陕西天士立科技有限公司 晶体管动态特性测试系统STA1200
晶体管动态特性测试系统STA1200
基础信息
高压源:1200V(选配2000V)
高流源:100A(选配200A/300A/500A)
驱动电压:±20V(选配±30V)
时间分辨率:1ns(选配400ps/200ps/100ps)
系统杂感:<20nH
测试对象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(选配BJT)
变温测试:常温~150℃/200℃
感性负载:程控电感(0.01~160mH,步进10uH)
阻性负载:程控电阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)备用三个
测试管型:可以测试N沟道和P沟道的IGBTs,MOSFETs
测试标准:IEC60747-9/IEC60747-2,GB/T29332/GB/T4023
晶体管动态特性测试系统STA1200
试验原理举例
晶体管动态特性测试系统STA1200
技术特点
- 专注宽禁带功率器件动态参数评测,软件程控,测试条件界面化输入,系统闭环处理,自动调节一键测试
- 采用光纤驱动信号通讯,响应速度快,抗干扰能力强
- 自动加热可由室温~200℃,精度±0.1℃
- 测试结果Excel,JPEG波形,波形任意缩放细节展宽分析
- 测试主功率回路寄生电感Ls<10nH(实测)
- 栅极驱动电阻Rg端口开放,按设定条件匹配电阻
- DualARM控核,DSP数据采样计算,极大减少控制时延误差
晶体管动态特性测试系统STA1200
试验能力
标配:开通特性测试单元/Turn_ON
标配:关断特性测试单元/Turn_OFF
标配:二极管反向恢复测试单元/Trr
标配:栅电荷测试单元/Qg¨
选配:容阻测试单元/CR¨
选配:短路测试单元/SC¨
选配:雪崩测试单元/UIS¨
选配:安全工作区单元/SOA¨
选配:动态电阻单元/
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专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
晶体管动态特性测试系统STA1200
参数指标
√ 标配(阻性/感性)开关测试单元 / Turn_ON/OFF |
漏极电压: 5V-1200V, 分辨率 1V |
漏极电流: 1A-100A, 分辨率1A; |
栅极驱动: ±20V (选配±30V), 分辨率 0.1V |
栅极电流: 2A/MAX |
脉冲宽度: 1us-500us,步进 0.1us |
时间精度: 1ns |
感性负载: 0.01mH-160mH 程序控制, 步进 10uH |
阻性负载: 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω , 程控, 备用三个电阻 |
开关时间: ton/toff: 1-10000ns分辨率1ns (选配400/200/100ps) |
开关延迟: td(on)/td(off): 0.1-10000ns@1ns (选配400/200/100ps) |
上下时间/tr/tf: 1-10000ns分辨率1ns (选配400/200/100ps) |
开关损耗/ Eon/Eoff: 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ |
√ 标配 栅极电荷单元 / Qg |
驱动电流: 0-2mA, 分辨率 0.01mA |
2-20mA, 分辨率 0.1mA |
20mA-200mA, 分辨率 1mA |
栅极电压: ±20V (选配±30V) @0.1V |
恒流源负载: 1-25A, 分辨率0.1A |
25-100A(选配200A/300A)@1A |
漏极电压: 5-100V, 步进 0.1V |
100-1200V, 步进 1.0V |
栅极电荷 Qg: 1nC-100µC |
漏极电荷 Qgs: 1nC-100µC |
源极电荷 Qgd: 1nC-100µC |
平台电压 Vgp: 0~30V, 分辨率 0.1V |
√ 标配 二极管反向恢复测试单元 / Qrr_FRD |
正向电流: 1A-25A, 分辨率 0.1A |
25A-100A (选配200A/300A) 分辨率 1A |
反向电压: 5v-100V, 步进 0.1V |
100V-1200V, 步进 1.0v |
反向恢复时间 Trr: 1-10000ns, 最小分辨率1ns (选配400/200/100ps) |
反向恢复电荷 Qrr: 1nC-100µC, 最小分辨率 1nC; |
反向恢复电流 Irm: 1A-100A (选配200A/300A); |
反向恢复损耗 Erec: 1-2000mJ, 最小分辨率 1uJ; |
电流下降率 dif/dt: 50-1kA/us; |
电压变化率 dv/dt: 50-1kV/us。 |
¨ 选配 短路特性测试单元/ SC |
电流: 1000A/MAX |
脉宽: 1us~100us |
栅驱电压: ±20V (选配±30V) @0.1V |
漏极电压: 5V~100V, 0.1V 分辨率 |
100V~1200V, 1.0V 分辨率 |
¨ 选配 雪崩测试单元 / UIS |
雪崩耐量/EAS: 100J |
雪崩击穿电压/2500V |
雪崩电流/IAS: 1.0-400A 分辨率 1.0A |
感性负载/0.01-160mH@10μH, 程控可调 |
¨ 选配 容阻测试单元 / CR |
扫频范围: 0.1MHz~5MHz |
漏源极电压: 1200V, 分辨率 1V |
¨ 选配 动态电阻Ron,dy
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专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
晶体管动态特性测试系统STA1200
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