至0.1至0.2微米，可以制造出超β晶体管。这种晶体管的β值（电流增益系数）可以非常高，达到千倍以上，但相应的反向击穿电压较低，一般在10至20伏。超β晶体管因其高精度的性能，通常用于高精度集成放大电路的输入级。

超β晶体管的应用重点在于其能够在极低的基极电流下仍保持高的电流增益，使得它成为精密放大电路的理想选择。尽管有反向击穿电压低的限制，其在高性能电路中的应用仍然广泛。

通过这些特殊类型的晶体管，集成电路的设计师可以针对不同的电子电路需求，选择最合适的组件来实现更高效、更可靠的电路设计。

1.5.2 集成单极型管

在现代集成电路中，单极型晶体管，尤其是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），扮演着核心的角色。这些元件以其高效率和灵活的设计特性，在多种电子设备中被广泛应用。

CMOS电路

结构与特点

CMOS（互补金属-氧化物半导体）电路是一种关键的集成电路技术，它结合了N沟道MOS管（NMOS）和P沟道MOS管（PMOS）来形成高效的开关电路。这种配置的优点在于它能够显著降低电路的功耗，同时提供宽广的工作电源电压范围和极小的输入电流。

在集成MOS电路中，NMOS和PMOS管的结构与其分立元件形式相同。在CMOS设计中，通常将N沟道管和P沟道管布置在同一硅片上，利用其互补性能来提高电路的整体效率和性能。

图解解析

如图1.5.5所示，展示了CMOS电路的结构和电路符号：

• 图1.5.5(a): 描述了CMOS电路的物理结构。在这种结构中，PMOS管通常位于N沟道衬底或N型硅的上方的P阱中，而NMOS管则直接构建在N型衬底上。这样的布局使得两种管子能够有效地在电路中共存，并通过衬底与P阱的隔离实现互补工作。
• 图1.5.5(b): 显示了CMOS电路的符号，其中包括源极、漏极和栅极的标识。CMOS电路的符号设计反映了其输入和输出端的对称性及其互补的开关特性。

应用与优势

CMOS技术由于其低功耗和高效率的特性，成为了数字集成电路和各类处理器中的首选技术。它在电脑处理器、内存芯片、传感器以及各种微型电子设备中都有应用。此外，CMOS电路的高度集成能力使其在制造成本和物理尺寸上具有显著优势，这对于现代电子设备的小型化和高性能化要求尤为重要。

总之，CMOS电路在集成电路技术中的广泛应用和持续发展，彰显了其在现代电子技术中的核心地位。通过不断的技术革新，CMOS电路持续推动着电子设备向更高效、更低功耗的方向发展。

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1.5.3 集成电路中的无源元件

无源元件在集成电路中起着至关重要的基础性角色，包括二极管、电阻和电容等。这些元件的制造通常不需要特殊工艺，并且可以利用现有的半导体制造过程和结构。

制造方法

• 二极管和稳压管：可以通过利用NPN型晶体管的发射结来实现。这种方法简化了制造过程，因为它使用了已存在于晶体管中的结构。
• 电阻：通常通过利用NPN型晶体管的基区体电阻来制造。这种方法有效地使用了晶体管中本身的电阻特性，无需额外的制造步骤。
• 电容：可以通过使用PN结势垒电容或者MOS管栅极与沟道间的等效电容来实现。这些电容是利用现有的半导体结构，通过改变制造参数来调整其电容值。

1.5.4 集成电路中元件的特点

集成电路的元件与分立元件相比具有多种独特的特点，这些特点使得集成电路在电子设计中具有显著的优势。

主要特点

1. 良好的对称性：集成电路中的元件在同一硅片上采用相同的制造工艺，这保证了它们的性能一致性。此外，由于元件距离极近，环境温度的微小差异对性能的影响也减少，从而提高了温度对称性。
2. 电阻与电容的限制：在集成电路中，电阻和电容的数值受到一定的限制。由于这些元件占用的硅片面积与其数值成正比，因此很难制造大电阻和大电容。电阻的阻值通常在几十到几千欧姆，而电容一般小于100皮法拉。
3. 晶体管的性能差异：纵向晶体管通常具有较高的β值（电流放大倍数），而横向晶体管虽然β值较小，但其PN结的耐压性能较高。
4. 有源元件取代无源元件：由于集成电路中空间有限，且大值电阻和电容不易制造，设计师常常优先考虑使用占用面积小且性能优良的有源元件（如纵向NPN管）来取代电阻和电容。

设计优化

在集成电路设计中，有效地利用有限的硅片空间是至关重要的。通过优化元件布局和选择合适的制造技术，设计师可以最大化电路的性能和可靠性，同时满足成本和空间的约束。这些特点共同定义了集成电路在现代电子技术中的核心地位，使其在各种应用领域中发挥关键作用。