细品三极管

     作为集成电路中的王者----PN结，最初的材料是水银，将水银封装在玻璃管中，两个电极之间加上电压，导体中的水银开始流动，带动电子的迁移，后来发展成硅器件，载流子就成了电子和空穴两种。集成电路的三极管在大规模集成电路中扮演着重要的角色，三极管由集电极、发射级、基极组成、是一种电流控制型器件。组成结构为PNP和NPN两种，JEFT和MOSFET是三极管的加强工艺产品形式，加入了结型和沟道工艺，现代工艺中采用离子注入技术。就基本的三极管来分析，三极管的结构如下图所示：

      当基极注入电流时，在NP临界和PN临界处形成的电场会改变其分布形式，进而影响整个NPN或者PNP的电势分部，当基极持续注入电流，临界电场稳定。一般情况下集电极的电势高于发射级的电势，基极电流的注入影响NPN电场分布，在集电结和发射结的电子会发生剧烈碰撞，包括电子的散射和电子对的湮灭，根据爱因斯坦的相对论，质量的变化会带来能量的释放或者吸收，此时集电结和发射结的温度场会变化，电子运动加剧的正反馈条件满足，对外表现出放大现象，具体细节可以参考核裂变和核聚变技术的原理，有兴趣的可以使用多物理场仿真进行试验。