5.1 概述

 

第五章 半导体存储电路

内容提要

本章将系统介绍各种半导体存储电路的结构、工作原理和使用方法。首先介绍基本的存储单元，然后介绍由这些存储单元组成的寄存器和随机存储器，包括静态随机存储器和动态随机存储器。最后还将介绍各种只读存储器。

5.1 概述

在复杂的数字电路中，不仅需要对各种数字信号进行算术运算和逻辑运算，而且还需要在运算过程中不断地将运算数据和运算结果保存起来。因此，存储电路就成为计算机以及所有复杂数字系统不可缺少的组成部分。

通常将只能存储一位数据的电路叫做存储单元，将用于存储一组数据的存储电路叫做寄存器 (Register)，将用于存储大量数据的存储电路叫做存储器 (Memory)。寄存器和半导体存储器中都包含了许多存储单元。

半导体存储电路中使用的存储单元可以分为静态存储单元和动态存储单元两大类。静态存储单元由门电路连接而成，其中包括各种电路结构形式的锁存器和触发器。只要不切断供电电源，静态存储单元的状态会一直保持下去。动态存储单元则是利用电容的电荷存储效应来存储数据的。由于电容的充放电需要一定的时间，因而它的工作速度低于静态存储单元。而且，电容上存储的电荷会随着时间的推移而逐渐泄漏，必须定期进行“刷新”（即将原来的数据重新写入），才能保证数据不会丢失。虽然如此，由于动态存储单元的电路结构十分简单，所以仍然被广泛用于大容量的存储器当中。

寄存器由一组触发器组成，每个触发器的输入和输出都有引出端，可以直接和周围电路连接，快速地进行数据交换。由n个触发器组成的寄存器可以存储一组n位的二值数据。

存储器的种类虽然很多，但它们的基本结构形式都是由存储矩阵和读/写控制电路两部分组成的。首先，根据工作方式的不同，可以将存储器分为随机存储器 (Random Access Memory, 简称 RAM) 和只读存储器 (Read-Only Memory, 简称 ROM) 两大类。随机存储器的工作特点是可以随时从其中快速地读出或写入数据。随机存储器又分成静态随机存储器 (Static Random Access Memory, 简称 SRAM) 和动态随机存储器 (Dynamic Random Access Memory, 简称 DRAM)，静态随机存储器中采用的是静态存储单元，而动态存储器中采用的则是动态存储单元。

只读存储器的工作方式与随机存储器不同，在正常的读/写工作状态下，只能从其中读出所存储的数据。因此，只读存储器一般都用来存储一些固定的数据。只读存储器中又有“掩模ROM” (Mask Read-Only Memory)、“可编程ROM” (Programmable Read-Only Memory, 简称 PROM) 和“可擦除的可编程ROM” (Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称 EPROM) 几种不同类型。掩模 ROM 中的数据在制作芯片时已经确定，无法更改。而 PROM 中的数据可以由用户根据自己的需要写入，但一经写入以后就不能再修改了。EPROM 中的数据则不但可以由用户自己写入，而且还能擦除重写，所以具有更大的使用灵活性。早期的 EPROM 曾经采用紫外线照射的方法进行擦除，但不仅擦除操作非常费时，而且器件的成本也比较高，所以现在已经完全被使用电信号擦除的 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称 EEPROM) 所取代。目前在 U 盘和各种便携式移动设备中广泛使用的“闪存” (Flash Memory) 就是一种 EEPROM。虽然 EEPROM 中的数据可以擦除改写，但由于擦除改写的速度相对读出的速度慢得多，所以通常仍然将它用作只读存储器。