STA1200晶体管动态特性测试系统

试验能力	基本配置
标配，开通特性测试单元 / Turn_ON 标配，关断特性测试单元 / Turn_OFF 标配，二极管反向恢复测试单元 / Trr 标配，栅电荷测试单元 / Qg ¨   选配，容阻测试单元 / CR ¨   选配，短路测试单元 / SC ¨   选配，雪崩测试单元 / UIS ¨   选配，安全工作区单元 / SOA ¨   选配，动态电阻单元 /	高压源：1200V（选配 2000V） 高流源：100A（选配 200A/300A/500A） 驱动电压：±20V（选配±30V） 时间分辨率：1ns（选配 400ps/200ps/100ps） 系统杂感：＜20nH 测试对象：Si（选配SiC/GaN）材料IGBTs , Diodes , MOSFETs（选配BJT） 变温测试：常温~150℃/200℃ 感性负载：程控电感（0.01mH-160mH，步进10uH），选配定制电感 阻性负载：程控电阻（1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω）备用三个电阻 测试管型：可以测试N沟道和P沟道的IGBTs , MOSFETs 测试标准：国际标准IEC60747-9/IEC60747-2 国标GB/T29332/GB/T4023

产品概述

STA1200 型晶体管动态特性测试系统，是一款主要面向“单管级器件”用户服务的测试设备，可实现对Si 基（选配SiC/GaN）材料的 IGBT、MOS-FET、Diode、BJT的多种动态参数的精确测试，测试原理符合国军标。

能够测试测试的参数包括开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延 迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复 充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路等等。

通过更换不同个性单元（简称DUT）以达到对应的测试项目，通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、读取保存测试结果。系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。

测试参数

switch	Trr	Qg	SC	UIS	CR
td(on)开通延迟 td(off)关断延迟 tr 上升时间 tf 下降时间 ton 开通时间 toff 关断时间 Eon 开通损耗 Eoff 关断损耗	反向恢复时间 Trr 反向恢复电荷 Qrr 反向恢复电流 Irm 反向恢复损耗 Erec 软度因子 FRRS 电流下降率 di/dt 电压变化率 dv/dt	Qg（th）阈值电荷 Vg 平台电压 Qg 栅电荷 Qgs 栅源电荷 Qgd 栅漏电荷	Icsc 短路电流 Tsc 短路时间 Esc 短路耐量	EAS 雪崩能量 IAS 雪崩电流 PAS 雪崩功率	Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Cres 反馈电容 Rg 栅极电阻

外观架构

参数指标

√ 标配（阻性/感性）开关测试单元 / Turn_ON/OFF 漏极电压测试范围：5V-1200V，分辨率 1V 漏极电流测试范围：1A-100A，分辨率1A； 栅极驱动：±20V（选配±30V），分辨率 0.1V 最大栅极电流：2A 脉冲宽度：1us-500us,步进 0.1us 时间测试精度：1ns 感性负载：0.01mH-160mH 程序控制，步进 10uH 阻性负载：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω，程序控制，备用三个电阻 开通/关断时间 ton/toff：1-10000ns分辨率1ns（选配400/200/100ps） 开通/关断延迟 td(on)/td(off）：0.1-10000ns@1ns（选配400/200/100ps） 上升/下降时间 tr/tf：1-10000ns分辨率1ns（选配400/200/100ps） 开通/关断损耗 Eon/Eoff：1-2000mJ 最小分辨率 1uJ √ 标配 二极管反向恢复测试单元 / Qrr_FRD 正向电流：1A-25A，分辨率 0.1A 25A-100A（选配200A/300A）分辨率 1A 反向电压：5v-100V，步进 0.1V 100V-1200V，步进 1.0v 反向恢复时间 Trr：1-10000ns，最小分辨率1ns（选配400/200/100ps） 反向恢复电荷 Qrr：1nC-100µC，最小分辨率 1nC； 反向恢复电流 Irm：1A-100A（选配200A/300A）； 反向恢复损耗 Erec：1-2000mJ，最小分辨率 1uJ； 电流下降率 dif/dt：50-1kA/us； 电压变化率 dv/dt：50-1kV/us。 ¨ 选配 容阻测试单元 / CR 电容测试扫频范围：0.1MHz～5MHz 漏源极电压：1200V，分辨率 1V 测试参数：Ciss、Coss、Cres

√ 标配 栅极电荷单元 / Qg 驱动电流：0-2mA，分辨率 0.01mA 2-20mA，分辨率 0.1mA 20mA-200mA，分辨率 1mA 栅极电压：±20V（选配±30V）@0.1V 恒流源负载：1-25A，分辨率0.1A 25-100A（选配200A/300A）@1A 漏极电压：5-100V，步进 0.1V 100-1200V，步进 1.0V 栅极电荷 Qg：1nC-100µC 漏极电荷 Qgs：1nC-100µC 源极电荷 Qgd：1nC-100µC 平台电压 Vgp：0~30V，分辨率 0.1V ¨ 选配 短路特性测试单元 / SC 最大电流：1000A 脉宽：1us~100us 栅驱电压：±20V（选配±30V）@0.1V 漏极电压：5V~100V，0.1V 分辨率 100V~1200V，1.0V 分辨率 ¨ 选配 雪崩测试单元 / UIS 雪崩耐量/EAS：100J 雪崩击穿电压/2500V 雪崩电流/IAS：1.0-400A 分辨率 1.0A 感性负载/0.01-160mH@10μH，程控可调 ¨ 选配 动态电阻Ron,dy

测试标准与原理