4.4 单管放大电路的频率响应
引言
在本节中,我们将探讨单管放大电路的频率响应。通过利用晶体管和场效应管的高频等效模型,可以有效地分析放大电路在不同频率下的表现。我们将以单管共射放大电路为例,详细分析其在低频、中频和高频段的表现及特性。
4.4.1 单管共射放大电路的频率响应
电路结构与等效模型
单管共射放大电路是一种常用的放大电路配置。图4.4.1(a)展示了该电路的基本结构,而图4.4.1(b)则是适应于频率从零到无穷大的交流等效电路。在这种配置中,电路包括耦合电容和结电容,这些电容对频率响应有显著影响。
频率响应的分段分析
对于放大电路的频率响应分析,通常将输入信号的频率范围分为三个频段:低频、中频和高频。
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低频段:在低频段,重要的是考虑耦合电容的影响,因为其容抗在低频下较大,不能忽视。此时,结电容由于容抗很大,通常视为开路。
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中频段:中频段通常视为电路分析的理想状态,此时极间电容因容抗很大而视为开路,耦合电容由于容抗很小而视为短路。在这一段,电路的分析相对简单,可以忽略这些电容的影响。
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高频段:在高频段,极间电容的影响变得重要,需要在模型中考虑它们,而耦合电容仍然视为短路。
中频电压放大倍数的计算
在中频段,放大电路的等效电路如图4.4.2所示。由于耦合电容可以视为短路,而极间电容视为开路,因此可以采用简化的模型来计算放大倍数。输入电阻可以表示为 𝑅=𝑅in∥(𝑟𝑢𝑤+𝑟𝑦)R=Rin∥(ruw+ry)。中频电压放大倍数 𝐴A 可以用以下公式计算: 𝐴≈−𝑅𝑐𝑅in∥𝑅1A≈−Rin∥R1Rc 其中,𝑅𝑐Rc 是负载电阻,𝑅inRin 和 𝑅1R1 分别是输入电阻和耦合电阻。
总结
通过上述分析,我们可以明白不同频段对放大电路性能的影响。这种理解对于设计高效的放大电路至关重要,特别是在处理各种信号的传输和放大时。每个频段的分析都有助于优化电路设计,以应对不同的应用需求。通过这种分段方法,设计者可以更精确地预测和调整电路的性能,以满足特定的技术要求。
4.4.2 单管共射放大电路的低频电压放大倍数
低频等效电路分析
在低频应用中,电路的响应受耦合电容 𝐶C 的显著影响。由于耦合电容在低频下的容抗较大,它不能被视为短路,从而在分析时需要特别注意。
低频等效电路
图4.4.3(a)展示了单管共射放大电路的低频等效模型,其中耦合电容 𝐶C 与负载电阻 𝑅𝐿RL 一起构成了一个高通滤波电路,这对低频信号的传递和放大有着重要影响。
输出回路的等效变换
如图4.4.3(b)所示,输出回路可以通过将受控电流源 𝑔𝑚𝑈ingmUin 与 𝑅𝐿RL 进行等效变换来进一步简化。这种变换有助于更清楚地看到输出电压 𝑈𝑜Uo 如何被电路元件影响。
低频电压放大倍数的计算
在低频段,放大倍数 𝐴A 的计算变得复杂,需要考虑耦合电容的影响。电压放大倍数的表达式由下式给出:
𝐴低频=(−𝑔𝑚𝑅𝐿)⋅𝑅in𝑅in+𝑅1A低频=(−gmRL)⋅Rin+R1Rin
其中,𝑅inRin 是输入电阻,𝑅1R1 是电路中的其他电阻。通过将式(4.4.2)代入上述表达式,并简化分子与分母,我们可以得到:
𝐴𝑚=𝑅+压(−𝐵⋅𝑅out)⋅𝑚(+𝑅)𝐶Am=R+压(−B⋅Rout)⋅m(+R)C
下限频率的确定
下限频率 𝑓f 是一个重要的参数,它定义了电路开始有效放大的最低频率点。根据低频电压放大倍数的表达式,下限频率的计算公式为:
𝑓=12𝜋(𝑅in+𝑅1)𝐶f=2π(Rin+R1)C1
这里的 (𝑅in+𝑅1)𝐶(Rin+R1)C 实际上是电路从耦合电容 𝐶C 两端看到的等效时间常数。
对数幅频特性与相频特性
根据式(4.4.3)和(4.4.5),我们可以得出单管共射放大电路在低频段的对数幅频特性和相频特性。低频段的最大附加相移为 +90°,这反映了由电抗元件引起的相移,是低频信号特有的现象。
这种详细的分析有助于理解和设计针对特定频率范围的放大电路,特别是在处理低频信号时,能够确保电路设计满足预期的性能标准。
4.4.3 单管共射放大电路的高频电压放大倍数
高频等效电路分析
当分析高频应用时,特别重要的是考虑由于极间电容 𝐶′C′ 的影响。在高频信号作用下,这些电容对电路的响应起着关键作用。
高频等效电路
图4.4.4(a) 显示了单管共射放大电路的高频等效电路。在这种配置中,电容 𝐶′C′ 和相关电阻 𝑅R 一起构成了一个低通滤波器,这对高频信号的传递和衰减有显著影响。
输入回路的等效变换
利用戴维宁定理,可以将从 𝐶′C′ 两端向左看的电路等效变换成图4.4.4(b) 所示的电路。这种变换有助于分析和理解在高频段电路的行为。
高频电压放大倍数的计算
在高频段,由于 𝐶′C′ 的影响,电路的等效内阻和开路电压需要重新计算以得到精确的放大倍数。开路电压和等效内阻的表达式分别由以下公式给出:
𝑈be=𝑔𝑚⋅𝑈inUbe=gm⋅Uin 𝑅eq=𝑟𝑣∥(𝑟𝑤+𝑅𝐿∥𝑅)Req=rv∥(rw+RL∥R)
其中,𝑟𝑣rv, 𝑟𝑤rw, 和 𝑅𝐿RL 分别代表不同部分的电阻,这些电阻与电容 𝐶′C′ 一起决定了电路的整体响应。
高频电压放大倍数的表达式
在高频电压放大倍数 𝐴A 的计算中,需要特别注意 𝐶′C′ 所在回路的时间常数,这可以用下面的公式来描述:
𝑓𝑚=12𝜋𝑘𝐶′𝑅fm=2πkC′R1
这里的 𝑘k 是一个与电路设计相关的系数,𝑅R 和 𝐶′C′ 是构成低通滤波器的电阻和电容。
对数幅频特性与相频特性
高频段的对数幅频特性和相频特性由以下表达式给出:
𝐴=𝐴mid⋅11+𝑗𝜔/𝜔𝑐A=Amid⋅1+jω/ωc1 𝜙=−tan−1(𝜔/𝜔𝑐)ϕ=−tan−1(ω/ωc)
式中 𝜔𝑐ωc 是由 𝐶′C′ 确定的截止频率。这些表达式显示,随着频率的增加,由于 𝐶′C′ 的影响,放大倍数会下降,而相位会产生最大 -90° 的附加相移。
通过上述分析,我们可以看到在设计高频放大电路时,如何精确考虑各种电容的影响,以确保电路在整个工作频率范围内的性能满足预期标准。这种理解对于高性能电子设备设计至关重要,特别是在要求高频响应的应用中。
4.4 波特图及其数学与物理背景
波特图的基本概念
波特图是一种表达频率响应的图表,通常包括幅频特性图和相频特性图。幅频特性图显示放大倍数(以分贝为单位)随频率变化的情况,而相频特性图则显示输出信号相对于输入信号的相位差随频率的变化。
数学公式的推导与物理意义
电压放大倍数的推导过程
在单管共射放大电路中,电压放大倍数 𝐴A 通常与电路的配置和元件特性有关。数学上,该值的推导涉及到电路的等效电阻和电容计算,这些计算基于如下几个方程:
-
中频电压放大倍数 𝐴midAmid:
其中 𝑅𝐶RC 是负载电阻,𝑅inRin 和 𝑅1R1 分别是输入电阻和耦合电阻。这个表达式考虑的是耦合电容和结电容在中频时的开路和短路行为。
-
低频电压放大倍数 𝐴lowAlow:
在低频下,耦合电容的容抗较大不能忽略,从而影响了整体的电压放大倍数。
-
高频电压放大倍数 𝐴highAhigh:
高频放大倍数受到极间电容的显著影响,需要考虑极间电容引起的频率响应衰减。
数学技巧与物理解释
- 使用戴维宁定理转换复杂的电路模型,简化电路分析过程。
- 低通和高通滤波器的概念在电路中的实现,用以控制不同频段的信号通过性。
- 时间常数的计算 𝜏=𝑅𝐶τ=RC,它是影响截止频率的关键因素,从而确定频率响应的形状。
波特图的绘制与分析
波特图的数学基础
波特图的绘制基于电压放大倍数表达式的对数形式:
其中 是随频率变化的放大倍数。
示例计算与波特图
【例4.4.1】给出的电路参数允许我们计算中频、低频和高频的放大倍数,以及上限频率 𝑓𝑛fn 和下限频率 𝑓𝑖fi。
- Q点的计算和 混合π模型参数的求解 提供了电路的基本工作点和小信号模型参数。
- 截止频率的计算,利用公式
,其中 𝜏τ 是时间常数,反映了电路对频率响应的敏感性。
波特图绘制
- 根据计算的放大倍数和截止频率,可以绘制出波特图。
- 幅频图中,中频放大倍数在一定频率范围内保持稳定,而在低频和高频边缘因耦合电容和极间电容的影响而下降。
- 相频图显示在低频和高频边缘的相位移动,通常在过渡频率处有明显的变化。
这些分析有助于理解放大电路在不同频率下的性能,以及设计高性能放大器时需要考虑的因素。
4.4.2 单管共源放大电路的频率响应
共源放大电路概述
共源放大电路是场效应管放大器中最常用的配置之一,特别是在需要高输入阻抗和适中输出阻抗的应用中。该配置提供了良好的电压增益,同时保持了较宽的频率响应。
动态等效电路分析
图解说明
共源放大电路的动态等效电路包括输入侧的耦合电容和各极之间的极间电容 𝐶′C′。这些电容对电路的频率响应起到关键作用,因为它们影响信号的传输速度和衰减。
中频电压放大倍数
在中频段,耦合电容 𝐶C 由于其低容抗被视为短路,而极间电容 𝐶′C′ 由于高容抗被视为开路。这时电路的电压放大倍数 𝐴midAmid 可以简化为: 𝐴mid=−𝑔𝑚𝑅𝐷Amid=−gmRD 其中 𝑔𝑚gm 是晶体管的跨导,𝑅𝐷RD 是漏电阻。
高频电压放大倍数
在高频段,耦合电容 𝐶C 仍然短路,但需要考虑极间电容 𝐶′C′ 的影响。极间电容和相关电阻形成的时间常数 𝜏τ 定义了电路的高频截止频率 𝑓𝑛fn: 𝑓𝑛=12𝜋𝜏fn=2πτ1 𝜏=𝑅𝐷𝐶′τ=RDC′
低频电压放大倍数
在低频段,耦合电容 𝐶C 的影响变得显著,因为其容抗在低频下较大,不能被忽略。低频截止频率 𝑓𝑙fl 由耦合电容和它看到的电阻 𝑅1+𝑅4R1+R4 的时间常数决定:
波特图绘制与分析
虽然未直接显示,但单管共源放大电路的波特图可以根据上述频率响应分析绘制。波特图将显示:
- 幅度响应:中频时电压放大倍数保持相对稳定,而在低频和高频极限附近由于电容的影响而下降。
- 相位响应:在低频和高频截止点附近,相位将会有显著变化,通常是由电容引起的相移。
这种分析对于理解和设计高性能的放大电路极为重要,特别是在应用中需要精确控制频率响应的情况下。通过对共源放大电路的深入分析,我们能够更好地预测和调整电路设计,以适应特定的技术需求。
4.4.3 放大电路频率响应的改善和增益带宽积
改善放大电路的低频特性
低频特性的改善主要涉及耦合电容和电阻的调整。通过增大耦合电容 𝐶C 和其回路的电阻 𝑅R,可以增大回路的时间常数 𝜏=𝑅𝐶τ=RC,从而降低下限频率 𝑓𝑙fl。这样做可以改善放大器在低频下的性能,使其对低频信号的响应更为有效。然而,这种方法的改善效果有限,尤其是在极低频的应用中,可能需要采用直接耦合的放大电路以避免耦合电容导致的信号损失。
改善放大电路的高频特性
对于高频特性的改善,关键是减小极间等效电容 𝐶′C′ 或源漏间等效电容 𝐶′C′ 以及其回路的电阻,以减小回路的时间常数,从而提高上限频率 𝑓𝑢fu。根据 𝐶′=𝐶+(1+∣𝐾∣)𝐶C′=C+(1+∣K∣)C 和 𝐴=−𝑔𝑚𝑅A=−gmR 可以看出,减小 𝑅R 和 𝑔𝑚𝑅gmR 可以减小 𝐶′C′,但这会使压放大倍数 ∣𝐴∣∣A∣ 减小。因此,提高上限频率 𝑓𝑢fu 和增加电压放大倍数 ∣𝐴∣∣A∣ 在设计上是相互矛盾的。
带宽与增益的矛盾
对于大多数放大电路,上限频率通常大于下限频率,从而整个通频带 𝑓=𝑓𝑢−𝑓𝑙f=fu−fl 与放大倍数 ∣𝐴∣∣A∣ 的关系构成了带宽与增益的矛盾:增益的提高往往会导致带宽变窄,而增益的降低则使带宽变宽。为了综合考虑这两方面的性能,引入了“增益带宽积”这一概念,它基本上是一个常量,表示增益和带宽之间的权衡。
增益带宽积
增益带宽积 ∣𝐴⋅𝑓∣∣A⋅f∣ 是放大器设计中的一个关键参数,表明放大器的性能限制。对于单管共射或共源放大电路,增益带宽积近似为一个常量。这意味着,当晶体管选定后,放大倍数和带宽几乎成反比变化。在设计中,通常通过选择低内部电容的高频晶体管和减小回路的电阻来尽量扩大带宽。
选择性与放大电路应用
在某些应用中,并不总是需要宽带宽。例如,在振荡器设计中,放大电路应具有很强的选频特性,只放大某个特定频率的信号,而快速衰减其他频率的信号。这种设计可以提高振荡波形的质量,并有助于减少外部干扰。因此,在已知信号频率范围的情况下,放大电路只需要具备足够的通频带,这样做不仅有助于提高电路性能,还可以有效抵抗外部干扰。
综上所述,增益带宽积是评估和优化放大电路设计的重要工具,它帮助设计师在增益和带宽之间找到最佳平衡。