模电笔记4 半导体三极管及放大电路基础

4.1半导体三极管

4.1.1BJT的结构简介

结构特点：

+、++、- 表示掺杂浓度的高低

4.1.2放大状态下BJT的工作原理

发射结正偏，发射区向基区注入载流子，基区有了大量与原基区少数载流子相同极性的载流子，从而集电区收集到大量载流子，形成较大的集电极电流。
改变发射结正偏电压，则有不同的i_B 和i_E ，从而导致不同的i_C

发射结正偏电压与发射极电流的关系就是PN结正向特性

2 电流分配关系：


3 三极管的三种组态

集电极不能作输入
基极不能作输出

4 放大作用


A_V 与负载电阻R_L有直接关系

两个电压源的作用：
1、提供三极管的工作条件（发射结正偏集电结反偏）
2、提供能量

4.1.3BJT的V-I特性曲线

1、输入特性曲线


2、输出特性曲线

4.1.4BJT的主要参数

4.2共射极放大电路的工作原理

4.2.1 信号放大的实现

1、发射结正偏，集电结反偏的建立

一般硅管V_BEQ=0.7V ，锗管V_BEQ=0.2V ，β已知。

3、静态工作点对信号放大的影响
1、I_BQ 过大→I_CQ 过大→R_C 上压降过大→V_CEQ 过小
2、R_C 阻值过大→R_C 上压降过大→V_CEQ 过小

若I_BQ 过小，使I_CQ 过小，导致R_C 上压降很小，则V_CEQ 过大