STM32CUBEMX配置SDRAM

STM32CUBEMX配置SDRAM

驱动例子使用的型号为STM32H750XBH6,SDRAM的型号为W9812G6KH-6I。

1.SDRAM的基本工作原理

SDRAM的引脚主要有以下这些。

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主要包含的功能可以分类为逻辑控制线，地址线和数据线。

SDRAM 内部包含的存储阵列，可以把它理解成一张表格，数据就填在这张表格上。和表格查找一样，指定一个行地址和列地址，就可以精确地找到目标单元格，这是SDRAM 芯片寻址的基本原理。这样的每个单元格被称为存储单元，而这样的表则被称为存储阵列(Bank)，目前设计的 SDRAM 芯片基本上内部都包含有 4 个这样的 Bank，寻址时指定 Bank 号以及行地址，然后再指定列地址即可寻找到目标存储单元。

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在寻址时行和列地址都公用一组地址线，行、列地址选通信号线控制当前地址线表示的行地址还是列地址，参考下面的数据手册，使用的芯片的列地址线宽度是12，行地址线宽度是9。

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SDRAM的数据线宽度是16bit，但是进行数据传输的时候不一定是按照16位进行传输的，在传输8位数据的时候只有低8位的数据是有效的，因此还需要DQM数据掩码信号来配合使用，每根DQM信号线代表8位数据，高电平表示数据有效，低电平表示数据无效。

操作SDRAM需要一系列命令，如下表。

​​SDRAM要不断进行刷新(Refresh)才能保留住数据，因此它是 DRAM 最重要的操作刷新操作与预充电中重写的操作本质是一样的。
但因为预充电是对一个或所有 Bank 中的工作行操作，并且不定期，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保证那些久久没被访问的存储单元数据正确。刷新操作分为两种:“自动刷新” (Auto Refresh) 与“自我刷新”(SelfRefresh)，发送命令后 CKE 时钟为有效时(低电平)，使用自动刷新操作，否则使用自我刷新操作。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。
对于“自动刷新”，SDRAM 内部有一个行地址生成器(也称刷新计数器) 用来自动地依次生成行地址，每收到一次命令刷新一行。在刷新过程中，所有 Bank 都停止工作，而每次刷新所占用的时间为N个时钟周期(视 SDRAM型号而定，通常为 N=9)，刷新结束之后才可进入正常的工作状态，也就是说在这N个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。一次次地按行刷新，刷新完所有行后，将再次对第一行重新进行刷新操作，这人对同一行刷新操作的时间间隔，称为 SDRAM的刷新周期，通常为 64ms。显然刷新会对SDRAM的性能造成影响，但这是它的 DRAM 的特性决定的，也是 DRAM 相对于 SRAM取得成本优势的同时所付出的代价。
“自我刷新”则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，也就是说即使外部控制器不工作了，SDRAM都能自己确保数据正常。在发出“自我刷新”命令后，将 CKE 置于无效状态(低电平)，就进入自我刷新模式，此时不再依靠外部时钟工作，而是根据 SDRAM内部的时钟进行刷新操作。在自我刷新期间除了 CKE 之外的所有外部信号都是无效的，只有重新使 CKE 有效才能退出自我刷新模式并进入正常操作状态。

SDRAM上电之后需要进行初始化才能正常工作，初始化的流程如下：

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更详细的关于SDRAM的内容可以去搜索其他资料。

2.开始配置FMC外设驱动SDRAM

W9812G6KH-6I的数据手册截图

​由上图可以得到使用的SDRAM的速度等级是166MHz。最快的驱动SDRAM的时钟不能超过这个数。

SDRAM的驱动需要用到FMC外设，首先需要确定外设的时钟来源，参考STM32H750数据手册和CUBEMX的时钟配置，FMC的时钟来源有这几个，一般就选默认的HCLK3就可以。

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现在240M的时钟是输入到FMC外设的时钟，而FMC外设驱动SDRAM的的时钟是240M经过分频之后得到的。必须对这个时钟进行二分频或者三分频之后才能用于驱动SDRAM。

二分频之后是120M，单个时钟的周期是8.333ns。需要记住这个时间。后面需要进行计算。

SDRAM控制器的引脚功能如下：

进行初始化需要配置SDRAM的基本参数

  hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;
  hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;
  hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12;
  hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;
  hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
  hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
  hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
  hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;
  hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;
  hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;