试验能力 | 基本配置 |
¨ 选配,容阻测试单元 / CR ¨ 选配,短路测试单元 / SC ¨ 选配,雪崩测试单元 / UIS ¨ 选配,安全工作区单元 / SOA ¨ 选配,动态电阻单元 / | 高压源:1200V(选配 2000V) 高流源:100A(选配 200A/300A/500A) 驱动电压:±20V(选配±30V) 时间分辨率:1ns(选配 400ps/200ps/100ps) 系统杂感:<20nH 测试对象:Si(选配SiC/GaN)材料IGBTs , Diodes , MOSFETs(选配BJT) 变温测试:常温~150℃/200℃ 感性负载:程控电感(0.01mH-160mH,步进10uH),选配定制电感 阻性负载:程控电阻(1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω)备用三个电阻 测试管型:可以测试N沟道和P沟道的IGBTs , MOSFETs 测试标准:国际标准IEC60747-9/IEC60747-2 国标GB/T29332/GB/T4023 |
产品概述
STA1200 型晶体管动态特性测试系统,是一款主要面向“单管级器件”用户服务的测试设备,可实现对Si 基(选配SiC/GaN)材料的 IGBT、MOS-FET、Diode、BJT的多种动态参数的精确测试,测试原理符合国军标。
能够测试测试的参数包括开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延 迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复 充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路等等。
通过更换不同个性单元(简称DUT)以达到对应的测试项目,通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、读取保存测试结果。系统集成度高,性能稳定,具有升级扩展潜能和良好的人机交互。
测试参数
switch | Trr | Qg | SC | UIS | CR |
td(on)开通延迟 td(off)关断延迟 tr 上升时间 tf 下降时间 ton 开通时间 toff 关断时间 Eon 开通损耗 Eoff 关断损耗 | 反向恢复时间 Trr 反向恢复电荷 Qrr 反向恢复电流 Irm 反向恢复损耗 Erec 软度因子 FRRS 电流下降率 di/dt 电压变化率 dv/dt | Qg(th)阈值电荷 Vg 平台电压 Qg 栅电荷 Qgs 栅源电荷 Qgd 栅漏电荷 | Icsc 短路电流 Tsc 短路时间 Esc 短路耐量 | EAS 雪崩能量 IAS 雪崩电流 PAS 雪崩功率 | Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Cres 反馈电容 Rg 栅极电阻 |
外观架构
参数指标
√ 标配(阻性/感性)开关测试单元 / Turn_ON/OFF 漏极电压测试范围:5V-1200V,分辨率 1V 漏极电流测试范围:1A-100A,分辨率1A; 栅极驱动:±20V(选配±30V),分辨率 0.1V 最大栅极电流:2A 脉冲宽度:1us-500us,步进 0.1us 时间测试精度:1ns 感性负载:0.01mH-160mH 程序控制,步进 10uH 阻性负载:1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω,程序控制,备用三个电阻 开通/关断时间 ton/toff:1-10000ns分辨率1ns(选配400/200/100ps) 开通/关断延迟 td(on)/td(off):0.1-10000ns@1ns(选配400/200/100ps) 上升/下降时间 tr/tf:1-10000ns分辨率1ns(选配400/200/100ps) 开通/关断损耗 Eon/Eoff:1-2000mJ 最小分辨率 1uJ √ 标配 二极管反向恢复测试单元 / Qrr_FRD 正向电流:1A-25A,分辨率 0.1A 25A-100A(选配200A/300A)分辨率 1A 反向电压:5v-100V,步进 0.1V 100V-1200V,步进 1.0v 反向恢复时间 Trr:1-10000ns,最小分辨率1ns(选配400/200/100ps) 反向恢复电荷 Qrr:1nC-100µC,最小分辨率 1nC; 反向恢复电流 Irm:1A-100A(选配200A/300A); 反向恢复损耗 Erec:1-2000mJ,最小分辨率 1uJ; 电流下降率 dif/dt:50-1kA/us; 电压变化率 dv/dt:50-1kV/us。 ¨ 选配 容阻测试单元 / CR 电容测试扫频范围:0.1MHz~5MHz 漏源极电压:1200V,分辨率 1V 测试参数:Ciss、Coss、Cres | √ 标配 栅极电荷单元 / Qg 驱动电流:0-2mA,分辨率 0.01mA 2-20mA,分辨率 0.1mA 20mA-200mA,分辨率 1mA 栅极电压:±20V(选配±30V)@0.1V 恒流源负载:1-25A,分辨率0.1A 25-100A(选配200A/300A)@1A 漏极电压:5-100V,步进 0.1V 100-1200V,步进 1.0V 栅极电荷 Qg:1nC-100µC 漏极电荷 Qgs:1nC-100µC 源极电荷 Qgd:1nC-100µC 平台电压 Vgp:0~30V,分辨率 0.1V ¨ 选配 短路特性测试单元 / SC 最大电流:1000A 脉宽:1us~100us 栅驱电压:±20V(选配±30V)@0.1V 漏极电压:5V~100V,0.1V 分辨率 100V~1200V,1.0V 分辨率 ¨ 选配 雪崩测试单元 / UIS 雪崩耐量/EAS:100J 雪崩击穿电压/2500V 雪崩电流/IAS:1.0-400A 分辨率 1.0A 感性负载/0.01-160mH@10μH,程控可调 ¨ 选配 动态电阻Ron,dy |
测试标准与原理