一、目的
大部分情况下芯片自带的SRAM足够我们使用,但是当我们实现复杂GUI特效显示的时候,一般都会配备SDRAM芯片用作图像显存;那什么是SDRAM,SDRAM如何初始化,如何进行SDRAM读写就是必须要解决的问题,本篇给大家介绍SDRAM的工作原理以及如何通过STM32CubeMX进行配置。
本篇使用的开发板是ArtPi开发板(RT-Thread出品),板载W9825G6KH-6,其基本信息:4M words x 4banks x 16bit,内部有4个bank,每个bank的大小为13行9列个存储单元,每个存储单元16bit,也就是位宽为2字节,总容量为 字节。
注意下最高时钟166MHz,并且CL需要设置为3;如果时钟为133MHz可以设置CL为2;至于CL是什么,我们下文会介绍。
二、介绍
三、实战
1、SDRAM是什么?
synchronous dynamic random access memory,同步动态随机访问存储器,区别于SRAM(静态随机访问存储器)
动态是指其需要不断被刷新才能保持内部的数据(电荷)不丢失(相当于需要定时给内部电容充电)
同步即命令的发送与数据的传输都需要外部时钟并以此为基准
随机即可以指定某个地址直接访问
2、SDRAM的一些基本概念
由于工艺的限制、避免地址冲突等等问题,SDRAM一般都设置为多个Bank(我用的这颗是4Bank),每个Bank通过行地址和列地址进行寻址访问。
芯片框图
从上图我们可以看到4个Bank,每个Bank都有一个行地址和列地址解码;
MODE REGISTER(模式寄存器)用于设置一些关键参数控制SDRAM的运行 ;
COMMAND DECODER(命令解码器)用于判断当前的外部输入的命令码;
REFRESH COUNTER(刷新计数器)用于记录当前刷新的行数;
芯片引脚说明
引脚名称 | 功能 | 说明 |
A0 - A12 | 地址 | A0-A8复用成行/列的地址 行地址:A0 - A12;列地址:A0 - A8 A10这个引脚比较特殊,在读写命令中如果为高则代表要使能自动预充电功能;在预充电命令中如果为高则代表所有bank中已经激活的行都需要执行预充电命令 |
BS0/BS1 | Bank选择 | 在激活命令中用于选择需要激活的bank(此过程中同时选中需要激活的行地址) 在读写命令中用于选择需要读写的bank(因为可以同时打开多个不同的bank,所以读写命令时要指明读写的bank) |
DQ0 - DQ15 | 数据输入输出 | 数据输入输出引脚 |
片选 | 用于使能命令解码器,当高电平时禁止执行新的命令,但是已经在执行的命令不受影响 | |
行地址选通 | 在时钟上升延被采样,配合 | |
列地址选通 | 参考 | |
写使能 | 参考 | |
LDQM/UDQM | 输入输出掩码 | 在读取周期中如果为高,则输出缓冲为高阻; 在写入周期中如果为高,则禁止写入 |
CLK | 时钟输入 | 外部时钟输入作为SDRAM内部时钟,在上升沿对其他引脚信号进行采样(同步的概念) |
CKE | 时钟使能 | 时钟使能为低时,进入掉电、挂起、自刷新模式 |
与STM32H750XBH6芯片的接线
寻址方式(图片出自电脑高手关于SDRAM的讲解)
通过选择Bank、Row、Column这三个参数唯一确定一个存储单元。
3、SDRAM的关键参数
命令列表 ![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/b8812cad7d3822bcc2e885cad3d7bad2.png)
注意:CKEn代表当前时钟上升沿时刻的值;CKEn-1是上一个时钟上升延时刻的值
上电初始化
上电后模式寄存器的状态是不确定的,所以必须对它进行初始化;
为了描述方便,这边使用的示例图是另外一款的SDRAM(基本过程都差不多)
上电后(VDD/VDDQ要同时上电,其他输入信号保持在NOP状态),等待200us(这期间DQM和CKE引脚要保持高电平),然后对所有Bank进行预充电,然后等待tRP时间后 ,发送八个自动刷新命令(周期为tRC),在此之后发送模式寄存器设置命令,并等待tMRD时间。
模式寄存器设置命令
在时钟上升沿时刻,CS/RAS/CAS/WE都为低电平,BS1/BS0/A12-A0引脚电平为设置值
注意tRSC时间后才可以发起新的命令,不同的芯片不同的说法,简言之就是模式寄存器生效时间。
模式寄存器描述
Burst Length:突发长度,也就是一次读写可以连续读写的列数(列地址自增) ,一般设置为4
Addressing Mode:寻址模式,顺序或者交叉模式,一般使用顺序模式
CAS Latency(即CL):读命令时数据可读潜伏期(只有读命令存在),也就是需要这么长时间数据总线上的数据才是可读的,需要根据时钟频率相应设置
Write Mode:写模式选择,突发写还是单次写
其他未使用的位保留
行激活(也叫行选中)
在读写命令之前必须先执行行激活(通过A0-A12地址线选中指定的行,同时通过BANK0/1引脚选中对应的Bank),从行选中到发起读写命令的时间必须不小于tRCD(电子元器件从一种状态到另外一种状态的切换时间);如果当前Bank已经被激活,则此Bank必须先执行预充电命令才能再次被激活;对同一个Bank执行行激活的时间间隔不得小于tRC;对不同的Bank的行激活命令间隔不得小于tRRD;某个Bank被激活后的保持时间不得大于tRAS(max),行选中后电荷会慢慢流失,所以必须及时关闭。
读写命令
行激活后才能执行读写命令(通过来区分读写,低电平为写操作);如果要对同一个Bank中的不同行进行读写,则当前行必须先预充电(关闭),然后重新发送行激活命令;如果多个Bank处于激活状态,可以进行交叉读写(也就是说访问不同Bank中的行)。
支持突发读写操作(根据模式寄存器中设置进行)。
注意读命令发出后,并不是马上就会有数据输出,必须等待CL个时钟周期才有数据可读。
突发停止命令
只有当突发长度为page时才可以使用,调用该命令后,对应的行仍然处于激活状态
数据掩码
在芯片手册引脚说明中有这样一段话:
意思就是说读命令时刻DQM引脚电平生效时间滞后2个时钟周期,但是写命令时是立刻生效
自动预充电 ![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/3fd6c05b06d155b391d2471d6892e28c.png)
当执行读/写命令时A10是高电平则代表使能自动预充电命令;
在自动预充电命令过程中,读操作正常进行,自动预充电命令在突发读操作结束之前自动开始;带自动预充电命令的读写操作不能被中断(也就是说此期间读写命令、预充电命令都是被禁止的);一旦自动预充电操作开始执行,当前Bank只能在tRP时间后才能被再次激活。
如果突发长度是整页,则禁止自动预充电。
在带自动预充电的写命令中,当写操作完成后,需要等待tWR时间才执行自动预充电(原因是电容的充电需要时间)。
当使用自动预充电命令时,行激活命令和内部预充电命令的时间间隔制至少要满足tRAS(min)。
注意上图中的注释部分tRAS
预充电命令
预充电命令用于关闭当前已经激活的Bank。当A10为高电平,即代表对所有已经激活的Bank进行关闭(每个Bank中并不一定是相同的行);否则,通过BS0/1选择要预充电的Bank。
自刷新命令
所有Bank必须处于Idle状态才能调用此命令,当设备退出自刷新状态时,必须等待tXSR时间。
自动刷新命令
自动刷新命令需要由外部控制器定时发出。预充电命令只能对已经打开(激活)的行进行,具有随机性;所以必须通过自动刷新命令周期性对每一行进行刷新,每次都是对所有Bank的同一行进行,所以在刷新命令执行期间,所有操作都禁止。
当前芯片手册上标明8K Refresh Cycles/64ms(也就是64ms要刷新8192行)。
在自动刷新命令执行之前,需要对所有Bank执行预充电命令,使其处于空闲状态。
关键时间参数
注意有些时间参数单位是ns,有些是ms,还有一些是以时钟周期为单位,进行配置时一定要注意。
时序图解读
1、自动预充电读(突发长度为4,CL=3)
首先Bank 0行激活后等待tRCD时间后发出读取命令,等待3个时钟周期(CL)后,DQ上开始输出数据,在输出数据的过程中自动预充电命令开始执行,在tRP时间后自动预充电命令完成,此时可以进行下一次激活。
注意tRC、tRAS、tRP、tRCD这几个关键时间参数。
2、自动预充电写(突发长度4)
基本跟自动预充电读类似,需要注意的是DQ上在写命令时就有数据输出,同时需要注意的是自动预充电命令是在写完成后才进行的。
3、突发读单次写(突发长度为4,CL=3)
注意读命令时刻开始DQM为高、低、低、低、低电平(注意这四个连续的低电平),由于CL等于3,所以数据从第三个时钟开始输出数据,由于DQM是在两个时钟后生效,所以在第二个时钟时,DQM高电平被丢弃掉了。
再看写命令时刻,DMQ为低,所以aw0被写入。
以上,就是SDRAM的基本概念,请关注下篇会介绍如何配合STM32CubeMX进行配置。